منتدى الإلكترونيات قسم الالكترونكس لمناقشة الافكار والمعلومات المتعلقة بالهندسة الالكترونية للمبتدئين والهواة والفنيين - Electronics

   

maged ayuop
:: مهندس ::
تاريخ التسجيل: Jan 2007
المشاركات: 1
نشاط [ maged ayuop ]
قوة السمعة:
قديم 11-01-2008, 11:30 PM المشاركة 25   
افتراضي



اخى العزيز شكرا على مجهودك فى الشرح والرسم لكن انا ايضا اريد ان افيد الاصدقاء فى المنتدى رسم الترنزستور خطاء لان اطراف الترنزستور بعيدة عن القاعدة

اعلانات

الصورة الرمزية البراء عصام
البراء عصام
:: مهندس ::
تاريخ التسجيل: Jun 2007
المشاركات: 27
نشاط [ البراء عصام ]
قوة السمعة:
قديم 27-01-2008, 10:38 PM المشاركة 26   
Cool


الوظيفة
تُضخّمُ الترنزستوراتُ تياراً، على سبيل المثال هم يمكن أن يُستَعملوا لتَضْخيم تيارِ الناتجِ الصغيرِ مِنْ a رقاقة منطقِ لكي هو يُمْكِنُ أَنْ يَشتغلَ a مصباح، تقوية أَو أداة حالية عالية أخرى. في العديد مِنْ الدوائرِ a مقاوم يُستَعملُ لتَحويل التيارِ المتغيرِ إلى a يُغيّرُ فولطيةً، لذا الترنزستور يُستَعملُ لتَضْخيم الفولطيةِ.
أي ترنزستور قَدْ يُستَعملُ كa مفتاح (أمّا بالكامل على بالتيارِ الأقصى، أَو بالكامل مِنْ بدون تيارِ) وكمضخّم (دائماً جزئياً على).
إنّ كميةَ التكبيرِ الحاليِ تُدْعَى المكسبَ الحاليَ، رمز hFE.
للمزيد من المعلومات الرجاء يَرى دوائرَ الترنزستورَ تُرقّمُ صفحات.

--------------------------------------------------------------------------------


رموز دائرةِ ترنزستورِ
هناك إثنان مِنْ أنواعِ الترنزستوراتِ القياسيةِ، إن بي إن وبي إن بي، برموزِ الدائرةِ المختلفةِ. تُشيرُ الرسائلُ إلى طبقاتِ مادّةِ شبهِ الموصل تُستَعملُ لجَعْل الترنزستورِ. إستعملتْ أكثر الترنزستوراتِ اليوم إن بي إن لأن هذا النوعُ الأسهلُ للجَعْل مِنْ السيليكونِ. إذا أنت جديد إلى الإلكترونياتِ هو أفضل للبَدْء بتَعَلّم كَيفَ يَستعملُ ترنزستوراتَ إن بي إن.
إنّ الأدلّةَ تَعتبرُ قاعدةَ (بي)، جامع (سي) وemitter (إي).
هذه الشروطِ تُشيرُ إلى العمليةِ الداخليةِ a ترنزستور لَكنَّهم لَيسوا مساعدةً كثيرةً في فَهْم هكذا a ترنزستور مستعملُ، لذا فقط يُعالجُهم كعلامات!
أي زوج دارلنجتون ترنزستوران أوصلتَا سوية لإعْطاء a مكسب حالي عالي جداً.
بالأضافة إلى قياسي (ملتقى ذو قطبين) ترنزستورات، هناك ترنزستورات تأثيرِ حقلِ التي عادة مدعوَّة باسم إف إي تي إس. عِنْدَهُمْ الرموزُ وملكياتُ الدائرةِ المختلفةِ وهم لَيسوا (رغم ذلك) غَطّوا بهذه الصفحةِ.

