|
:: نائب المشرف العام ::
تاريخ التسجيل: Jun 2009
الدولة: القاهرة - مصر
المشاركات: 11,652
|
|
نشاط [ ماجد عباس محمد ]
قوة السمعة:
|
|
27-04-2011, 10:43 PM
المشاركة 34
|
|
وحدة توليد القدرة Inverter
وحدة توليد القدرة Inverter
تتكون وحدة توليد القدرة من الأجزاء المبينة فى الرسم التالى

وحدتى تغذية واحدة لمرحلة الخرج وهى تحتوى محول ذو قدرة كافية أو قد لا تحتوى محول، وفى جميع الأحوال لابد من استخدام مرشح Filter مناسب لأن ترانزستورات القدرة تسحب نبضات ذات تيار عالى سيسبب مشاكل فى دوائر التحكم و الأجهزة المحيطة، و مكثفات التنعيم ليست كافية للتخلص من أثار هذه النبضات.
دائرة تغذية الجهد المنخفض وهى أيضا تحتوى على مرشح Filter مناسب للتخلص من أى آثار قد تأتى عبر مصدر التغذية.
مرحلة مهتز أو مذبذب قابل للضبط فى النطاق المطلوب استخدامه، و يجب أن يعطى موجة مربعة ذات معامل دوام 50% Duty Ratioو ذلك لتوزيع الحمل بالتساوى على الترانزستورات و تسهيل التخلص من التوافقيات على خطوط التغذية، أسهل طريقة للحصول على 50% بالضبط هى جعل المذبذب يعمل على ضعف التردد و تغذية الخرج لمذبذب متعدد للقسمة على 2 و من الأمثلة المناسبة لهذه الطريقة استخدام المتكاملة CD4047 وهى مذبذب متعدد يمكنها أن تولد نبضات مستمرة و لها خرج نبضى و آخر ÷2 من المخرجين Q,Q\ حتى 1 ميجا.

هذه المتكاملة لا تحتاج سوى توصيل الأطراف 4،7،12 بالأرضى و 14 بالجهد الموجب والذى يجب أن يكون 12 أو 15 فولت لو تريد تردد قرابة 1 ميجا وهذه سمه عامة فى عائلة CMOS
الطرف 9 الخاص بوظيفة RESET يمكن استخدامه للتحكم بالتشغيل و الإيقاف. الخرج المزدوج من طرفى 10،11 و التردد يضبط بمقاومة بين 2،3 و مكثف بين 1،2. طبعا يفضل استخدام مفتاح لتغيير المكثف حسب التردد مع استخدام مقاومة ذات مدى محدود لضبط التردد فقط مثلا استخدام مقاومة 1ك على التوالى مع مقاومة متغيرة 10 ك و تغيير قيم المكثف حسب التردد المطلوب طبقا للمعادلة
F=1/4.4RC
يلى ذلك مرحلة دائرة التحكم والقيادة وعادة يستخدم فيها إحدى المتكاملات المختصة بالتوائم مع ترانزستورات الخرج مثل فهى تحقق ثلاث أهداف
1- يمكنها الإمداد بالتيار اللازم للترانزستورات العادية أو الجهد الكافى لفتح ترانزستورات MOSFET
2- تشكيل النبضة بحيث يكون انتقالها أسرع ما يمكن من القفل للفتح لتقليل الفقد فى المرحلة الانتقالية بقدر الإمكان.
3- أثناء انتقال مخرج من 1 إلى صفر، ينتقل الآخر من صفر إلى 1 ولا تكون هذه النقلات فجائية ، ولهذا سيكون هناك مرحلة فى الوسط يكون كلا الترانزستورين فى حال التوصيل مما يشكل قصرا على مصدر التغذية و أبسط آثاره هو تلف هذه الترانزستورات، و مهمة هذه المتكاملة حذف هذا الجزء المشترك، يمكن تحقيق هذه الوظيفة باستخدام بوابات XOR Gates
بقى الآن مرحلة الخرج وهى حسب القدرة المطلوبة من زوج أو زوجين من ترانزستورات القدرة، قد تستخدم وحدات على التوازى أيضا فى القدرات الأكبر.
النوع لا يهم رغم أن غالبية التصميمات تستخدم IGBT لدرجة أن البعض يظن أن IGBT لوحدات UPS فقط.
الفكرة أن ترانزستورات MOSFET أسهل بكثير من العادية فى التحكم إلا أن الأجيال القديمة منها كانت تسبب سخونة أعلى ولهذا ابتكرت IGBT حيث الدخل MOSFET لتسهيل التعامل يتحكم فى ترانزيستور عادى لتقليل الحرارة الناجمة عن التيار العالى ، لكن الآن توجد ترانزستورات MOSFET لا تقل جودة عن غيرها.
المهم عندما يذكر الداتا شيت أن الرقم كذا 60 أمبير 400 فولت لا تظن أنه يتحمل 60 أمبير عند 400 فولت، اقرأ الباقى بدقة و اعرف أين الحدود الآمنة لاستخدام الترانزيستور.
تصميم مكبرات القدرة مشروح تفصيلا فى "تصميم الدوائر الإلكترونية" وهو لذا خارج نطاق هذه السلسلة
هذا رابط لتصميم وحدة بقدرة 500 وات
500 Watt Induction Heater
وهذا رابط يشرح وحدات أكبر خطوة بخطوة بما فيها الملف و مجموعة المكثفات
Induction Heating-1-8
المرة القادمة إن شاء الله نتحدث عن وسائل تبريد أخرى غير الهواء
التعديل الأخير تم بواسطة : ماجد عباس محمد بتاريخ 30-04-2011 الساعة 09:56 AM
|