بالنسبة لكلامك عن المقاومة الداخلية بين القاعدة والمشع دى بتكون فى حالة وجود اشارة متغيرة يعنى لما الترانزستور يشتغل مكبر وانا لقيت 0.026 موجوده فعلا فى احد المواقع

|
الف حمد وشكر لله مع اني كنت اتمنى تحكيلي انك وجدت ذلك في كتابك الجامعي الذي درست منه كان اطمئننت اكثر.
بس طبعا مش دى التى يسال عنها اخونا نايف لان واضح انه لسه فى البداية هو يسال عن المقاومة بين المشع والقاعدة فى حالة وجود الجهد المستمر
ودى عموما لاتقاس كمقاومة ولكن تقاس كجهد يستهلكه وصلة القاعدة مشع ويكون بين 0.6 الى 0.7 ولما يحب يقيس المقاومة التى تسبب هذا الاستهلاك للجهد يضع اميتر كما قلت على التوالى مع القاعدة لقياس تيار القاعدة ثم افوميتر على التوازى لقياس الجهد بين القاعدة والمشع ويقسم الجهد على التيار يطلع له المقاومة
وهى طبعا غير ثابتة لانها بتتغير مع تغير قيمة الجهد كانها دايود كما اوضحت فى الرسم
|
أولا: هناك ثوابت ومعلومات نهتم بها ونعرفها، وليس كل ما يخطر ببال احد الاخوة نجاريه فيه وكأنه اهم ما تجب معرفته، انا اصلا لو بعرف ان الاخ نايف كان هذا قصده وانه لا يعرف ان يضع اميتر لقياس تيار الباعث- لو كنت اعرف هذا ما شاركت بالموضوع!!! لماذا؟؟ هل ليس من حق الاخ نايف ان يسأل؟ طبعا بالتأكيد من حقه ان يسأل عن كل ما يخطر بباله، ولهذا وجد هذا المنتدى وامثاله. هل انني اتعالى- لا سمح الله عن الاخ نايف؟ حاشا كلا فان اكرمكم عند الله اتقاكم وما انا الا اصغر جندي في هذه الكتيبة. اذن لماذ؟ (ههههههههههه دوشتك) لانني لا استطيع، الرجل يعترف انه دون المبتدئ وانا لا اجد الاسلوب وسنفقد حلقة الاتصال من اول عبارة، لذا (ههههههه) اتركه لك يا بن اخي فانت الاقدر على التواصل بارك الله فيك.
ثانيا: الافضل من كلمة الاستهلاك في الجهد ان تقول الهبوط في الجهد.
ثالثا: ما دمت تعرف انها غير ثابتة، وانها لا لزوم لمعرفتها من الاساس فكان الاولى ان توجه الاخ نايف وتخبره بذلك بدلا من ان تجعل الرجل يدوخ السبع دوخات على شي مش مهم اساسا، ثم يستنزف طاقاته وقدراته في شيء يستحق.
اما بالنسبة لموضوع التشبع فلايحدث بسبب كبر تيار القاعدة فقط لان تيار القاعدة لايسبب وصول الجهد بين المجمع والمشع الى الصفر فقط ولكن هناك سبب اخر وهو مقاومة حمل المجمع فقد يعمل الترانزستور عند تيار قاعدة معين فى منطقة التشغيل وعند زيادة مقاومة المجمع يدخل منطقة التشبع
لان القانون الذى يحكم العلاقة بين VCE وتيار المجمع بيدخل فيه مقاومة المجمع كما تعلم
VCE =VCC -IC *RC
وعليه كلما زادت مقاومة الحمل RC او المجمع قل الجهد بين المجمع والمشع ودخل الترانزستور الى منطقة التشبع
يعنى ممكن تلاقى الترانزستور عند نفس تيار القاعدة شغال فى منطقة التشغيل وايضا فى منطقة التشبع نتيجة للفرق بين المقاومتين كما فى الصورة

