أجهزة القياس الإلكترونية و اختبار المكونات

[ماجد عباس محمد]

المشاركة الأصلية كتبت بواسطة بسام1970

بارك الله فيك وفي مجهودك الطيب وجعله الله في ميزان حسناتك

وحبذا لو تثبت هذه المواضيع للإشارة للمستجدين والمحتاجين عامة اليها حتى لا تضيع في الصفحات الأخيرة للمنتدى ويضطر المرء البحث أو تكرار المجهود وإضاعة وقت وطاقة سدى.

شكرا أخى الكريم لهذه الكلمات الرقيقة و أود حقيقة أن أثبت الموضوع لكن للمنتدى سياسة جيدة للحد من عدد المواضيع المثبته لهذا فالمواضيع التى اكتبها تجدها فى الرابط الذى يشير إليه التوقيع "مقالات المهندس ماجد" أو يمكنك الإحتفاظ بالرابط باستخدام خاصية Bookmark او "الاحتفاظ" فى المتصفح
عادة انشئ مجلد جديد باسم المنتدى فى قائمة BookMarkأضع فيه الروابط التى أود الرجوع إليها ثانية

[normane-116]

المشاركة الأصلية كتبت بواسطة fathi-mohmed

المهندس ماجد تحياتي
انا فعلا بحترم علمك واسلوب شرحك الرائع وانا متابع عملك علي عدة مواقع حضرتك مشرف فيهم
وبجد صعوبه في معرفه مواضيع الشرح للدوائر المتكاملة المبرمجة ارجوك دلني عليهم
والف شكر وتقدير لشخصك المتواضع

بارك الله فيك اخي الكريم

[ماجد عباس محمد]

قياس الثايريستور و التراياك
الثايريستور و التراياك من مجموعة العناصر التى تحكم عليها بالآفو أنها تالفة لكن لا تستطيع الجزم بالآفو فقط بأنها سليمة.
نعلم أن الثايريستور يعمل كثنائى ولكن يمكن التحكم فيه متى يؤدى دور الثنائى و متى يتوقف عن التوصيل ، وبذلك نجد أنه فى الوضع العادى لا يوصل، و عندما يمر تيار فى طرف البوابة، يتحول إلى ثنائى
لهذا لا يمكن القياس إلا باستخدام وسيلتين معا ، الأولى تتحكم فى القاعدة والأخرى تكشف أداؤه كثنائى.
بين البوابة والمهبط "كاثود" ستجد ثنائى ولكن قيمه تختلف حسب القدرة و الخواص. لذلك بالقياس بالآفو تحكم على خواص وصلة البوابة. لو وجدت قصر بين أى طرفين فهو تالف
أيضا يجب أن تستخدم أعلى مدى لقياس الأوم ولا تجد أى تسريب بين المصعد والمهبط K,A و لكن فى وحدات التيار العالى فالأمور ليست دوما ما نحلم به، قد تجد 1 ميجا و يعمل بكفاءة. و طبعا وجود قصر ينهى القضية.
هل لو كانت القياسات كلها سليمة يعنى هذا أنه سليم؟؟
الاحتمالات فى وحدات التيار العالى أن يكون هناك فصل فى طرف الأنود أو المهبط A داخل العبوة – كما أن هناك تلفا يحدث مع الحرارة وهو تسريب بين الأنود و البوابة لا يسهل قياسه لكن عند وضع فولت التشغيل ، يبدأ فى الفتح دون تفعيل طرف القاعدة.
لذا الحكم الكامل بدائرة تشغيل مناسبة و تستخدم مع وحدات الجهد العالى لمبات إنارة عادية ذات فتيلة وليست فلوريسنت لتوضح ما إن حدث تسريب أو بعبارة أخرى هل تستطيع غلقه كما تستطيع فتحه أم لا هو المقياس الأصح للحكم وليس القياس هنا، أيضا يجب أن تكون اللمبات أو الأحمال عموما ذات وات مناسب فلا يناسب أن تستخدم لمبة 5 وات مثلا لاختبار ثايريستور أو ترياك 200 أمبير فتيار التسريب قد يكفى لبعث بعض الإضاءة من هذه اللمبات.

