 |
|
|
|
|||||
100Watt-D
 الدائرة المرفقة لتوضيح الفكرة أكثر من التطبيق الفعلى و لهذا وضع مولد الموجة المثلثة كمربع ولكنه متصل بكل من +/- 15 فولت وهذا لسبب وهو التعريف بأن الخرج +/- فولت متماثل حول الصفر قد يكون +/-12 فولت مثلا لكن لن يكون من صفر إلى +15 يغذى الموجة المثلثة إلى مقارن وهو هنا 306 أى رقمه LM306 و كما سنعلم لاحقا كل مقارن لابد من توصيل مقاومة له إلى +VCC أما باقى المقاومات فهى لتحقيق الخاصية المكتوبة Hysteresis وهى كما سنعلم لاحق إن شاء الله أيضا لجعل الانتقال من – إلى + والعكس ناعما وإلا ستحدث اهتزازات وتخرج عدة نبضات بدلا من واحدة. بعد المقارنة مع الصوت الداخل كما بالرسم تخرج النبضات كما بالرسم ذات عرض متغير حسب قيمة جهد الصوت كما شرحنا المرة السابقة. هذا الخرج يدخل الترانزيستور 2N4403 من الباعث E و يخرج من المجمع C ولكن النبضات أصلا كبيرة تقارب 30 فولت من القمة للقمة لذا لا نحتاج لتكبير! هذا حق ولكن سيحدث هنا شيئين الأهم :لاحظ أنه بين -45 فولت و الخرج لذا سيتم تحويل الإشارة من +/- 15 إلى +15/-45 فولت وهو ما يسمى بتغيير المستوى Level Shifting ليناسب الترانزيستور الموسفت الأسفل الإشارة تخرج من هذا الترانزيستور لطقم يعمل دفع وجذب Push-Pull وهما 2N4400,2N4403 و المقاومة 100 أوم الشهيرة لبوابة الموسفت. نأخذ من الخرج و الموضوع على البوابة و نعكسه بترانزيستور موسفت آخر 2N6658 وهو العاكس المذكور فى المرة السابقة - لتغذية الترانزيستور العلوى طبعا بعد ذلك نأخذ الخرج للمرشح المذكور وهو هنا مرحلتين ملف/مكثف و المقاومات 22 أوم لإخماد أى اهتزاز فيهما و من الخرج نأخذ التغذية العكسية Feedback هنا مكثف 2 مايكرو مكتوب عليه Boot Strap وهو فقط لحظة فتح الجهاز. عندا سيكون الجهد علية = صفر مما يجعل الترانزيستور العلوى مغلقا حتى يشحن وهذا يمنع أن يكون الترانزستورين مفتوحين قبل استقرار الدائرة فيحدث قصر على التغذية و أيضا يقلل من أن يفتح وحيدا عند البدء فيضع التغذية على السماعة إما تحترق أو يسبب صوتا ضخما لحظيا. المرة القادمة إن شاء الله سنتناول آخر دائرة وهى 200 وات طراز G |
| اعلانات |
|
|||||
|
|
| اعلانات اضافية ( قم بتسجيل الدخول لاخفائها ) | |
|
|
|
|||||
|
|
|
|||||
|
|
|
|||||
|
|
|
|||||
200Watt-G.png
 كما عرفنا طبيعة الموسيقى، المشكلة الرئيسية هى الترددات المنخفضة لأن الترددات المرتفعة تعوضها زيادة كفاءة السماعات كما أن هناك وسائل أخرى توائم جيدا هذه الترددات مثل سماعات البلورات الكهرو ضغطية Piezoelectric Tweeters و تجهيزها ببوق مناسب يحسن من كفاءتها. أيضا نذكر أن الترددات المنخفضة تحدث على فترات قليلة من الموسيقى بينما الترددات المتوسطة والعالية تحدث معظم الوقت. لنحد المشكلة بصورة أدق نقول أننا لو زودنا مصادر التغذية لتناسب الترددات المنخفضة، تكون فاقد بالنسبة لباقى الوقت و أن قللناها لتناسب الترددات المتوسطة لن تكفى للترددات المنخفضة، لذا نشأت الفكرة أن نستخدم جهد للترددات