--------------------------------------------------------------------------------

أدلّة ترنزستورِ لبَعْض أساليبِ الحالةِ المشتركةِ.
الإيصاْل
الترنزستورات لَها ثلاثة أدلّةِ التي يجب أنْ تُوصَلَ دورةَ الطريقِ الصحيحةِ. رجاءً إحذرْ بهذا لأن a ترنزستور مُرتَبِط بشكل خاطئ قَدْ يُتلَفُ فوراً عندما تُشغّلُ.
إذا أنت محظوظ توجيهَ الترنزستورِ سَيَكُونُ واضح مِنْ بي سي بي أَو تخطيط تخطيطِ stripboard، ما عدا بأَنْك سَتَحتاجُ للإشارة إلى a دليل مجهّزِ لتَمييز الأدلّةِ.
تُشوّفُ الرسومُ على الحقِّ الأدلّةَ للبعض مِنْ الحالةِ الأكثر شيوعاً تُصمّمُ.
رجاءً لاحظْ بأنّ تخطيطاتِ ترنزستورِ الرئيسيةِ تُشوّفُ وجهةَ النظر مِنْ تحت بالأدلّةِ نحوك. هذا نظيرُ آي سي (رقاقة) تخطيطات دبّوسِ الذي يُشوّفُ وجهةَ النظر مِنْ فوق.
رجاءً شاهدْ تحت لa منضدة التي تُشوّفُ أساليبَ حالةَ بَعْض الترنزستوراتِ المشتركةِ.

--------------------------------------------------------------------------------

دبوس تمساحِ
صورة © إلكترونيات سريعة.
اللحيم
الترنزستورات يُمْكِنُ أَنْ تُتلَفَ بالحرارةِ عندما لحيم إذن لو أنَّك لَسْتَ خبيراً هو حكيمُ لإسْتِعْمال a مغسلة حرارةِ قَصّتْ إلى التقدّمِ بين المفصلِ وجسمِ الترنزستورَ. أي دبوس تمساحِ قياسيِ يُمْكِنُ أَنْ يُستَعملَ كa مغسلة حرارةِ.
لا تُشوّشْ هذه مغسلةِ الحرارةِ المؤقتةِ بمغسلةِ الحرارةِ الدائمةِ (وَصفتْ تحت) التي قَدْ تُتطلّبُ لa ترنزستور كهربائي لمَنْعها زيَاْدَة تسخين أثناء عمليةِ.

--------------------------------------------------------------------------------

مغسلة حرارةِ
صورة © إلكترونيات سريعة

مغاسل حرارةِ
حرارة نفايةِ تُنتَجُ في الترنزستوراتِ بسبب التيارِ مُتَدفِّقِ خلالهم. مغاسل حرارةِ مطلوبة للترنزستوراتِ الكهربائيةِ لأن يَعْبرونَ تياراتَ كبيرةَ. إذا تَجِدُ الذي a ترنزستور يُصبحُ حار جداً لأنْ تَمْسُّه يَحتاجُ بالتأكيد a مغسلة حرارةِ! تُساعدُ مغسلةُ الحرارةَ لتَفريق (خطوة) الحرارة بإنتِقالها إلى الهواءِ المحيطِ.
للمزيد من المعلومات الرجاء يَرى الحرارةَ تَغْرقُ صفحةً.

--------------------------------------------------------------------------------
إختبار a ترنزستور
الترنزستورات يُمْكِنُ أَنْ تُتلَفَ بالحرارةِ عندما لحيم أَو بسوءِ الإستعمال في a دائرة. إذا تَشْكُّ بأنّ a ترنزستور قَدْ يُتلَفُ هناك طريقان سهلان لإختِباره:

إختبار ترنزستور إن بي إن
1. إختبار مَع a متعدّد المتر
إستعمال a متعدّد المتر أَو a فاحص بسيط (بطارية، مقاوم وقادَ) لتَدقيق كُلّ زوج الأدلّةِ للتوصيلِ. مجموعة a متعدّد المتر الرقمي إلى إختبارِ diode ونظير متعدّد متر إلى a مدى مقاومةِ منخفضِ.
إختبرْ كُلّ زوج الأدلّةِ كلتا الطرق (ستّة إختباراتِ في المجموعِ):
emitter الأساسي (يَكُونُ) ملتقى يَجِبُ أَنْ يَتصرّفَ مثل a diode ويَجري طريقَ واحد فقط.
الجامع الأساسي (قبل الميلاد) ملتقى يَجِبُ أَنْ يَتصرّفَ مثل a diode ويَجري طريقَ واحد فقط.
الجامع emitter (سي إي) يَجِبُ أَنْ لا يَجري بأي من الطّرق.
يُشوّفُ التخطيطُ كَيفَ الملتقيات تَتصرّفُ في ترنزستورِ إن بي إن. إنّ الثنائيات مَعْكُوسة في a ترنزستور بي إن بي لكن نفس إجراءِ الإختبارِ يُمْكِنُ أَنْ يُستَعملَ.