أيضا من عيوب الثايريستور و التراياك هى "عدم الاستقرار عند القيم المنخفضة" بمعنى أنه فى الاستخدام كمتحكم تدريجى فى إنارة أو سرعة موتور مثلا، تجد رعشة فى بدء التشغيل و تقل مع زيادة الخرج حتى تختفى تماما عندما يكون مفتوحا بالكامل، وهذه أيضا لا قياس لها سوى فى دائرة فعلية و ربما أيضا تعتمد على التيار المار فى الدائرة.
يشبه البعض التراياك باثنين ثايريستور متصلين عكس بعضهما ليمرر كل منهما التيار فى نصف ذبذبة و تجمع البوابتين معا لتقريب الفكرة ولكنه لا يصلح عمليا، التراياك الفعلى قطعة سليكون واحدة ذات تركيب خاص وليست بالفعل 2 ثايريستور.
الكلام هو نفسه فقط لأنك تفتح التراياك فى كلا نصفى الموجة، فلن تجد ثنائى بين البوابة والمهبط حيث لا تجد مصعد و لا مهبط و لكن MT1,MT2 بمعنى "طرف عام 1 و طرف عام2" Main Terminal-1, Main Terminal-2 و المقصود هنا MT1 و ستجد بينه و بين البوابة مقاومة من 40 إلى 150 أوم و ربما تختلف حسب الطراز.

المرة القادمة إن شاء الله نستكمل الحديث.

[fathi-mohmed]

استاذي الغالي مهندس ماجد
انا اعرف كيفية توليد تردد معين واريد استخدامه في معرفة قيمه الهنري للملف
ما هو القانون المستخدم وكيفيه التوصيل
هذا هو اقتراحي
ولو هناك طرق احسن ياريت تتفضل بها
ولك وافر الشكر والتقدير

[ماجد عباس محمد]

القانون هو معاوقة الملف بالأوم = 2 × 3.14 × التردد × الحث بالهنرى
و الدائرة هى أوم ميتر و لكن بدلا من البطارية نستخدم تردد مناسب

[fathi-mohmed]

المشاركة الأصلية كتبت بواسطة ماجد عباس محمد

الدائرة هى أوم ميتر و لكن بدلا من البطارية نستخدم تردد مناسب

اشكرك استاذي
ممكن مثال بسيط لاني مش فاهم كيف يعمل الاوميتر في مثل هذة الحالة

[ماجد عباس محمد]

هكذا فقط استبدل البطارية بمصدر متردد

[ماجد عباس محمد]

قياس ترانزستورات FET,MOSFET
نعلم أن هناك نوعان من الأول MOSFET وهما العادى و المحسن Depletion, Enhanced بينما لا يوجد سوى نوع واحد "عادى" Depletion من الترانزيستور FET وهذا بالطبع لا يقصد به موجب أو سالب N,P type لأن اختلاف القطبية لا يؤثر على الأداء.
لمزيد من التفاصيل عن تركيب و أداء كل نوع يمكن الرجوع لهذه السلسلة

