|
:: نائب المشرف العام ::
تاريخ التسجيل: Jun 2009
الدولة: القاهرة - مصر
المشاركات: 11,652
|
|
نشاط [ ماجد عباس محمد ]
قوة السمعة:
|
|
13-08-2017, 10:59 AM
المشاركة 32
|
|
نقاط يجب أن نراعيها فى عائلة المتكاملات 211x:
أهم شيء للتعامل مع هذه النوعيه هى حساب مكثف التهيئة Bootstrap Capacitor و قد جمعت الشركة المنتجة كافة المعلومات الهامة و السابق ذكرها فى ملف ملاحظات تطبيقية Application Note رقم AN-978 وهذا رابطها
https://www.infineon.com/dgdl/an-978...53559f7cf21200
طبعا إضافة للداتاشيت الخاص بكل متكاملة.
المكثف مسؤول (مع باقى دائرته ) عن توفير التغذية للجزء العالى من المتكاملة لكن لحسن الحظ فالجهد عليه لا يزيد عن قيمة تغذية جهد البوابة Vcc , و للسهولة ، هذه هى الدائرة مرة أخرى مع بعض الإيضاحات، فالمكثف الخاص بدائرة التهيئة بالللون الأحمر – الدايود باللون الأخضر.

قيمة هذا المكثف تعتمد على خمسة عناصر وهى:
1- الفولت المطلوب لبوابة القطعة 5 فولت أو 10 أو 15 حسب ما تريد (سواء كانت موسفيت أو IGBT ).
2- قيمة التيار الساكن (الثابت) لتغذية دائرة الجانب العالى . ورمزه IQBS
3- التيارات فى منطقة رفع الجهد من المتكاملة.
4- تيار التسريب بين البوابة و الباعث للقطعة.
5- تيار تسريب المكثف ذاته ( فقط لو كان مكثف كيماوى ، ولا يحتسب لو من أنواع أفضل)
لهذا فالقيمة الصغرى لهذا المكثف تحسب من المعادلة

حيث:
Qg = شحنه بوابة القطعة فى الجانب العالى
التردد المستخدم = f
تيار التسريب للمكثف- لو كيمائى = Icbs(leak)
التيار الأقصى للجهد العالى = Iqbs(max)
مصدر التغذية لدوائر التحكم – المنطق – فى الدخول = Vcc
الهبوط فى الجهد عند التوصيل الأمامى لدايود التهيئة =Vf
الهبوط فى الفولت على موسفيت الجانب المنخفض او الحمل =Vls
أدنى فرق جهد بين تغذية الجهد العالى و الحمل =Vmin
اللشحنة المطلوبة لمرحلة رفع الجهد لكل دورة = Qls
وهى تقريبا 5 نانو كولوم للوحدات 500ف / 600 فولت و 20 نانو كولوم للوحدات 1200 فولت
الدايود باللون الأخضر يجب أن يتحمل الجهد الواقع عليه و غالبا الجهد العالى و تياره يساوى حاصل ضرب شحنة البوابة فى التردد المستخدم وهو لوحدات مثل IRF450 على تردد 100 ك هرتز يكون التيار حوالى 12 مللى أمبير.
الملف فى الرابط السابق أيضا يتحدث عن الفقد فى الطاقة نتيجة التقطيع وهى تقرب من نصف وات ولكن تزداد بزيادة عدد الوحدات فكل وحدة لها سعة دخول بين البوابة و المصدر Gate/Source و سعة ميللر بين الخرج و الدخل يجب التغلب عليهم..
لتجنب اهتزاز الدائرة و تعرضها لنبضات سالبة أعادت الشركة رسم الدائرة مع وضع الحث الناتج من الاسلاك و التوصيلات و الحمل ذاته أيضا وهى المشار إليها بالأسهم الزرقاء. - تذكر أنها ليست ملفات تمت إضافتها فيمكن بالتالى حذفها.

و لمعالجة هذا الأثر يفضل رفع قيمة مكثف التهيئة CB باللون الأحمر أكثر من 0.47 ميكرو و ذلك سيفرض استخدام مكثفات كيماوية لذا يجب أن يكون أحدها على الأقل له معامل جودة عالية و المسمى بذو مقاومة توالى صغيرة Low ESR و نضع مكثف آخر C1 (باللون الأخضر) على التغذية المنخفضة على الأقل 10 أمثال مكثف التهيئة السابق و أيضا أحدها على الأقل له معامل جودة عالية و المسمى بذو مقاومة توالى صغيرة Low ESR و يجب مراعاة توصيل هذه المكثفات أقرب ما يكون لأطراف المتكاملة (تذكر ما سبق شرحة فى القنطرة).
جدير بالذكر أن زيادة عدد الوحدات (موسفيت أو IGBT على التوازى لزيادة الحمل) يتطلب زيادة قدرة الخرج لدرجة أنك قد تضطر لإستخدام مرحلة موسفيت لقيادة وحدات الخرج.
أعلم أنك ستحتج لأن دخل الوحدة موسفيت أو IGBT هو مقاومة عالية جدا لكن ليس المهم إمداد البوابة بالتيار لكن المهم هو شحن السعات بين البوابة و المصدر/باعث بالسرعة الكافية للفتح السريع و الغلق السريع و إلا فلن تستجيب الوحدات بالسرعة المطلوبة.
إرجع للوثيقة السابق الإشارة إليها.

لو تريد تشغيل أكثر من وحدة معا لمزيد من التيار مثلا ثلاث أو أربع موسفيت / IGBT على التوازى فإن سعات البوابة/باعث (باللون الأخضر) للوحدات ستتراكم و تسبب بطء فى الإستجابة كما أن سعة ميللر miller capacitor و التى تربط بين خرج أى مكون و دخله (هنا بين المصب و البوابة باللون الأحمر لكونها الأخطر) ستنقل نبضة من الخرج للبوابة عند غلق الوحدة مسببة إعادة فتحها عنوة أو ببساطة يدخل فى الإهتزاز.
الحل هنا أن نزيد من قدرة خرج المتكاملة للتغلب على محدودية قدرة الخرج و عدم صغر معاوقة الخرج لها بالقدر الكافى.
هنا نضيف عازل Buffer من زوجين موسفيت أو أكثر كما فى المرة القادمة بإذن الله
|