أي دائرة تحويل بسيطةِ
لإختِبار ترنزستورَ إن بي إن
2. إختبار في a دائرة تحويل بسيطةِ
أوصلْ الترنزستورَ إلى الدائرةِ شوّفَ على الحقِّ الذي يَستعملُ الترنزستورَ كa مفتاح. فولطية التجهيزَ لَيستْ حرجةَ، أيّ شئ بين 5 و12 في مناسبُ. هذه الدائرةِ يُمْكِنُ أَنْ تُبْنَى بسرعة على breadboard على سبيل المثال. إحذرْ لتَضْمين 10 k مقاوم في الإتّصالِ الأساسيِ أَو أنت سَتُحطّمُ الترنزستورَ كما تَختبرُه!
إذا الترنزستورِ حسناً Led يَجِبُ أَنْ يضيئَ متى المفتاحَ يُضْغَطُ ولا يضيئَ متى المفتاحَ مُصدَرُ.
لإختِبار a إستعمال ترنزستورِ بي إن بي نفس الدائرةِ لكن تَعْكسُ Led وفولطية التجهيزَ.
البعض multimeters عِنْدَهُ a ' إختبار ترنزستورِ ' وظيفة التي تُزوّدُ a عَرفتْ تيارَ أساسيَ وتَقِيسَ تيارَ الجامعَ لِكي يَعْرضَ دي سي مكسب الترنزستورَ الحاليَ hFE.

