منتدى الإلكترونيات قسم الالكترونكس لمناقشة الافكار والمعلومات المتعلقة بالهندسة الالكترونية للمبتدئين والهواة والفنيين - Electronics

   

الصورة الرمزية F.Abdelaziz
F.Abdelaziz
:: استاذ و مشرف قسم الالكترونيات ::
تاريخ التسجيل: May 2007
المشاركات: 6,832
نشاط [ F.Abdelaziz ]
قوة السمعة:
قديم 12-07-2012, 04:49 PM المشاركة 9   
افتراضي



الشكل التالى يوضح طريقة عمل الترانزستور كمفتاح , فعند توصيل قاعدة الترانزستور بالنقطة A بواسطة المفتاح اليدوى يصبح جهد القاعدة مساويا لجهد الباعث وكلاهما يساوى صفرا , وبالتالى فإن الترانزستور يكون فى حالة قطع Cut off , أما عند توصيل قاعدة الترانزستور بالنقطة B بواسطة المفتاح اليدوى يصبح جهد القاعدة أعلى من جهد الباعث , أى يصبح هناك انحياز أمامى بين القاعدة والباعث , وبالتالى فإن الترانزستور سيكون فى حالة وصل On , ويمكن تمثيله بمفتاح مغلق .
ويراعى ألا يتعدى تيار المجمع الحدود القصوى المنصوص عليها فى ورق بيانات الترنزستور .






والجدير بالذكر أنه يمكن زيادة كسب الترانزستورات بتوصيلها معا , كما هو مبين بالشكل التالى , ويكون معامل الكسب الكلى مساويا حاصل ضرب كسب الترانزستورات المفردة .
ففى الشكل (أ) فإن معامل كسب التيار الكلى يساوى :






حيث إن :
1 معامل كسب التيار للترانزستور Q1 .
2 معامل كسب التيار للترانزستور Q2 .
وفى الشكل (ب) فإن معامل كسب التيار الكلى يساوى :





حيث إن :

1 و 2 و 3 معامل كسب الترانزستوراتQ1 و Q2 و Q3 بالترتيب .






وتسمى هذه التوصيلة بتوصيلة دارلنجتون Darlington . ويوجد ترانزستورات تحتوى على هذه التوصيلة داخل قالب واحد , ولها ثلاثة أرجل فقط , وتسمى بترانزستورات دارلنجتون , وهى تستخدم فى دوائر القدرة ويصل تيارها إلى 300A مستمر . وتتحمل فرق جهد على أطرافها (المجمع – الباعث ) عندما تكون فى حالة قطع يساوى 1000V , وتتحول لحالة الوصل فى زمن 2.5s وتصل القدرة المشتتة فيها إلى 600W , ويصل معامل كسبها 100 عندما يكون تيار مجمعها 300A , أى أنه يحتاج لتيار قاعدة مقداره 3A لتشغيلها .
الشكل التالى يعرض طريقة تثبيت ترانزستورات قدرة على مشتت حرارى Heat sink .







وهناك بعض الأمور التى تحدد استخدام الترانزستورات الثنائية القطبية فى التحكم فى المحركات مثل : القيمة العظمى لتيار المجمع . ففى الوضع الطبيعى للتشغيل فإن تيار المجمع يساوى حاصل ضرب تيار القاعدة فى معامل كسب التيار . وعند زيادة تيار المجمع لسبب من الأسباب مع ثبوت تيار القاعدة فإن ذلك سوف يؤدى لفقد كبير فى القدرة . وأيضا عند زيادة تيار القاعدة عن مستوى تيار القاعدة اللازم لتشبع الترانزستور فإن هذا سوف يؤدى إلى ارتفاع درجة حرارة الترانزستور ويقلل من كفاءة الترانزستور . كما أن الترانزستورات تتعرض للتلف بفعل الجهود والتيارات العابرة Transient .

ترانزستورات تأثير المجال الالتصاقى JFET :

اعلانات

الصورة الرمزية F.Abdelaziz
F.Abdelaziz
:: استاذ و مشرف قسم الالكترونيات ::
تاريخ التسجيل: May 2007
المشاركات: 6,832
نشاط [ F.Abdelaziz ]
قوة السمعة:
قديم 13-07-2012, 02:37 PM المشاركة 10   
افتراضي


ترانزستورات تأثير المجال الالتصاقى JFET :



يصنع ترانزستور JFET من قناة موجبة P أو سالبة N , وله أطراف ثلاثة , وهى : المصرف Drain (D) , والمصدر أو المنبع Source (S) والبوابة Gate (G) . وفيما يلى رموز JFET :


