تكمله للحوار السابق
بحثت للدائره وبعد لاي وجهد وجدها هذه الدائره صممتها سنه 2006 وحاولت كثيرا ولم تنجح بشئ
اكثر مدي هو 200 متر اكثر تقل القيمه وهاهي الصوره لكل من قال ينفع التوصيل علي التوازي علي مكبرات ال RF


المفترض الدائره تعمل بقدره 3 وات علي راي الاستاذه نهي



ومن الغريب الاستاذ هلال ظل صامتا في هذا الرأي ولم اشاهده
يشترك مع الاساتذه في الحوارات

بعضكم يقول ينفع وبعضكم يقول لا ! وكل واحد ممكن يكون رأيه صحيح لكن على حد قصده وأحب أن أوضح أنه ينفع فى بعض الحالات ولا ينفع فى البعض الآخر فهذا يتوقف على استخدام الترانزستور ونوعه ، فمثلا يمكننا استخدام الترانزستور كسوتش ويمكننا استخدامه كمكبر أو كعاكس إشارة أو عازل للإشارة أو كمنظم للجهد أو كمذبذب مع ملف أو غير ذلك ففى بعض الحالات ينفع وبعضها لا ينفع لأن الترانزستور مهما تشابه مع الآخر من حيث الموديل تماما و من نفس المصنع فلن يتطابقا أبدا ولنا مثال وهذا معروف لكل من درس تركيب العناصر الإلكترونية ولنا مثال على ذلك وهو الدارة النطاطة أو اللا مستقرة إذا استخدمنا ليدان نجد أحدهم هو الذى يبدأ الإنارة قبل الآخر وفى كل مرة عند بداية التشغيل نجده هو الذى يبدأ الإنارة والسبب هو الترانزستور فإذا قمت بتبديل الترانزستورات عدة مرات بترانزستورات أخرى تجد إختلاف الترانزستور البادئ لكنه ثابت والسبب يرجع لعدم تطابق ذرات المادة الشبه موصلة التى صنع منها الترانزستور ، وعلى هذا إذا استخدمنا مثلا الترانزستور كمفتاح بطريقة معينة يمكن إذا بدأ بعملية الإشعال أسرع من الترانزستور الذى وصل معه على التوازى يعمل هذا كأوفر لود على الترانزستور الثانى ولو لزمن بالمايكرو ثانية مما يقصر من عمر الترانزستور الأول فإذا تلف من هذه العملية فيتلف الترانزستور الآخر فى الحال

هذا للإيضاح

وشكرا

هو عنده حق انا جربتها فلم تنجح
كمبر عاليه جدا وزي الفل
لكن لاترسل علي الاطلاق

أين المخطط أو ما هو المشروع المطلوب لننظر كيف يمكن حل مشكلتك ؟

الإخوة الأفاضل
حينما نصمم دائرة قد يكون لك رأى مخالف لرأى و هكذا لكن فى الحقائق العلمية هناك اثباتات ولا آراء
حينما قلت أنه لا يصلح فهذا بناء على قاعدة علمية ومذكورة فى كتب الترانزيستور و مذكور علاجها أيضا ولا فضل لى فى ذلك ولكن اعرضها لعموم الفائدة