--------------------------------------------------------------------------------
رموز ترنزستورِ
هناك ثلاثة سلسلةِ رئيسيةِ مِنْ رموزِ الترنزستورِ إستعملتْ في المملكة المتحدةِ:
الرموز تَبْدأُ ببي (أَو أي)، على سبيل المثال قبل الميلاد 108، قبل الميلاد 478
إنّ الرسالةَ الأولى بي للسيليكونِ، أي لgermanium (مستعمل نادراً الآن). تُشيرُ الرسالةُ الثانية إلى النوعِ؛ على سبيل المثال سي يَعْني تردد سمعي كهربائيَ منخفضَ؛ دي يَعْني تردد سمعي كهربائيَ عاليَ؛ إف يَعْني تذبذب عالي كهربائيَ منخفضَ. يُميّزُ بقيّة الرمزِ الترنزستورَ المعيّنَ. ليس هناك منطق واضح إلى نظامِ العَدّ. أحياناً a رسالة إضافيةُ حتى النهاية (ومثال على ذلك: - قبل الميلاد 108 سي) لتَمييز a نسخة خاصّة مِنْ النوعِ الرئيسيِ، على سبيل المثال a مكسب حالي أعلى أَو a أسلوب حالةِ مختلفِ. إذا a مشروع يُحدّدُ a نسخة مكسبِ أعلى (قبل الميلاد 108 سي) هي يجب أنْ تُستَعملَ، لكن إذا الرمزِ العامِّ مُعطى (قبل الميلاد 108) أيّ ترنزستور بذلك الرمزِ مناسبُ.
الرموز تَبْدأُ بالرأسِ، على سبيل المثال الرأس 31 أي
يُشيرُ الرأسُ إلى المنتجِ: ترنزستور تيكساس إنسترومنتسِ الكهربائيِ. الرسالة في النهايةِ تَرْبطُ نسخ بتقديراتِ الفولطيةِ المختلفةِ.
الرموز تَبْدأُ ب2 إن، على سبيل المثال 2 إن 3053
الأولي ' 2 N' يُعرّفُ الجزء كa ترنزستور وبقيّة الرمزِ يُميّزُ الترنزستورَ المعيّنَ. ليس هناك منطق واضح إلى نظامِ العَدّ.
--------------------------------------------------------------------------------
إخْتياَر a ترنزستور
أكثر المشاريعِ سَتُحدّدُ a ترنزستور معيّن، لكن إذا ضروريِ أنت يُمْكِنُ أَنْ تَستبدلَ ترنزستورَ مكافئَ عادة مِنْ المدى العريضِ متوفرِ. الملكيات الأكثر أهميةً للبَحْث عن تيارَ الجامعِ الأقصى آي سي والتيار يَكْسبانِ hFE. لتَسهيل إختيار أكثر المجهّزين يُجمّعونَ ترنزستوراتَهم في الأصنافِ قرّرتْ أمّا بإستعمالِهم المثاليِ أَو تَقدير قوَّتِهم الأقصى.
للقيَاْم بa إختيار نهائي الذي أنت سَتَحتاجُ لإسْتِشارة مناضدِ البياناتِ التقنيةِ الذي يُزوّدُ عادة في الأدلةِ. يَحتوونَ a الكثير مِنْ المعلوماتِ المفيدةِ لَكنَّهم يُمكنُ أَنْ يَكُونوا صعبينَ للفَهْم إذا أنت لَسْتَ مألوفَ بالمُخْتَصَراتِ إستعملتَ. المنضدة تحت المعارضِ، البيانات التقنية الأكثر أهميةً لبَعْض الترنزستوراتِ الشعبيةِ، مناضد في الأدلةِ والمراجعِ سَتُشوّفانِ معلومات إضافيةَ عادة لكن هذه من غير المحتمل أنْ تَكُونَ مفيدةَ مالم أنت مجرّب. شوّفتْ الكمياتُ في المنضدةِ مُوَضَّحة تحت.
ترنزستورات إن بي إن
حالة تركيبِ رمزِ
الأسلوب آي سي
max. في سي إي
max. hFE
min. Ptot
max. الصنف
(إستعمال مثالي) محتمل
البدائل
قبل الميلاد 107 إن بي إن إلى 18 100 mA 45 في 110 300 تسجيل mW الصوتي، قوَّة مستوى واطئِ قبل الميلاد 182 قبل الميلاد 547
قبل الميلاد 108 إن بي إن إلى 18 100 mA 20 في 110 300 mW غرض عامّ، قوَّة منخفضة قبل الميلاد 108 سي قبل الميلاد 183 قبل الميلاد 548
قبل الميلاد 108 سي إن بي إن إلى 18 100 mA 20 في 420 600 mW غرض عامّ، قوَّة منخفضة
قبل الميلاد 109 إن بي إن إلى 18 200 mA 20 في 200 300 تسجيل mW الصوتي (ضوضاء منخفضة)، قوَّة مستوى واطئِ قبل الميلاد 184 قبل الميلاد 549
قبل الميلاد 182 إن بي إن إلى 92 سي 100 mA 50 في 100 350 mW غرض عامّ، قوَّة مستوى واطئِ قبل الميلاد 107 قبل الميلاد 182 إل
قبل الميلاد 182 إل إن بي إن إلى 92 أي 100 mA 50 في 100 350 mW غرض عامّ، قوَّة مستوى واطئِ قبل الميلاد 107 قبل الميلاد 182
قبل الميلاد 547 بي إن بي إن إلى 92 سي 100 mA 45 في 200 500 تسجيل mW الصوتي، قوَّة منخفضة قبل الميلاد 107 بي
قبل الميلاد 548 بي إن بي إن إلى 92 سي 100 mA 30 في 220 500 mW غرض عامّ، قوَّة منخفضة قبل الميلاد 108 بي
قبل الميلاد 549 بي إن بي إن إلى 92 سي 100 mA 30 في 240 625 تسجيل mW الصوتي (ضوضاء منخفضة)، قوَّة مستوى واطئِ قبل الميلاد 109
2 إن 3053 إن بي إن إلى 39 700 mA 40 في 50 500 mW غرض عامّ، قوَّة منخفضة بي إف واي 51
بي إف واي 51 إن بي إن إلى 39 1 أي 30 في 40 800 mW غرض عامّ، قوَّة وسطِ قبل الميلاد 639
قبل الميلاد 639 إن بي إن إلى 92 أي 1 أي 80 في 40 800 mW غرض عامّ، قوَّة متوسّطة بي إف واي 51
رأس 29 أي إن بي إن إلى 220 1 أي 60 في 40 30 دبليو غرض عامّ، قوَّة عالية
رأس 31 أي إن بي إن إلى 220 3 أي 60 في 10 40 دبليو غرض عامّ، رأس كهربائي عالي 31 سي رأس 41 أي
رأس 31 سي إن بي إن إلى 220 3 أي 100 في 10 40 دبليو غرض عامّ، رأس كهربائي عالي 31 أي رأس 41 أي
رأس 41 أي إن بي إن إلى 220 6 أي 60 في 15 65 دبليو غرض عامّ، قوَّة عالية
2 إن 3055 إن بي إن إلى 3 15 أي 60 في 20 117 دبليو غرض عامّ، قوَّة عالية
رجاءً لاحظْ: البيانات في هذه المنضدةِ جُمِعتْ مِنْ عِدّة مصادر التي لَيستْ ثابتةَ كليَّاً! أغلب التناقضاتِ بسيطة، لكن رجاءً إستشرْ معلوماتَ مِنْ مجهّزِكِ إذا تَتطلّبُ بياناتَ دقيقةَ.
ترنزستورات بي إن بي
حالة تركيبِ رمزِ
الأسلوب آي سي
max. في سي إي
max. hFE
min. Ptot
max. الصنف
(إستعمال مثالي) محتمل
البدائل
قبل الميلاد 177 بي إن بي إلى 18 100 mA 45 في 125 300 تسجيل mW الصوتي، قوَّة مستوى واطئِ قبل الميلاد 477
قبل الميلاد 178 بي إن بي إلى 18 200 mA 25 في 120 600 mW غرض عامّ، قوَّة مستوى واطئِ قبل الميلاد 478
قبل الميلاد 179 بي إن بي إلى 18 200 mA 20 في 180 600 تسجيل mW الصوتي (ضوضاء منخفضة)، قوَّة منخفضة
قبل الميلاد 477 بي إن بي إلى 18 150 mA 80 في 125 360 تسجيل mW الصوتي، قوَّة مستوى واطئِ قبل الميلاد 177
قبل الميلاد 478 بي إن بي إلى 18 150 mA 40 في 125 360 mW غرض عامّ، قوَّة مستوى واطئِ قبل الميلاد 178
رأس 32 أي بي إن بي إلى 220 3 أي 60 في 25 40 دبليو غرض عامّ، رأس كهربائي عالي 32 سي
رأس 32 سي بي إن بي إلى 220 3 أي 100 في 10 40 دبليو غرض عامّ، رأس كهربائي عالي 32 أي
رجاءً لاحظْ: البيانات في هذه المنضدةِ جُمِعتْ مِنْ عِدّة مصادر التي لَيستْ ثابتةَ كليَّاً! أغلب التناقضاتِ بسيطة، لكن رجاءً إستشرْ معلوماتَ مِنْ مجهّزِكِ إذا تَتطلّبُ بياناتَ دقيقةَ.