الرمز 1 لترانزستور JFET بقناة N , والرمز 2 لترانزستور JFET بقناة P . الفرق بين الرمزين فى اتجاه السهم الموضوع على البوابة , فالسهم الداخل يعنى ترانزستور بقناة N والسهم الخارج يعنى ترانزستور بقناة P . والجدير بالذكر أن ترانزستور JFET ذا القناة N هو الأكثر انتشارا .
ويؤدى المصدر والمصرف والبوابة نفس وظائف الباعث والمجمع والقاعدة للترانزستور ثنائى القطبيةBJT.
علما بأن ترانزستور JFET يتم التحكم فيه بجهد الدخل وليس بالتيار , كما هو الحال فى الترانزستور ثنائى القطبية . فعند تعريض بوابة ومصرف ترانزستور JFET بقناة N لفرق جهد يساوى صفرا , يصبح الترانزستور فى حالة توصيل كامل (تشبع) ويمر أقصى تيار للمصرف , ويكون فرق الجهد بين المصرف والمصدر أقل ما يمكن .
وعندما يصبح فرق الجهد بين البوابة والمصرف بالسالب يقل تيار المصرف , ويقل التيار كلما ازداد انخفاض الجهد عن الصفر حتى ينعدم . لذلك يهتبر ترانزستور JFET ذو قناة N فى حالة وصل طبيعى
Normally on . وعادة يستخدم ترانزستور JFET كعنصر إشارة .




ترانزستور تأثير المجال أكسيد المعدن شبه الموصل MOSFET :

اعلانات اضافية ( قم بتسجيل الدخول لاخفائها )

الصورة الرمزية F.Abdelaziz
F.Abdelaziz
:: استاذ و مشرف قسم الالكترونيات ::
تاريخ التسجيل: May 2007
المشاركات: 6,832
نشاط [ F.Abdelaziz ]
قوة السمعة:
قديم 14-07-2012, 02:04 AM المشاركة 11   
افتراضي ترانزستور تأثير المجال أكسيد المعدن شبه الموصل MOSFET :


ترانزستور تأثير المجال أكسيد المعدن شبه الموصل MOSFET :

أحيانا يطلق على ترانزستور MOSFET بترانزستور تأثير المجال ذات البوابة المعزولة IGFET .
يوجد نوعان من ترانزستور MOSFET وهما :
1- ترانزستور نوع النضوب Depletion type .
2- ترانزستور نوع التعزيز Enhancement type .
وكلاهما له ثلاثة أطراف تشبه أطراف ترانزستور JFET .وفيما ياى رموز ترانزستورات MOSFET :





الرمز 1 لنرانزستور نوع النضوب بقناة N . والرمز 2 لترانزستور نوع النضوب بقناة P , والرمز 3 لترانزستور نوع التعزيز بقناة N والرمز 4 لترانزستور نوع التعزيز بقناة P . الفرق بين ترانزستور MOSFET نوع النضوب وترانزستور MOSFET نوع التعزيز فى قطبية فرق الجهد بين البوابة والمصدر VGS والذى يعمل عنده كلاهما , فيعمل ترانزستور النضوب بقناة N عندما يكون فرق الجهد VGS بالموجب أو بالسالب , ويزداد تيار المصرف ID بزيادة فرق الجهد عند القطبية الموجبة ويقل بزيادة فرق الجهد عند القطبية السالبة , ولذلك يمكن اعتبارة ترانزستور فى حالة توصيل طبيعى .







والجدير بالذكر أن ترانزستور MOSFET نوع التعزيز بقناة N هو أغلب أنواع ترانزستورات MOSFET انتشارا , حيث يستخدم عادة كعنصر قدرة . ولقد استطاعت ترانزستورات MOSFET التغلب على مشكلة كبيرة موجودة فى الترانزستورات الثنائية القطبية وهى كبر تيار تشغيلها (تيار القاعدة) . فمثلا : يبيلغ تيار التشغيل لترانزستور دارلنجتون معامل كسبه 100 وتيار مجمعه 300A فيكون تيار قاعدته 3A , ويظهر هذا العيب بصورة أوضح فى ترانزستورات القدرة Power transistor المنفردة لانخفاض معامل كسبها , فقد يصل تيار قاعدة ترانزستور قدرة تيار مجمعه 300A ومعامل كسبه 10 حوالى 30A .
فى حين يتم التحكم فى ترانزستور MOSFET نوع التعزيز بقناة N وذلك بتسليط فرق جهد موجب بين البوابة والمصدر , ونظرا لمقاومة الدخل الكبيرة لترانزستور MOSFET فإن تيار بوابة الترانزستور يكون بالميكرو أمبير .
ومن أهم المعاملات Parameters التى تؤخذ فى الاعتبار عند التعامل مع ترانزستورات المجال هو الموصلية الانتقالية Transconductance (gfs) وتساوى :






