 |
|
|
|
||||||
نعم هى دارة مكبر أولى ، ويمكن إضافة مكثف للشوشرة سواء بين القاعدة والأرضى أو فى مراحل أخرى ، بالنسبة لقيم المقاومات فإن مقاومة التغذية المتصلة بالمنبع فهى لتقليل جهد ال 12 فولت بما يناسب دارة المكبر الأولى ويتم حساب قيمتها على أساس سحب التيار خلال الدارة وقيمة الفولت المطلوب وبذلك يمكن إضافة مقاومة لتقليل الفولت وتم ذلك فى المقاومة الواحد كيلو المتصلة بالتغذية تماما كما تقوم بوضع مقاومة مع ليد على مصدر تغذية عالى الفولت . بالنسبة لحساب نسبة تكبير الدارة فيتم ذلك كما سبق الشرح فى هذا الموضوع فى حساب نسبة التكبير لكل مرحلة من مراحل المكبر ، ومقاومة المشع تكون للإستقرار الحرارى وهى مع مقاومة المجمع تعمل على تجزئة الجهد الواقع على طرفى المجمع والمشع لهذا الترانزستور فيتم حسابة القيم على أساس ما لا يزيد على قيمة الفولت القصوى المطلوبة لكل ترانزستور على حدة ، حيث أنه كلما زاد الفولت على الترانزستور زاد فى المقابل نسب التكبير وبالتالى يجب أن تكون الإشارة الداخلة للترانزستور لها تأثير على إجراء تغيير على جهود الترانزستور وانحيازاته فلا تستطيع إشارة ضعيفة تغيير كبير فى إنحيازات الترانزستور الواقع عليه فولت عالى ، فمثلا نجد أن الترانزستور المتصل بالمايكروفون ذى مقاومات أعلى فى القيم لكى يقع على هذا الترانزستور فولت ضعيف يستطيع أن يتأثر بإشارة صغيرة أن يتغير ، أما الترانزستور القدرة المتصل بالسماعة نجد أن مقاوماته صغيرة للسماح بفولت أكبر بالمرور فيه وبذلك فهو يحتاج لموجات أكبر على قاعدته لتؤثر فيه فلا يستطيع المايكروفون أن يؤثر فيه ولكن مع ذلك يجب أن يكون الجهد الواقع على طرفى المشع والمجمع لايزيد عن أقصى تحمل للترانزستور . أتمنى أن أكون أجبت على سؤالك أخى وتحت أمرك , وآسف على التأخير عن المنتدى لظروف خاصة . |
| اعلانات |
|
|||||
|
|
| اعلانات اضافية ( قم بتسجيل الدخول لاخفائها ) | |
|
|
|
||||||
|
|
|
|||||
|
|
|
||||||
|
|
|
||||||
|
|
|
||||||
|
السلام عليكم ورحمة الله وبركاته MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ترانزستور التأثير المجالى والمصنوع من أشباه الموصلات والأكسيد والمعدن  يتكون هذا الترانزستور من الآتى : 1- طبقة سفلية Substrate وهى إما من النوع N أو من النوع P 2- منطقتين من بلورتين من نفس النوع من المادة الشبه موصلة ولكن قطبية مختلفة عن الطبقة السفلية التى تمت ويمثلان طرفين من أطراف الترانزستور وهما (المصرف Drain ) و( المنبع Source ) . 3- طبقة من الأوكسيد ( ثانى أكسيد السليكون SIO2 ) وهى مادة غير موصلة للتيار الكهربى ( عازلة ) . 4- طبقة من المعدن وتمثل الطرف الثالث للترانزستور وهو ( البوابة Gate )  * ونجد أيضا من الشكل السابق أن هذا الترانزستور له نوعان هما ال P-Cahnnel وال N-Channel بحسب أختيار نوع الطبقة السفلية والبلورتين الجانبيتين ( المصرف والمنبع ) . فكرة عمل الـ MOSFET : فى هذا النوع من الترانزستورات يتم التحكم بتيار الخرج عن طريق جهد (المجال الكهربى) الدخل .. فكيف ذلك ؟ أنظر الشكل التالى (حيث تم توصيل المصرف بالطرف الموجب لبطارية والمنبع بالطرف السالب لها) 1- فى حالة عدم وضع جهد على البوابة Gate فإنه لن يمر أى تيار بين المنبع والمصرف (الشكل الأيسر) 2- فى حالة وضع جهد موجب على البوابة (فى الشكل الأيمن) - لاحظ أن الترانزستور من نوع القناة N - فإن الإلكترونات الحرة الموجودة فى بلورتى المنبع والمصرف ستنجذب للمجال الكهربى الموجب المتكون عند البوابة مكونة قناة لمرور التيار بين المنبع والمصرف. ويتغير حجم هذه القناة تبعا لقوة المجال الكهربى عند البوابة وبالتالى تتغير قيمة التيار المار بين المنبع والمصرف.  3- ى حالة وضع جهد سالب على البوابة (فى الشكل الأيمن) - لاحظ أن الترانزستور من نوع القناة P- فإن الفجوات الموجودة فى بلورتى المنبع والمصرف ستنجذب للمجال الكهربى السالب المتكون عند البوابة مكونة قناة لمرور التيار بين المنبع والمصرف. ويتغير حجم هذه القناة تبعا لقوة المجال الكهربى عند البوابة وبالتالى تتغير قيمة التيار المار بين المنبع والمصرف.  لاحظ أنه لوجود مادة الأوكسيد (العازلة) بين البوابة وبقية الترانزستور فإن التيار لا يمر بينهما . وفقط يتم التحكم بالتيار المار بين المنبع والمصرف عن طريق الجهد (المجال الكهربى) الموجود على البوابة. ================ هذه دارة لمكبر صوتى تستخدم الموسفيت كإخراج  ============== وتعتبر الترانزستورات من نوع MOSFET خليفة الترانزستورات BJT حيث تدخل فى معظم الدارات الحديثة وخصوصا فى بناء الدارات المتكاملة والدارات الرقمية خاصة لما تتميز به من سرعة فى الأداء خصوصا عند إستخدامها كمفاتيح وهى تتميز بمقاومة قليلة جدا بين طرفى المصرف والمصدر D , S ويستطيع التعامل مع الأحمال قليلة المقاومة بكفائة . |
|
|||||
|