نظّمْ هذا يُشوّفَ نوعَ الترنزستورِ، إن بي إن أَو بي إن بي. إنّ تناقضاتَ النوعين مختلفة، إذن لو أنَّك تَبْحثُ عن a تَستبدلُه يَجِبُ أَنْ يَكُونَ نفس النوعِ.
أسلوب حالةِ هناك a تخطيط الذي يُشوّفُ الأدلّةَ للبعض مِنْ الحالةِ الأكثر شيوعاً تُصمّمُ في قسمِ الإيصاْل فوق. هذه المعلوماتِ متوفرةُ أيضاً في أدلةِ المجهّزين.
آي سي max. تيار الجامعِ الأقصى.
في سي إي max. الفولطية القصوى عبر الجامعِ emitter ملتقى.
أنت يُمْكِنُ أَنْ تُهملَ هذا التَقدير في دوائرِ الفولطيةِ المنخفضةِ.
hFE هذا المكسبُ الحاليُ (بصرامة دي سي مكسب حالي). إنّ الحَدّ الأدنى للقيمةَ المضمونَ مُعطى لأن القيمة الفعليّةَ يَتفاوتُ مِنْ الترنزستورِ إلى الترنزستورِ - حتى لأولئك لنفس النوعِ! مُلاحظة ذلك المكسبِ الحاليِ فقط a عدد لذا هو لَيْسَ لهُ وحداتُ.
إنّ المكسبَ يُقتَبسُ في أغلب الأحيان في a تيار جامعِ معيّنِ آي سي الذي عادة في منتصفِ مدى الترنزستورَ، على سبيل المثال ' 100*20 mA ' يَعْني المكسبَ على الأقل 100 في 20 mA. حَدّ أدنى أحياناً وحَدّ أقصى للقيم مُعطى. منذ المكسبِ ثابتُ تقريباً للتياراتِ المُخْتَلِفةِ لَكنَّها تَتفاوتُ مِنْ الترنزستورِ إلى الترنزستورِ هذا التفصيلِ وحيدُ حقاً مِنْ الإهتمامِ إلى الخبراءِ.
لماذا hFE؟ هو أحد a كُلّ سلسلة البارامتراتِ للترنزستوراتِ، كُلّ برمزِهم الخاصِ. هناك الكثير مِنْ للتَوضيح هنا.
Ptot max. قوَّة حَدّ أعلى الكليّةِ التي يُمْكِنُ أَنْ تُطوّرَ في الترنزستورِ، مُلاحظة التي a مغسلة حرارةِ سَتَكُونُ مطلوبة لإنْجاز تَقدير الحَدّ الأعلى. هذا التَقدير مهمُ لتشغيل الترنزستوراتِ كمكبرات، القوَّة تقريباً آي سي × في سي إي. لتشغيل الترنزستوراتِ كما يَنْقلُ تيارَ الجامعِ الأقصى (آي سي max. ) أكثر أهميَّةً.
صنف هذا يُشوّفُ الإستعمالَ المثاليَ للترنزستورِ، هو a نقطة بداية جيدة عندما تَبْحثُ عن a بديل. الأدلة لَرُبَّما لَها مناضدُ منفصلةُ للأصنافِ المختلفةِ.
البدائل المحتملة هذه ترنزستوراتَ بالملكياتِ الكهربائيةِ المماثلةِ التي سَتَكُونُ بدائلَ مناسبةَ في أكثر الدوائرِ. على أية حال، هم لَرُبَّما عِنْدَهُمْ a أسلوب حالةِ مختلفِ لذا أنت سَتَحتاجُ للحَذَر متى يَضِعُهم على البطاقة الإلكترونيةِ.

