بسم اله الرحمن الرحيم
انا اخوك علاء طالب بكلية الهندسة الاليكترونية بمنوف الفرقة الثانية
السؤال جميل جدا والرد عليه محتاج ايام بس علي سبيل الاختصار:-
ا-سبب الاختراع:-
تم اختراعه بسبب عيوب الصمامات المفرغة من استهلاك عالي للقدرة وانعدام الجساءة الميكانيكية وايضا كبر الحجم والوزن
وقد ظهر اول تطبيق له في الحرب العالمية الثانية
ب- انواعه:-
يمكن تقسيمه من حيث الانواع الاساسية كما يلي:-
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR BJT
او الترانزيستور ثنائي الوصلة وينقسم الي نوعين وهما:-
NPN,PNP
والنوع الاول NPNهو المستخدم في معظم التطبيقات بسبب ان حاملات الشحنة الرئيسية فيه هي الاليكترونات وهي تتميز بالسرعة في الحركة خلال مادة شبه الموصل لذلك يستخدم في تطبيقات الفتح والغلق"SWICHING"والتطبيقات الاخري التي تتطلب زمن تاخر"DELAY TIME"صغير جدا
والنوع الثاني PNPتكون حاملات الشحنة فيه هي الفجوات او بمعني اخر الايونات وهي الذرة التي تفقد اليكترون ولا يستخدم بكثرة حيث ان امكانية الفجوة علي الحركة تكون بسرعة اقل بكثير من الاليكترونات "الثلث تقريبا"
ويشتركان في ان لكل منهما ثلاث اقطاب هي القاعدة"BASE"والباعث"EMITTER"والمجمع"COLLECTOR"ولك ن يختلفان في التغذية حيث انا الباعث في النوع الاول يتصل بالارضي او بجهد سالب بينما في النوع الاخر يتصل بجهد موجب اذا اتصل المجمع بالارض او بالارض اذا اتصل المجمع بجهد سالب بينما الطرف الثالث او القاعدة فانه يمثل طرف الدخل ويتحدد علي ساسه منطقة عمل الترانزيستور اذا كانACTIVE,SATURATION,CUT OFF
وطبعا هذه المناطق تحدد التطبق الذي يستخدم فيه الترانزستور وشرحها يطول وان شاء الله ساحاول شرحها لك ولكن ليس الان كي لا اطيل
FIELD EFFECT TRANSISTOR FET
وهو النوع الثاني من انواع الترانزستور ولكنه يختلف قليلا عن النوع الاول وينقسم الي عدة انواع منها:-
JFET or JUNCTION FILED EFFECT TRANSISTOR
ويعتمد تشغيله علي وجود وصلة واحدة من شبه الموصل متصلة بجزء اخر معدني يتحدد علي اساس المجال المطبق عليه منطقة عمل الترانزستور
MSFET or METAL SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR
وتشغيله مشابه للنوع السابق مع بعض الاختلافات في التطبيق
MOSFET or metal oxide samiconductor field effect transistor
وهو اهم هذه الانواع لانه يعتمد علي وجود طبقة اكسيد بين شبه الموصل والمعدن وهي التي تجذب الاليكترونات او الفجوات من باطن شبه الموصل الي حدود طبقة الاكسيد وعليها يتحدد كمية التيار المار
وايضا هذا النوع هو اساس علم تكنولوجيا تصنيع الدوائر المتكاملة ذات التدريج متعاظم الصغر اوVERY LARG SCALE INTEGRATED CIRCUITS TECH VLSI
وعموما انواع الترانزستور ذات التاثير المجالي تنقسم الي نوعين وهما :-
N CHANNEL FETs
والتي يكون فيها شبه الموصل من النوع p typeتحت السطح المعدني بينما الاطراف الاخري يكون من النوع n type
P CHANNEL FETs
وهو عكس النوع السابق من حيث نوع شبه الموصل
واقطابه هي:-
source:-وهو الذي تتجه اليه الالليكترونات او الفجوات عبر القناة وهو يعمل عمل الباعث في نوع ثنائي الوصلة
drain:-وهو الذي تنطلق منه الاليكترونات او الفجوات وهو يعمل عمل لبمجمع في النوع ثنائي الوصلة
gate:-وهو قطب التحكم او الدخل حيث يتحدد علي اساسه منطقة عمل الترانزستور وهو يعمل عمل القاعدة في النوع الاخر
والفرق الرئيسي بين ترانزيستور التاثير المجالي وثناءي الوصلة ان الاول يعتمد علي الجهد المطبق علي البوابة gateلانتاج المجال المطلوب للتشغيل بينما النوع الاخر فيعتمد علي التيار المار في القاعدة لانتاج ظروف تيار المجمع المطلوب
وذلك بافتراض صحة ظروف التشغيل واتجاه التيار التقليدي وليس الحديث
وللترانزستور من النوعين تطبيقات عديدة مثل مفاتيح التحكم swichesوايضا مصدر الجهد الثابتconstant current sourceوهذا كله يتبع التيار المستمر اوdirect currentولكن المكبرات سواء كانت مكبرات جهد او تيار فانها تعمل علي ac or alternating currentوهو التيار المتردد
وهناك الكثير والكثير من التطبيقات التي يطول شرحها ولكني اكتفي بهذا واتمني ان اكون اختصرت واتيت ببعض والمطلوب
اخوك علاء فؤاد واي طلب اخر في اي شيء مما يتبع الاليكترونيات او مجال الدراسة افيدك فيه باذن الله وعذا هو عنوان البريد الاليكتروني الخاص بي
twinkees086_fee*yahoo.com
والله الموفق
بسم الله الرحمن الرحيم
"وجعلنا فوق كل ذي علم عليم"
صدق الله العظيم
