شكرا أخى الكريم لهذه الكلمات الرقيقة و أود حقيقة أن أثبت الموضوع لكن للمنتدى سياسة جيدة للحد من عدد المواضيع المثبته لهذا فالمواضيع التى اكتبها تجدها فى الرابط الذى يشير إليه التوقيع "مقالات المهندس ماجد" أو يمكنك الإحتفاظ بالرابط باستخدام خاصية Bookmark او "الاحتفاظ" فى المتصفح
عادة انشئ مجلد جديد باسم المنتدى فى قائمة BookMarkأضع فيه الروابط التى أود الرجوع إليها ثانية

بارك الله فيك اخي الكريم

استاذي الغالي مهندس ماجد
انا اعرف كيفية توليد تردد معين واريد استخدامه في معرفة قيمه الهنري للملف
ما هو القانون المستخدم وكيفيه التوصيل
هذا هو اقتراحي
ولو هناك طرق احسن ياريت تتفضل بها
ولك وافر الشكر والتقدير

القانون هو معاوقة الملف بالأوم = 2 × 3.14 × التردد × الحث بالهنرى
و الدائرة هى أوم ميتر و لكن بدلا من البطارية نستخدم تردد مناسب

اشكرك استاذي
ممكن مثال بسيط لاني مش فاهم كيف يعمل الاوميتر في مثل هذة الحالة

هكذا فقط استبدل البطارية بمصدر متردد

قياس ترانزستورات FET,MOSFET
نعلم أن هناك نوعان من الأول MOSFET وهما العادى و المحسن Depletion, Enhanced بينما لا يوجد سوى نوع واحد "عادى" Depletion من الترانزيستور FET وهذا بالطبع لا يقصد به موجب أو سالب N,P type لأن اختلاف القطبية لا يؤثر على الأداء.
لمزيد من التفاصيل عن تركيب و أداء كل نوع يمكن الرجوع لهذه السلسلة

سلسلة تصميم الدوائر الإلكترونية

قياس FET ، سهل لأننا نعلم أن بين المصدر و المصرف أو المخرج Source, Drain مقاومة صغيرة و يجب أن تزداد بزيادة فرق الجهد بين البوابة و المصدر
أيضا بين البوابة والمصدر Gate / Source – و البوابة و المخرج Gate / Drain تجد ثنائى عادى يحدد نوع القناة – لو بوضع الطرف الموجب على البوابة يمر التيار يكون N- Channel والعكس بالعكس.
قد يكون من الصعب تحديد طرفى المصدر و المصرف أو المخرج Source, Drain و السبب أن بينهما قناة متصلة وهما من نفس القطعة و هو مغاير للترانزيستور العادى حيث الباعث من مادة تركيز شوائبها و أبعادها مخالفة للمجمع و أيضا بتوصيل الترانزيستور FET فى وضع مقلوب أى تبديل طرفى المصدر و المصرف أو المخرج Source, Drain سيظل يعمل ربما أقل جودة لكنه لن يتوقف مثل الترانزيستور العادى ثنائى القطبية الذى لن يعمل على الإطلاق.
بالنسبة لترانزيستور MOSFET فالأمر مختلف لأن النوع العادى ستجد بين المصدر و المصرف أو المخرج Source, Drain مقاومة تقل بوضع جهد على البوابة بينما النوع المحسن ستجد دائرة مفتوحة بين المصدر و المصرف أو المخرج Source, Drain و تقل المقاومة بينهما بوضع جهد بين البوابة و المصدر Gate – Source .
مشكلة ترانزيستور MOSFET أن البوابة معزولة عن باقى الترانزيستور لذا ستقيس دوما مالا نهاية وهو أمر إن لم تجده تتأكد أن الترانزيستور تالف لكن لو كان الطرف فعلا يقيس مالا نهاية، فربما لا تتأكد من جودة الترانزيستور.
لكن لحسن الحظ هناك حلا بسيطا و اختراع اسمه بطارية 9 فولت يمكنك استخدامها مع مقاومة على التوالى مثلا 1 ك إلى 10 ك و تقيس بين طرفى المصدر و المصرف أو المخرج Source, Drain ثم توصل البطارية بين البوابة و المصدر، إن كان الطرف الموجب على البوابة يسبب انخفاض المقاومة بين طرفى المصدر و المصرف أو المخرج Source, Drain كان الترانزيستور جيدا و ذو قناة سالبة N-Channel
عند التعامل مع MOSFET حاول أن تتحرى الحذر باستخدام نظام أرضى جيد و الحيطة أفضل من الندم رغم أننى لم استخدمها ولم أجد مشاكل.
للأمانة العلمية فغالبية القطع خاصة التى تتعامل مع القدرات العالية تضع وسائل حماية تقى المكون من التلف بواسطة الكهربية الساكنة Static Electricity ولكن قليلا و خاصة فى ترانزستورات مكبرات الترددات العالية و العالية جدا، بعضها لا يستخدم هذه الطرق حتى لا تؤثر على القيمة العالية جدا لمعاوقة الدخول ولا تزيد من قيمة السعة الشاردة لدائرة البوابة. هذه القطع و تعلم عنها من Data Sheet احترس و خذ حيطتك كاملة.

فى وحدات القدرة العالية من ترانزستورات,MOSFET البعض يضع جهدا بين البوابة والمصدر Gate / Source – فيجد أن هناك توصيل بين المصب و المنبع حتى بعد رفع هذا الجهد ثم يزول التوصيل بعكسه أى يستخدم آفو واحد طرفه على المصدر Source و يلمس بالطرف الثانى البوابة ثم ينتقل بالطرف الثانى فيقيس بين المصب و المصدر Source- Drainمقاومة قد تصل إلى صفر وهذا لأن البوابة تخزن الشحنة، ثم يعكس الأطراف و يلمس البوابة- المصدر Gate / Source ثم ينتقل لقياس المصب و المصدر Source- Drain فيجد المقاومة أصبحت وهذا لأن البوابة فرغت الشحنة.
أيضا هذا يعنى أنه يؤدى وظيفة لكن لا يمكن الحكم لأن MOSFET من مجموعة العناصر التى تحكم عليها بالآفو أنها تالفة لكن لا تستطيع الجزم بالآفو فقط بأنها سليمة، فالقصر بين طرفين يعنى أنه تالف لكن فى وحدات التغذية ذات القدرات الكبيرة Switching Regulators كانت وحدات الترانزيستور MOSFET تنجح فى كل الاختبارات و عند تركيبها تعطى الخرج تاما كاملا، لكن بمجرد التحميل (سحب تيار من الوحدة) يهبط جهد الخرج بصورة كبيرة ، و الحل هو التغيير بصرف النظر عن القياس.

المرة القادمة إن شاء الله نستكمل بالحديث عن بعض الدوائر المتكاملة.