--------------------------------------------------------------------------------
زوج دارلنجتون
هذه ترنزستوران أوصلتَا سوية لكي التيار المُضَخَّم مِنْ الأولِ يُضخّمُ أبعد بالترنزستورِ الثانيِ. هذا يَعطي زوجَ دارلنجتون a مكسب حالي عالي جداً مثل 10000. أزواج دارلنجتون مباعة بينما رُزَم كاملة التي تَحتوي الترنزستوران. عِنْدَهُمْ ثلاثة أدلّةِ (بي، سي وإي) التي مكافئة إلى أدلّةِ a ترنزستور فردي قياسي.
أنت يُمْكِنُ أَنْ تَختلقَ زوجَكَ الخاصَ في دارلنجتون مِنْ ترنزستورين.
على سبيل المثال:
للإستعمالِ تي آر 1 قبل الميلاد 548 بي مَع hFE 1 = 220.
للإستعمالِ تي آر 2 قبل الميلاد 639 مَع hFE 2 = 40.
إنّ المكسبَ العامَّ هذا الزوجِ hFE 1 × hFE 2 = 220 × 40 = 8800.
إنّ تيارَ جامعِ الزوجَ الأقصى آي سي (max) تماماً مثل تي آر 2.

اعلانات اضافية ( قم بتسجيل الدخول لاخفائها )

tareq3334
:: موقوف ::
تاريخ التسجيل: Aug 2010
المشاركات: 12
نشاط [ tareq3334 ]
قوة السمعة:
قديم 02-09-2010, 02:44 PM المشاركة 27   
افتراضي


شكراً أخي الكريم لكن لم تظهر الصور


محمدسعدمحمد
:: مهندس ::
تاريخ التسجيل: Mar 2010
الدولة: المنصورة
المشاركات: 16
نشاط [ محمدسعدمحمد ]
قوة السمعة:
قديم 23-09-2010, 12:16 PM المشاركة 28   
افتراضي


