القرية الإلكترونية - الكترونيات - كمبيوتر - هاردوير - خدمات المواقع - كهرباء - فضائيات - جوال - اتصالات - تكييف وتبريد - اجهزة الانتاج الزراعي - كهرباء السيارات

كود تفعيل العضوية - الابلاغ عن روابط لاتعمل - صيانة التلفزيون - الحاسبة - الأعضاء المتميزين - البرامج و المخططات - بث مباشر للقنوات الفضائية - إذاعة - تردد القنوات - بحث

ad2

لوحة مفاتيح عربية

العودة   منتدى القرية الإلكترونية > القسم الالكتروني > منتدى الإلكترونيات
التسجيل       اجعل كافة المشاركات مقروءة

منتدى الإلكترونيات قسم الالكترونكس لمناقشة الافكار والمعلومات المتعلقة بالهندسة الالكترونية للمبتدئين والهواة والفنيين - Electronics

رد
 
أدوات الموضوع
قديم 06-12-2006, 07:24 PM   #1
بوعبده
مهندس متميز

الدولة: اللهم ارحم عبدك الباسم حسن يوسف
المشاركات: 477
أحصائية الترشيح

عدد النقاط : 558


النشاط

معدل تقييم المستوى: 0
افتراضي ترانزستورات mosfet معلومات كافيه ووافيه

السلام عليكم ورحمة الله وبركاته

اخوانى اعضاء القريه

موضوع اضطلعت عليه وحبيت انكم تشاركونى فيه الفائده
فقط دعوه فى ظهر الغيب لصاحب الموضوع

وكمان دعوه للى نقل

MOSFET
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
ترانزستور التأثير المجالى والمصنوع من أشباه الموصلات والأكسيد والمعدن




مهندس / محمد الحريرى


مقدمة :
تعتبر أشباه الموصلات النقية (مثل الجرمانيوم والسليكون) موادا ليست جيدة التوصيل للكهرباء كما أنها ليست رديئة التوصيل للكهرباء . وتتوزع الإلكترونات فى أشباه الموصلات حول أنويتها فى مدارات ولكن تتميز أشباه الموصلات النقية بوجود 4 إلكترونات فقط فى المدار الأخير مما يجعلها مستقرة . أى أنها لا تنقل الكهرباء إلا بعد أن يتم تحرير إلكترون من الأربعة عن طريق الحرارة أو عن طريق إضافة شوائب . كما أنها تتحول لعوازل عندما نجبرها على إستقبال إلكترونات أخرى فى مدارها الأخير (بإضافة شوائب ايضا).

البلورة السالبة N :
بإضافة شوائب من مادة يحتوى المدار الأخير للإلكترونات حول ذراتها على 5 إلكترونات مثل الفسفور أو الزرنيخ إلى المادة شبه الموصلة تتكون البلورة السالبة N وهى موصلة حيث يزيد فيها عدد الإلكترونات (السالبة) الحرة .

البلورة الموجبة P :
بإضافة شوائب من مادة يحتوى المدار الأخير للإلكترونات حول ذراتها على 3 إلكترونات مثل البورون والألومينيوم والجاليوم إلى المادة شبه الموصلة تتكون البلورة الموجبة P حيث ينقصها إكتساب إلكترونات للوصول لحالة الإتزان (يعنى وجود فجوات Holes).

الوصلة الثنائية :
عند توصيل بللورة من نوع P مع بلورة من نوع N كما بالشكل المرفق تنجذب بعض الألكترونات الحرة من البللورة N إلى الفجوات فى البلورة P وتتكون منطقة وسطية فارغة من حاملات التيار (بعد أن أنجذب كل ألكترون فى هذه المنطقة مع فجوة ولم يعد حرا) وتسمى هذه المنطقة بالمنطقة الميتة (أو المنزوحة) Depletion Area ونتيجة لهذه الظاهرة ووجود نوعين مختلفين من حاملات الشحنة على جانبى المنطقة المنزوحة يتكون جهد على هذه المنطقة يعرف بالجهد الحاجز Barrier Voltage .
والوصلة الثنائية هى فى الحقيقة الثنائى المعروف بالدايود .




x


الإنحياز الأمامى :


الشكل المرفق التالى يبين الإنحياز الأمامى للثنائى حيث يوصل الطرف الموجب للبطارية بالبلورة P والطرف السالب بالبللورة N وبهذه الطريقة نستطيع أن نقلل من الجهد الحاجز وندفع الإلكترونات للمرور عبر المنطقة المنزوحة لتغلق الدارة ويمر التيار فيها.


x


الإنحياز الخلفى (العكسى) :
الشكل المرفق التالى يبين الإنحياز العكسى للثنائى حيث يوصل الطرف الموجب للبطارية بالبلورة N والطرف السالب بالبللورة P وبهذه الطريقة نستطيع أن نزيد من الجهد الحاجز وندفع الإلكترونات للإنجذاب للطرف الموجب للبطارية والفجوات للإنجذاب للطرف السالب للبطارية مما يزيد من الجهد الحاجز والمنطقة المنزوحة ويوقف مرور التيار فى الدارة.

x



ترانزستور التأثير المجالى والمصنوع من أشباه الموصلات والأكسيد والمعدن :



كل هذه المقدمة كانت لوضع الأساس الذى سنستند عليه فى عمل الترانزستور المجالى MOSFET



>> وهو كما بالشكل التالى يتركب من :



1- طبقة سفلية Substrate وهى إما من النوع N (كما بيمين الشكل) أو من النوع P (كما بيسار الشكل)


2- منطقتين من بلورتين من نفس النوع (بعكس الطبقة السفلية N <==> P ) ويمثلان طرفين من أطراف الترانزستور وهما (المصرف Drain والمنبع Source).