المتوسطة والعالية وآخر أعلى ليخدم هذه اللحظات الأقل زمنا من التردد المنخفض. والفكرة ببساطة استخدام ثنائيات تمد عند اللزوم (جزء من الذبذبة ) ثم تغلق باقى الوقت، لذا يجب أن تكون سريعة القطع حتى لا تسبب هى مشاكل وتشويه للخرج. بالرجوع للدائرة سنجد أن معظمها سبق أن تعرضنا له ولا يوجد شيئا جديدا هنا سوى فى مرحلة الخروج. تدخل إشارة الصوت من أقصى اليسار فى الطرف المسمى IN خلال المكثف 1ميكرو من طرفه السالب إلى قاعدة Q1 وهو مع Q2 أرقام 2SA872 يشكلان مكبر تفاضلى. المقاومة 22ك تحد تيار الدخول و 56ك لتوفر مسار تيار القاعدة للأرضى (صفر فولت). الخرجين على مقاومتى المجمع كل منهما 18ك . أول خرج من مجمع Q1 Collector يذهب إلى قاعدة Q5 والثانى إلى قاعدة Q3 ، وهما يشكلان مكبر تفاضلى آخر. نفس فكرة مكبر 100 وات السابق الذى بدأنا به. فقط استبدلنا مقاومة المجمع بمصدر تيار ثابت. الترانزيستور Q5 له مقاومة مجمع Collector Resistor مكونة من Q6 و الترانزيستور Q3 له مقاومة مجمع Collector Resistor مكونة من Q4 و كل من Q4,Q6 له مقاومتان 68ك لتوفير جهد التشغيل له. نفس فكرة المكبر 100 وات الأول سنجد أن خرج Q3-Q4 يذهب للترانزيستور عاكس الوجه Q8 والذى يعمل مع الثنائى D1 كمصدر تيار ثابت و التيار فى D1 هو نفسه تيار Q8 أما Q7 فيشكل مصدر تيار ثابت بمقاومتين 68ك . هنا سنجد نفس فكرة المكبر السابق 100وات نجد أن مجمع كل من Q7,Q6 بينهما جهد ثابت يتأرجح مع الإشارة بين +106فولت و -106فولت للتغذية العالية. نلاحظ أن مرحلة الخرج تتكون من 2 ترانزيستور من نوع دفع وجذب Push-Pull و أرقامهما 2SD752,2SB722 وهما مع التغذية المنخفضة +/-44فولت من خلال ثنائيات U06C السريعة و على التوالى معهما HSB401A,HSB402P للجهد العالى +/-104فولت. لاحظ أن قاعدة Q9 غير متصلة بأى جهد انحياز، لذا يظل مقفل Off ولهذا لا يقدم أى جهد لفتح Q10 والذى بدوره يظل مغلقا Off و أيضا Q15 مع Q16 نفس الشيء. عند زيادة جهد الإشارة عند مجمع Q7 Collector يبدأ بفتح Q11 والذى يفتح بدوره Q12 إلى أن يزيد عن حد المصدر الصغير يبدأ جهد الإشارة من خلال الثنائى 1S562 بين Q7,Q9 فى إمداد قاعدة Q7 بتيار قاعدة فيبدأ فى التوصيل وهو تابع باعث Emitter Follower فيكون نفس الجهد تقريبا على باعثه E والذى ينتقل لبوابة Gate الترانزيستور Q10 فيبدأ فى التوصيل ممدا الخرج بطاقة أكبر التغذية الخلفية السالبة لتقليل التشويه وتحسين الأداء يأتى من الخرج إلى قاعدة Q2 عبر 56ك، 27ك و المكثفات أيضا لتحسين النطاق الترددى. المكثف C1 مع R1 يشكلان مرشح فك ترابط De-coupling Filter حتى لا تؤثر التيارات الكبيرة فى مرحلة الخرج من الدخول لمرحلة المكبر Q1,Q2 و مثلهما على الجانب السالب R3,C3 ونلاحظ أن جهدهما عالى 150فولت ثم يلى ذلك على الجانب الموجب فقط مقاومة R2 82ك و زينر 15فولت لتحديد جهد هذه النقطة عند 15 فولت لأن دائما وصله القاعدة/باعث Base – Emitter لا تتحمل جهدا عاليا مهما كان الترانزيستور قادر على التحمل. مكثف C2 للتخلص من ضوضاء الزينر. الآن وبعد كل هذا الحوار؟ كيف أختار بديلا للترانزيستور؟!! حسنا فليكن هذا موضوعنا المرة القادمة إن شاء الله |