بسم اله الرحمن الرحيم
انا اخوك علاء طالب بكلية الهندسة الاليكترونية بمنوف الفرقة الثانية
السؤال جميل جدا والرد عليه محتاج ايام بس علي سبيل الاختصار:-
ا-سبب الاختراع:-
تم اختراعه بسبب عيوب الصمامات المفرغة من استهلاك عالي للقدرة وانعدام الجساءة الميكانيكية وايضا كبر الحجم والوزن
وقد ظهر اول تطبيق له في الحرب العالمية الثانية
ب- انواعه:-
يمكن تقسيمه من حيث الانواع الاساسية كما يلي:-
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR BJT
او الترانزيستور ثنائي الوصلة وينقسم الي نوعين وهما:-
NPN,PNP
والنوع الاول NPNهو المستخدم في معظم التطبيقات بسبب ان حاملات الشحنة الرئيسية فيه هي الاليكترونات وهي تتميز بالسرعة في الحركة خلال مادة شبه الموصل لذلك يستخدم في تطبيقات الفتح والغلق"SWICHING"والتطبيقات الاخري التي تتطلب زمن تاخر"DELAY TIME"صغير جدا
والنوع الثاني PNPتكون حاملات الشحنة فيه هي الفجوات او بمعني اخر الايونات وهي الذرة التي تفقد اليكترون ولا يستخدم بكثرة حيث ان امكانية الفجوة علي الحركة تكون بسرعة اقل بكثير من الاليكترونات "الثلث تقريبا"
ويشتركان في ان لكل منهما ثلاث اقطاب هي القاعدة"BASE"والباعث"EMITTER"والمجمع"COLLECTOR"ولك ن يختلفان في التغذية حيث انا الباعث في النوع الاول يتصل بالارضي او بجهد سالب بينما في النوع الاخر يتصل بجهد موجب اذا اتصل المجمع بالارض او بالارض اذا اتصل المجمع بجهد سالب بينما الطرف الثالث او القاعدة فانه يمثل طرف الدخل ويتحدد علي ساسه منطقة عمل الترانزيستور اذا كانACTIVE,SATURATION,CUT OFF
وطبعا هذه المناطق تحدد التطبق الذي يستخدم فيه الترانزستور وشرحها يطول وان شاء الله ساحاول شرحها لك ولكن ليس الان كي لا اطيل
FIELD EFFECT TRANSISTOR FET
وهو النوع الثاني من انواع الترانزستور ولكنه يختلف قليلا عن النوع الاول وينقسم الي عدة انواع منها:-
JFET or JUNCTION FILED EFFECT TRANSISTOR
ويعتمد تشغيله علي وجود وصلة واحدة من شبه الموصل متصلة بجزء اخر معدني يتحدد علي اساس المجال المطبق عليه منطقة عمل الترانزستور
MSFET or METAL SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR
وتشغيله مشابه للنوع السابق مع بعض الاختلافات في التطبيق
MOSFET or metal oxide samiconductor field effect transistor
وهو اهم هذه الانواع لانه يعتمد علي وجود طبقة اكسيد بين شبه الموصل والمعدن وهي التي تجذب الاليكترونات او الفجوات من باطن شبه الموصل الي حدود طبقة الاكسيد وعليها يتحدد كمية التيار المار
وايضا هذا النوع هو اساس علم تكنولوجيا تصنيع الدوائر المتكاملة ذات التدريج متعاظم الصغر اوVERY LARG SCALE INTEGRATED CIRCUITS TECH VLSI
وعموما انواع الترانزستور ذات التاثير المجالي تنقسم الي نوعين وهما :-
N CHANNEL FETs
والتي يكون فيها شبه الموصل من النوع p typeتحت السطح المعدني بينما الاطراف الاخري يكون من النوع n type
P CHANNEL FETs
وهو عكس النوع السابق من حيث نوع شبه الموصل
واقطابه هي:-
source:-وهو الذي تتجه اليه الالليكترونات او الفجوات عبر القناة وهو يعمل عمل الباعث في نوع ثنائي الوصلة
drain:-وهو الذي تنطلق منه الاليكترونات او الفجوات وهو يعمل عمل لبمجمع في النوع ثنائي الوصلة
gate:-وهو قطب التحكم او الدخل حيث يتحدد علي اساسه منطقة عمل الترانزستور وهو يعمل عمل القاعدة في النوع الاخر

والفرق الرئيسي بين ترانزيستور التاثير المجالي وثناءي الوصلة ان الاول يعتمد علي الجهد المطبق علي البوابة gateلانتاج المجال المطلوب للتشغيل بينما النوع الاخر فيعتمد علي التيار المار في القاعدة لانتاج ظروف تيار المجمع المطلوب
وذلك بافتراض صحة ظروف التشغيل واتجاه التيار التقليدي وليس الحديث
وللترانزستور من النوعين تطبيقات عديدة مثل مفاتيح التحكم swichesوايضا مصدر الجهد الثابتconstant current sourceوهذا كله يتبع التيار المستمر اوdirect currentولكن المكبرات سواء كانت مكبرات جهد او تيار فانها تعمل علي ac or alternating currentوهو التيار المتردد
وهناك الكثير والكثير من التطبيقات التي يطول شرحها ولكني اكتفي بهذا واتمني ان اكون اختصرت واتيت ببعض والمطلوب
اخوك علاء فؤاد واي طلب اخر في اي شيء مما يتبع الاليكترونيات او مجال الدراسة افيدك فيه باذن الله وعذا هو عنوان البريد الاليكتروني الخاص بي
twinkees086_fee*yahoo.com
والله الموفق
بسم الله الرحمن الرحيم
"وجعلنا فوق كل ذي علم عليم"
صدق الله العظيم
شكرا جزيلا يا اخ علاء اكثر من رائع


moaaz
:: مهندس ::
تاريخ التسجيل: Apr 2008
المشاركات: 6
نشاط [ moaaz ]
قوة السمعة:
قديم 24-10-2010, 09:05 PM المشاركة 29   
افتراضي