لو نظرنا للرسم العلوى فعند تشبع الترانزيستور تقول كتب الدراسة أن جهد التشبع 0.2 فولت وهو مبنى على أساس نظرى بحت لكن اختلاف نسب الشوائب واختلاف درجة الحرارة و خلافه قد يجعل أحدهما فعلا عليه 0.21 فولت بينما الآخر 0.18 فولت ولو رجعنا للداتا شيت لأى ترانزيستور قدرة عالية مثل 2N3055 قد تجد أن هذا الجهد يصل لأكثر من فولت كامل و يتأثر كثيرا بقيمة تيار القاعدة
لهذا فتيار الحمل القادم من أعلى سينقسم لتيارين يعتمد كل منهما على جهد الترانزيستور وهذا يسبب أن التيار فى الترانزيستور 0.18 أعلى من الآخر بنفس النسبة
الحرارة المتولدة تتناسب مع مربع التيار مما يجعل هذا الترانزيستور يسخن أكثر من غيرة وهذه السخونة تزيد التيار الأساسى المسمى Intrensic Current أى تيار مادة شبة الموصل الأساسية والتى تسبب زيادة بنفس التسبة لكل تيارات الترانزيستور الأخرى مما يجعل الجهد ينخفض أكثر ويزداد التيار أكثر وهكذا حتى يمر كل التيار فية مدمرا نفسه وهى ظاهرة معروفة فى أشباه الموصلات بظاهرة احتضان التيار Current hogging
http://en.wikipedia.org/wiki/Thermal_runaway
لعلاجها توضع مقاومة صغيرة فى دائرة الباعث فعند زيادة تيار أى ترانزيستور يزيد الجهد على المقاومة المتصلة فتقلل انحيازة أو فى دائرة المجمع فتكون هى منظمة التيار وليس الترانزيستور
فى دوائر التردد سواء العالى أو المتوسط يمكن جمع الترانزيستورات لأن الحمل هنا ملف فلو أردنا 3 ترانزيستورات كما بالرسم السفلى نضفر ثلاث أسلاك (مبينة بالألوان الثلاث) معا و نلحم اولهم معا ثم نبدأ بلف الملف الإبتدائى للمحول (عادة ستكون دائرة خرج وإما محول مزدوج أو ذاتى) و الطرف النهائى يتصل بالترانزيستورات بأطوال سلك متماثلة لتحقيق التماثل التام فالربط هنا بالمجال المغناطيسى ولا يصلح أن تلف الملفات الثلاثة فوق بعض
هذا الشرح لعله يفيد فى توضيح الأمور فى كيفية استخدام المكونات
وحتى لا يقال أننى قلت لا يصلح ثم عدت لأقول يصلح
التوصيل على التوازى بمعنى باعث لباعث - قاعدة لقاعدة - مجمع لمجمع تتلف الترانزيستورات
يجب استخدام مقاومات أو اى طريقة لضمان توزيع التيار بالتساوى بينهم
لدينا محطة رادار تتكون مرحلة الخرج من 10 لوحات كل منها تحتوى 4 موديول خرج بكل موديول 4 ترانزيستور قدرة على تردد 3 جيجا هرتز و تجمع القدرات منهم جميعا للهوائى لحظة الإرسال

يتضح من خلال ما تفضلتم به و من خلال تجربة الاخت نها ان العملية ناجحة في التكبير و لا تنفع في الارسال .
فهل يعني هذا انها لا تنفع في الترددات العالية فقط ؟

السلام عليكم


هذه الطريقة( ربط الترنزيستوات بالتوازي) معمول بها و في العديد من المجالات
و خاصة في مكبرات الصوت (منطاربو 458) مثلا تركب 8 ترنزيستورات بالتوازي و
بالطبع لابد من تركيب مقاوم ضعيف على الباعث. حتى في التلفزيون البلازما
موجود العديد من الترنزيستورات المركبة بالتوازي ...

بسم الله الرحمن الرحيم

والصلات والسلام على سيدنا محمد صلى الله عليه وسلم
وبعد :-


اخواني الأعراء انني ارى ان بعض الاخوة يجيبون بتسرع ، لكن هذا الموضوع مهم لنا خاصة ان معظم هذه الترانزستورات ممنوعه ، لذلك اقول يمكن توصيل الترانزستورات على التوازي في دوائر RF فأنا أقول ذلك من خلال تجربتي الشخصية ، فقد قمت بتجميع عدة دوائر RF خاصة دوائر ارسال FM فقد انهيت قبل قليل تجميع دائر ارسال FM بقدرة 6 واط ولم استخدم فيها سوى ترانزستور 2N2222 وهو ترانزستور قدرته اقل من 0.8 واط ولكن هناك مشكلة بسيطة تواجهكم في هذا العمل يجب مراعاتها وهي ان الترانزستور الأول سيقوم بسحب تيار اكثر من غيره لذلك نقوم بوضع مقاومة له على المشع حوالي 2 اوم ومن ثم ستنتقل المشكلة للترانزستور التالي لذلك نقوم بوضع مقاومة لكل ترانزستور ( انني اقوم بتحديد قيمة المقاومة من خلال استخدام قياس التيار المستمر عبر المشع وضبط المقاومة لأقصى تيار يتحمله الترانزستور ) *** المقاومة عادة تتراوح 0.25- 15 اوم . وهناك مشكلة اخرى انك تحصل على قدرة = ثلثي القدرة المتوقعة ولكنها افضل من لا شيء ، وملاحظة اخيرة يجب اختيار ترانزستورات تستجيب لتردد = 3 اضعاف التردد الذي تريد تكبيره وذلك بسبب سعة الترانزستورات الداخلية التي تؤثر على التكبير . ملاحضة اخرى عند تركيب دوائر RF يجب تركيب القطع الالكترونية بأرجل قصيرة قدر الامكان ويفضل ان لا ترتفع القطع اكثر من 2 مم عن لوحة التجميع ان امكن ثم يجب عزل مراحل التكبير عن بعضها بحواجز معدنية وخاصة الملفات ، واي زيادة في طول خط توصيل وخاصة خطوط نقل الاشارة سيقلل من كفائة المكبر حيث يمكن ان تخسر اكثر من نصف القدرة اذا تباعدت مراحل التكبير .