|
|||||
|
اختيار البدائل Transistor Substitution
اختيار البدائل Transistor Substitution فى كل منتدى هناك من يستغيث طلبا لبرنامج بدائل للترانزيستور، وهناك من يدفع المئات لقاء طقم كتب البدائل، بعد هذا يتعامل معه كجداول اللوغاريتمات قالت كذا فهى كذا بدون حتى أن نفهم ما تقوله هذه الكتب، لا نأخذ فى الاعتبار أنها تقول صراحة هناك المئات بل الألوف غير هذا البديل لكن المجال لا يسمح لذكرهم و نجعل منه وسيلة تقييد بدلا من وسيلة إعطاء المجال والحرية للاختيار. هنا سنحاول أن نفهم على أى أساس نبنى الاختيار – لعل الأمر يصبح سهلا فمما لديك تعرف أيها تستخدم. أولا : استخدم نفس النوع طبعا ليس منطقيا أن يتلف ترانزيستور FET و أبحث عن بديل من النوع العادى ثانيا : استخدم نفس الخامة لو كان لديك ترانزيستور جرمانيوم – استبدله بمثيل و ليس من السيليكون تحت دعوى أن السيليكون أفضل حقيقة أنه أفضل لكن قد تحتاج لإعادة تصميم الدائرة هيه ألم تقل أن الكسب لا يعتمد على خواص الترانزيستور؟!! أجل ولم أقل أن جهد القاعدة لا يعتمد على قيم المقاومات، كما أن المعادلة التى استخدمناها لحساب مقاومة القاعدة – باعث والتى حسبنا بها الكسب كانت للسيليكون فقط ثالثا :استخدم نفس نوع التطبيق. فى صفحة الخواص تجد التطبيقات المقترحة للاستخدام مثل تطبيقات استخدام عام أو الصوت، التردد العالى، التردد العالى جدا ، مفتاح أو سويتش، مكبر قدرة الخ حاول أن تلتزم بالتطبيق قدر ما تستطيع و الخلاف هنا للأعلى أفضل مثلا تريد مذبذب محلى للراديو ، قد تجد مثلا ترانزيستور HF أو آخر VHF لا بأس لكن لا داعى لاستخدام UHF مثلا رابعا : استخدم نفس الفولت أو أعلى مثلا لو الترانزيستور المستخدم BC338 ستجد أنه مثيل BC337 ولكن الأخير يتحمل 40 فولت بدلا من 25 إذن لا بأس. لا تستخدم أخر 300 فولت مثلا لأن كما قلنا  تقل عند الجهد العالىخامسا : استخدم نفس التيار أو أكبر نفس ما قيل عن الفولت يقال عن التيار وسادسا : تأكد من التردد ولا تعتمد كليا على نوع التطبيق و ستجده تحت بند Ft وتذكر بالميجا هرتز فمثلا لو كان لديك فى التطبيق سويتش قد تجد ترانزيستور يصلح حتى 1 ميجا والآخر 10 ميجا وثالث حتى 100 ميجا. هناك طبعا استثناءات فلو تأكدت أن التغذية فى الدائرة 12 فولت ولا مجال لزيادتها لأى سبب و كان الترانزيستور المستخدم BC337 فى هذه الحالة لا مانع من استخدام BC338 الأقل فى الفولت أحيانا يستخدم المنتجون أرقام لأنها موجودة بالمخزن وليست لأنها الأنسب ففى المثال السابق شراء BC338 سيكلفه إنفاق مال أما BC337 فهو موجود بالمخزن حتى لو زاد قليلا فى السعر فالمال الراكد يمثل خسارة المرة القادمة إن شاء الله نتكلم عن موضوع آخر كالملح فى كل وجبة وهو Noise and distortion الخلاص من الضوضاء المتولدة فى المكبرات و تفادى تشويه الإشارة فى المكبرات |
|
|||||
|
|