شرح اكتر من وافي يعطيك العافية


gge
:: مهندس ::
تاريخ التسجيل: Jun 2007
المشاركات: 41
نشاط [ gge ]
قوة السمعة:
قديم 27-03-2013, 10:39 PM المشاركة 30   
ha


شكرا على المجهودكم ولكن ارجو التعريف بالترانزستور اللصق الذي يشاهد على الدارات الكترونية الحديثة وكيفية معرفة قيمته
وارجو توضيح طريقة حساب المقاومة لتي توصل عليه ليتم الفتح
وشكرا


الصورة الرمزية alush
alush
:: مهندس جيد ::
تاريخ التسجيل: Jul 2014
الدولة: سوريا
المشاركات: 223
نشاط [ alush ]
قوة السمعة:
قديم 11-08-2014, 01:20 AM المشاركة 31   
افتراضي


بسم الله الرحمن الرحيم
اولا اود ان اوجه شكري للاخوة ومساهماتهم الجميلة ولكن...

لي بعض الملاحظات في الموضوع

اولا:-
الى الاخ بلو ري
اود ان اقول لك شكرا على اجتهادك ولكن تحقق من معلوماتك قبل نشرها فلقد اخطات في عدد من النقاط

1-انت قلت ان الترانزستور مصنوع من الكربون وان الكربون يحتوي 4 الكترونات في المستوى الخارجي وهذا خطا
لان الواقع ان الترانزستور مصنع من مادة السليكون او الجرمانيوم الذي يحتوي على 4 الكترونات في المستوى الخارجي

2- انت والاخ بوعبده قلت ان قاعدة الترانزستور تكون دائما في الوسط وهذا خطا لان الواقع القاعدة قد تكون في الوسط او الاطراف ويمكن معرفة اطراف الترانزستور عن طريق الداتاشيت الخاصة به

ثانيا:-
الى جميع من مر بالموضع وقدم شكره الحار على الموضوع الجميل دون ان يكلف نفسه عناء قراءته
ارجو منكم ان تقدموا شكركم اوانتقادكم بعد قراءة الموضوع

ثالثا:-
الى الاخ فهد
انت المشرف العام وتقوم بنشر المواضيع على واجهة القرية لذلك اتمنى منك ان تكون اكثر انتباها في المعلومات التي تقوم بنشرها وان تتاكد من صحتها قبل وضعها على واجهة القرية لا ان تقوم بنشر اي كلمة كتبها اي كان على هواه ليضع علما جديدا دون ان يكون له اي اساس من الصحة


وهذا لتعم الفائدة وللحفظ على مستوى روادها

بالنسبة لقياس الارجل
ومعرفتها
اود ان تشاركنا هنا اخي لكي افهم
بصراحة هون فحو الموضوع
معك حق الترانزستور بالرسم غير الواقع
انا بفحص الترانزستو ر متل مومعروف القاعدة بتطلع بالمنتصف لكن
بالحقيقة بالطرف الايسر
الموضوع عنجد يستحق المتابعة
www.qariya.info/vb/showthread.php?t=151211


الصورة الرمزية mourad3d
mourad3d
:: عضو ماسى ::
تاريخ التسجيل: Nov 2012
الدولة: القاهرة - مصر
المشاركات: 2,754
نشاط [ mourad3d ]
قوة السمعة:
قديم 11-08-2014, 02:25 AM المشاركة 32   
افتراضي


انت بجد عاوز تدرس الترانزستور بجميع خواصه وحساباته وانواعه انصحك بقراءة هذا الموضوع الذى ابدع فيه اخونا المهندس احمد

http://www.qariya.info/vb/showthread.php?t=68788



الساعة معتمدة بتوقيت جرينتش +3 الساعة الآن: 02:32 PM
موقع القرية الالكترونية غير مسؤول عن أي اتفاق تجاري أو تعاوني بين الأعضاء
فعلى كل شخص تحمل مسئولية نفسه إتجاه مايقوم به من بيع وشراء وإتفاق وأعطاء معلومات موقعه
التعليقات المنشورة لا تعبر عن رأي موقع القرية الالكترونية ولايتحمل الموقع أي مسؤولية قانونية حيال ذلك (ويتحمل كاتبها مسؤولية النشر)