3- طبقة من الأوكسيد (ثانى أكسيد السليكون SIO2) وهى مادة غير موصلة للتيار الكهربى (عازلة).


4- طبقة من المعدن وتمثل الطرف الثالث للترانزستور وهو البوابة Gate



>> ونجد أيضا من الشكل أن هذا الترانزستور له نوعان هما ال P-Cahnnel وال N-Channel بحسب أختيار نوع الطبقة السفلية والبلورتين الجانبيتين (المصرف والمنبع).



>> ومن النقاط الأربع السابقة نكون قد فهمنا الجزء MOS (شبه موصل - أكسيد- معدن) من أسم هذا الترانزستور .



x


فكرة عمل الـMOSFET :

فى هذا النوع من الترانزستورات يتم التحكم بتيار الخرج عن طريق جهد (المجال الكهربى) الدخل .. فكيف ذلك ؟
أنظر الشكل التالى (حيث تم توصيل المصرف بالطرف الموجب لبطارية والمنبع بالطرف السالب لها)
1- فى حالة عدم وضع جهد على البوابة Gate فإنه لن يمر أى تيار بين المنبع والمصرف (الشكل الأيسر)
2- فى حالة وضع جهد موجب على البوابة (فى الشكل الأيمن) - لاحظ أن الترانزستور من نوع القناة N - فإن الإلكترونات الحرة الموجودة فى بلورتى المنبع والمصرف ستنجذب للمجال الكهربى الموجب المتكون عند البوابة مكونة قناة لمرور التيار بين المنبع والمصرف.
ويتغير حجم هذه القناة تبعا لقوة المجال الكهربى عند البوابة وبالتالى تتغير قيمة التيار المار بين المنبع والمصرف.


x


3- ى حالة وضع جهد سالب على البوابة (فى الشكل الأيمن) - لاحظ أن الترانزستور من نوع القناة P- فإن الفجوات الموجودة فى بلورتى المنبع والمصرف ستنجذب للمجال الكهربى السالب المتكون عند البوابة مكونة قناة لمرور التيار بين المنبع والمصرف.
ويتغير حجم هذه القناة تبعا لقوة المجال الكهربى عند البوابة وبالتالى تتغير قيمة التيار المار بين المنبع والمصرف.


x


لاحظ أنه لوجود مادة الأوكسيد (العازلة) بين البوابة وبقية الترانزستور فإن التيار لا يمر بينهما . وفقط يتم التحكم بالتيار المار بين المنبع والمصرف عن طريق الجهد (المجال الكهربى) الموجود على البوابة.

الـMOSFET المتمم (CMOS) :

مصطلح الCMOS هو أختصار للجملة Complementary Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
وهو عبارة عن دارة تجمع بين ترانزستورين من نوعى N-Channel ,P-Channel
ويكون عمله كالآتى :
1- عندما يكون مستوى الدخل منخفضا على البوابة (LOW) يعمل الترانزستور P-MOS FET (أى الترانزستور ذو القناة P) على تمرير التيار من مصدره لمصرفه . ولا يعمل الترانزستور الآخر.
2- عندما يكون مستوى الدخل مرتفعاعلى البوابة (High) يعمل الترانزستور N-MOS FET (أى الترانزستور ذو القناة N) من مصرفه لمصدره . ولا يعمل الترانزستور الآخر.

أى أنه فى دارة الCMOS يعمل الN-MOS و الPMOS بصورة عكسية (أحدهما يمرر والآخر لا).
ويستفاد من هذه الحالة عند التعامل مع تيارت عالية (قدرات عالية) فيخفف ذلك من تسخين كلا من الترانزستورين حيث يعمل كلا منهما نصف الوقت بينما يريح الأخر مع الحفاظ على حالات الخرج وذلك بإدخال نبضة ساعة على البوابة .


x



خاتمة :


تعتبر الترانزستورات من نوع MOSFET خليفة الترانزستورات BJT حيث تدخل فى معظم الدارات الحديثة وخصوصا فى بناء الدارات المتكاملة والدارات الرقمية خاصة لما تتميز به من سرعة فى الأداء خصوصا عند إستخدامها كمفاتيح.




