تحياتى الاخوه الكرام
فقط اردت طرح توضيح بسيط
هذا النوع من الترانزستور كما ذكر الاخوه
يتكون من ترانزستور موسفت ومدمج به ايضا ترانزستور عادى
بحيث ان خصائص الدخل للبوابه g نفس خصائص الموسفت العادى
بمعنى ان المطلوب لعمل الترانزستور IGBT هو جهد عال نسبيا بتيار ضعيف جدا
على عكس الترانزستور العادى .