فكلما زادت مقاومة الحمل او المجمع اقترب خط الحمل من الخط الافقى
وكما هو واضح بالخط الاحمر الدائرة لها نفس تيار القاعدة ولكن لاختلاف مقاومة المجمع اختلف تيار المجمع ودخل الترانزستور منطقة التشبع عند نفس تيار القاعدة
|
كلامك اعلاه معظمه صحيح باستثناء الملون باللون الاحمر، حتئولي: ليه يا عم؟ حرد عليك قائلا: يا ابن اخي تيار الاشباع يكون هو اقصى قيمة لتيار المجمع في دارة معينة وعليه عند التشبع تكون مقاومة الترانزيستور اصغر ما يمكن والترانزيستور بيكون fully conductive
الان كل كلامك يا عزيزي يتمحور حول استخدام الترانزيستور كمفتاح وهو استخدام مشهور ومعروف وسهل، انا كنت اتكلم عن التشبع في استخدام الترانزيستور كمكبر، وهو الاهم والذي اعتقدت ان من سيسأل سيسأل عنه.
ألم تصمم دارة ترانزيستور وتحصل على تشوه في الاشارة الناتجة على شكل قص من اعلى ومن اسفل؟ 100% شاهدت ذلك فانا اعرفك "بتضل تفحر لحد ما تصل لقاع القاع"
الان الاشارة الناتجة اذا كانت مأخوذة من المجمع -كما تعرف بالتأكيد - تكون مقلوبة اي 180 degree out of phase ، القص في نصف الموجة السفلي (الذي هو يمثل النصف العلوي لاشارة الدخل) يكون بسبب دخول الترانزيستور منطقة التشبع، والتشوه السفلي كما تعلم يكون بسبب دخول الترانزيستور منطقة القطع (الأُف)
كيف دخل الترانزيستور الى منطقة التشبع في الجزء العلوي من الاشارة الداخلة؟
هناك عدة اسباب انا ذكرت لك احدها والذي يتمثل في وصول قيمة جهد اشارة الدخول الى الحد الذي لا تستطيع البطارية امدادة فيقف عند ذلك الحد
ولان الترانزيستور بي جي تي هو عنصر يكبر تيار فيمكنني حساب تيار القاعدة المتردد بمعرفة معاوقة الدخول re التي تحدثت عنها في اول مشاركة وجهد الاشارة المترددة
من الاسباب الاخرى التي تجعل الترانزيستور (كمكبر) يدخل الى منطقة التشبع: التصميم الخاطيء والذي يقرر معامل كسب جهد اكثر مما يستطيعه الترانزيستور ولك ان تتصور باقي العوامل الاخرى
الان لو فيه مقاومة باعث سيدخل الترانزيستور منطقة التشبع مبكرا عنه في حال عدم وجودها
العوامل كثيرة ومتشابكة
يعنى من الاساس اختيار نسب المقاومات فى صورة اخونا نايف اختيار خاطئ
ولاحظ معايا قيمة الجهد بين المجمع والمشع عند نفس تيار القاعدة فى الصورتين اسفل ولكن عند مقاومتين مختلفين
هنا يعمل الترانزستور فى منطقة التشغيل عند مقاومة 34 اوم

وهنا يعمل فى منطقة التشبع عند نفس تيار القاعدة ولكن عند مقاومة 100 اوم
|
انا متفق معك كليا في قضية قيم المقاومات فلو كان التصميم هكذا بوضع قيم متساوية لهان الامر
الصور لا تظهر عندي وانا اعتقد اننا لسنا مختلفين في القضية فانت تعرف انني اعرف ما تقول نسبة الى الترانزيستور كمفتاح، وانا اعرف انك تعرف ما قلته عن الترانزيستور كمكبر والنتيجه تعادل يا بن اخي والحمد لله ان القارئ كان المستفيد الاول
تحياتي