سلسلة تصميم الدوائر الإلكترونية

قياس FET ، سهل لأننا نعلم أن بين المصدر و المصرف أو المخرج Source, Drain مقاومة صغيرة و يجب أن تزداد بزيادة فرق الجهد بين البوابة و المصدر
أيضا بين البوابة والمصدر Gate / Source – و البوابة و المخرج Gate / Drain تجد ثنائى عادى يحدد نوع القناة – لو بوضع الطرف الموجب على البوابة يمر التيار يكون N- Channel والعكس بالعكس.
قد يكون من الصعب تحديد طرفى المصدر و المصرف أو المخرج Source, Drain و السبب أن بينهما قناة متصلة وهما من نفس القطعة و هو مغاير للترانزيستور العادى حيث الباعث من مادة تركيز شوائبها و أبعادها مخالفة للمجمع و أيضا بتوصيل الترانزيستور FET فى وضع مقلوب أى تبديل طرفى المصدر و المصرف أو المخرج Source, Drain سيظل يعمل ربما أقل جودة لكنه لن يتوقف مثل الترانزيستور العادى ثنائى القطبية الذى لن يعمل على الإطلاق.
بالنسبة لترانزيستور MOSFET فالأمر مختلف لأن النوع العادى ستجد بين المصدر و المصرف أو المخرج Source, Drain مقاومة تقل بوضع جهد على البوابة بينما النوع المحسن ستجد دائرة مفتوحة بين المصدر و المصرف أو المخرج Source, Drain و تقل المقاومة بينهما بوضع جهد بين البوابة و المصدر Gate – Source .
مشكلة ترانزيستور MOSFET أن البوابة معزولة عن باقى الترانزيستور لذا ستقيس دوما مالا نهاية وهو أمر إن لم تجده تتأكد أن الترانزيستور تالف لكن لو كان الطرف فعلا يقيس مالا نهاية، فربما لا تتأكد من جودة الترانزيستور.
لكن لحسن الحظ هناك حلا بسيطا و اختراع اسمه بطارية 9 فولت يمكنك استخدامها مع مقاومة على التوالى مثلا 1 ك إلى 10 ك و تقيس بين طرفى المصدر و المصرف أو المخرج Source, Drain ثم توصل البطارية بين البوابة و المصدر، إن كان الطرف الموجب على البوابة يسبب انخفاض المقاومة بين طرفى المصدر و المصرف أو المخرج Source, Drain كان الترانزيستور جيدا و ذو قناة سالبة N-Channel
عند التعامل مع MOSFET حاول أن تتحرى الحذر باستخدام نظام أرضى جيد و الحيطة أفضل من الندم رغم أننى لم استخدمها ولم أجد مشاكل.
للأمانة العلمية فغالبية القطع خاصة التى تتعامل مع القدرات العالية تضع وسائل حماية تقى المكون من التلف بواسطة الكهربية الساكنة Static Electricity ولكن قليلا و خاصة فى ترانزستورات مكبرات الترددات العالية و العالية جدا، بعضها لا يستخدم هذه الطرق حتى لا تؤثر على القيمة العالية جدا لمعاوقة الدخول ولا تزيد من قيمة السعة الشاردة لدائرة البوابة. هذه القطع و تعلم عنها من Data Sheet احترس و خذ حيطتك كاملة.

فى وحدات القدرة العالية من ترانزستورات,MOSFET البعض يضع جهدا بين البوابة والمصدر Gate / Source – فيجد أن هناك توصيل بين المصب و المنبع حتى بعد رفع هذا الجهد ثم يزول التوصيل بعكسه أى يستخدم آفو واحد طرفه على المصدر Source و يلمس بالطرف الثانى البوابة ثم ينتقل بالطرف الثانى فيقيس بين المصب و المصدر Source- Drainمقاومة قد تصل إلى صفر وهذا لأن البوابة تخزن الشحنة، ثم يعكس الأطراف و يلمس البوابة- المصدر Gate / Source ثم ينتقل لقياس المصب و المصدر Source- Drain فيجد المقاومة أصبحت وهذا لأن البوابة فرغت الشحنة.
أيضا هذا يعنى أنه يؤدى وظيفة لكن لا يمكن الحكم لأن MOSFET من مجموعة العناصر التى تحكم عليها بالآفو أنها تالفة لكن لا تستطيع الجزم بالآفو فقط بأنها سليمة، فالقصر بين طرفين يعنى أنه تالف لكن فى وحدات التغذية ذات القدرات الكبيرة Switching Regulators كانت وحدات الترانزيستور MOSFET تنجح فى كل الاختبارات و عند تركيبها تعطى الخرج تاما كاملا، لكن بمجرد التحميل (سحب تيار من الوحدة) يهبط جهد الخرج بصورة كبيرة ، و الحل هو التغيير بصرف النظر عن القياس.

المرة القادمة إن شاء الله نستكمل بالحديث عن بعض الدوائر المتكاملة.