المصدر ,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,, شبكة العلوم العربيه
بوعبده غير متواجد حالياً   رد مع اقتباس مشاركة محذوفة
اعلانات
قديم 06-12-2006, 08:31 PM   #2
أبو سمسم
مهندس

المشاركات: 6
أحصائية الترشيح

عدد النقاط : 10


النشاط

معدل تقييم المستوى: 0
افتراضي

بسم الله الرحمان الرحيم
شكرا للأخ بو عبدة على هده الخلاصة الكافية في تعريف الترنزستور Mosfet و انا على استعداد لتبادل المعارف و الاشكالات حول هدا الموضوع
أبو سمسم غير متواجد حالياً   رد مع اقتباس مشاركة محذوفة
اعلانات اضافية ( قم بتسجيل الدخول لاخفائها )
  
قديم 07-12-2006, 01:05 PM   #3
بوعبده
مهندس متميز

الدولة: اللهم ارحم عبدك الباسم حسن يوسف
المشاركات: 477
أحصائية الترشيح

عدد النقاط : 558


النشاط

معدل تقييم المستوى: 0
افتراضي

شرفنى مرورك اخى ابوسمسم

ولى عندك طلب

انا كامبتدىء احتاج لشرح بطريقه اسهل من ذالك لان معلوماتى او تخيلى لطريقه عمل الترانزستور لم تؤهلنى للاستيعاب الكامل

فهل اجد لديك شرح بسيط او اسهل من هذا

اعذرنى اخى ان كنت باثقل عليم
بوعبده غير متواجد حالياً   رد مع اقتباس مشاركة محذوفة
قديم 07-12-2006, 02:45 PM   #4
salah_ok
عضو فضي
 
الصورة الرمزية salah_ok

الدولة: سوريا(حمص العدية)
المشاركات: 208
أحصائية الترشيح

عدد النقاط : 230


النشاط

معدل تقييم المستوى: 60
افتراضي

السلام عليكم
ألف شكر لك أخي الكريم
على الموضوع المميز والمدعم بالصور الواضحة والله يعطيك العافية
salah_ok غير متواجد حالياً   رد مع اقتباس مشاركة محذوفة
قديم 07-12-2006, 03:32 PM   #5
عاطف الطيب
عضو ذهبي و مراقب سابق منتدى الفضائيات

الدولة: تحيا مصر
المشاركات: 535
أحصائية الترشيح

عدد النقاط : 712


النشاط

معدل تقييم المستوى: 78
افتراضي

الف شكر اخي عبدوا علي الموضوع الهام

وشكرا لك علي الامانة في النقل
عاطف الطيب غير متواجد حالياً   رد مع اقتباس مشاركة محذوفة
قديم 07-12-2006, 05:53 PM   #6
أبو سمسم
مهندس

المشاركات: 6
أحصائية الترشيح

عدد النقاط : 10


النشاط

معدل تقييم المستوى: 0
افتراضي

السلام عليكم
شكرا للاخ بو عبدة على الاستجابة و أعتدر ادا كان الشرح نوعا ما صعبا لانه شرح يعتمد على تفسير من الناحية الفيزيائية و على كل ادا كان لديك اي اشكال محدد فانا جاهز للمساعدة
أبو سمسم غير متواجد حالياً   رد مع اقتباس مشاركة محذوفة
قديم 07-12-2006, 10:10 PM   #7
hariedy
مشرف سابق - قسم الحاسب الالي
 
الصورة الرمزية hariedy

المشاركات: 1,828
أحصائية الترشيح

عدد النقاط : 1636


النشاط

معدل تقييم المستوى: 116
افتراضي

طيب يا جماعة ياريت لو فى شرح وافى لطريقة التعرف على الترانزيستور من فئة موسفيت اذا كان تالف ام لا ..
ويريت يكون الشرح متضمن كيفية ضبط الافو ميتر قبل عملية الاختبار ( اقصد ضبط المؤشر على الجرس او ohm الخ )
hariedy غير متواجد حالياً   رد مع اقتباس مشاركة محذوفة
قديم 25-12-2006, 05:05 PM   #8
بوعبده
مهندس متميز

الدولة: اللهم ارحم عبدك الباسم حسن يوسف
المشاركات: 477
أحصائية الترشيح

عدد النقاط : 558


النشاط

معدل تقييم المستوى: 0
افتراضي

السلام عليكم

الف شكر لكم اخوانى على المورور والكلمات الطيبه التى تدل على اصلكم الطيب

ومازلنا نتعلم منك وبفضل الله وفضلكم نتقدم بعون الله
بوعبده غير متواجد حالياً   رد مع اقتباس مشاركة محذوفة
رد

العلامات المرجعية

أدوات الموضوع

تعليمات المشاركة
You may not post new threads
You may not post replies
You may not post attachments
You may not edit your posts

BB code is متاحة
كود [IMG] متاحة
كود HTML معطلة

الانتقال السريع إلى

الساعة الآن: 06:31 AM


Powered by vBulletin® Version 3.8.6, Copyright ©2000 - 2019
Feedback Buttons provided by Advanced Post Thanks / Like (Lite) - vBulletin Mods & Addons Copyright © 2019 DragonByte Technologies Ltd.
القرية الإلكترونية