حيث إن :
IDΔ التغير فى تيار المصرف والناتج عن التغير فى فرق الجهد بين البوابة والمصدر .
ويوجد أنواع من ترانزستورات القدرة MOSFET تصل جهود تشغيلها إلى 650V وتيار تشغيلها إلى 100A .
وتتميز ترانزستورات MOSFET بالسرعات العالية جدا مقارنة بالترانزستورات ثنائية القطبية , فقد تصل سرعة ترانزستورات MOSFET إلى 5nS . كما يمكن توصيل أكثر من ترانزستور MOSFET بالتوازى لزيادة سعة التيار , وهذا بالطبع لا يمكن تنفيذه مع ترانزستورات BJT .
وهذه المميزات العظيمة دفعت المصممين للاتجاه إلى ترانزستورات MOSFET نوع التعزيز فى التحكم فى القدرة .
ويعاب على ترانزستورات MOSFET حساسيتها العالية التى قد تؤدى لتلفها قبل الاستخدام إذا لم يتم التعامل معها بحذر .
وفيما يلى أهم الملاحظات التى تراعى عند التعامل مع ترانزستورات تأثير المجال :
1- يجب فصل التيار الكهربى عن الدائرة أثناء رفع الترانزستور من الدائرة , وذلك لمنع تولد الجهود العابرة التى تتلف الترانزستور .
2- يتم توصيل معصم اليد للقائم بإصلاح الدوائر التى تحتوى على ترانزستورات MOSFET بأرضى الدائرة أو أرضى الشاسيه .
3- يتم تأريض كاوية اللحام جيدا ولا تستخدم كاوية اللحام التى على شكل مسدس .
والجدير بالذكر أن معظم الأنواع الجيدة من ترانزستورات MOSFET الموجودة بالأسواق تحتوى على ثنائى زينر بين البوابة والمصدر لمنع ارتفاع VGS لقيم غير آمنة 15V , وبالتالى تحمى الترانزستور من الجهود العابرة بالدائرة , وكذلك عند النقل والتداول نتيجة لانتقال الشحنات الاستاتيكية من الاجسام الخارجية إلى أرجل الترانزستور بفعل الاحتكاك . عادة تقوم الشركات المصنعة بقصر أرجل الترانزستور بحلقة معدنية أو سلك أو صفيحة رقيقة لحماية الترانزستور .
وفيما يلى رموز ترانزستورات MOSFET التى تحتوى على ثنائى زينر :







الرمز 1 الترانزستور MOSFET نوع التعزيز . والرمز 2 لترانزستور MOSFET نوع النضوب .

الترانزستور الأحادى الوصلة UJT :


الصورة الرمزية F.Abdelaziz
F.Abdelaziz
:: استاذ و مشرف قسم الالكترونيات ::
تاريخ التسجيل: May 2007
المشاركات: 6,832
نشاط [ F.Abdelaziz ]
قوة السمعة:
قديم 14-07-2012, 03:08 AM المشاركة 12   
افتراضي الترانزستور الأحادى الوصلة UJT :


الترانزستور الأحادى الوصلة UJT :
يستخدم هذا الترانزستور عادة كعنصر إشارة , وله ثلاثة أطراف , وهى القاعدة الأولى B1 والقاعدة الثانية B2 والباعث E , وهو يشبه الترانزستور الثنائى القطبية لحد كبير . وفيما يلى رمز UJT :




والجدير بالذكر أن UJT يعتبر فى حالة قطع طبيعى , وعندما يرفع الجهد بين الباعث والقاعدة B1 ليصل للجهد الأقصى Vp والذى يعتمد على خواص UJT يتحول لحالة الوصل ويظل على هذه الحالة حتى عند انخفاض الجهد بين الباعث والقاعدة ليصل للجهد الأدنى V والذى يعتمد على خواص UJT فيتحول لحالة القطع .
عادة يستخدم UJT فى بناء المذبذبات وكذلك فى دوائر إشعال الثايرستور والترياك كما سيتضح فيما بعد.
الشكل التالى يعرض دائرة مذبذب متراخى Relaxation oscillator باستخدام UJT مع مقاومة RE ومكثف CE وفى نفس الشكل موجات الجهود VE,VB1,VB2 .





ولفهم نظرية عمل هذه الدائرة سنستبدل UJT بمفتاح S1 كما فى الشكل .





فعندما يكون S1 مفتوحا فإن المكثف CE سوف يشحن وصولا للجهد (VBB-VRE) . حيث إن VBB هو جهد المصدر المستمر , و VRE هو فقد الجهد فى المقاومة RE , ويتم ذلك فى زمن يساوى( RE * CE ) , وعند غلق المفتاح S1 فإن المكثف CE سوف يفرغ شحنته فى زمن يساوى ( 0 * CE ) , أى صفر ثانية , حيث إن مقاومة المفتاح تساوى صفرا .
وبهذه الطريقة يمكن تفسير شكل الموجة الخارجة على الطرف E , حيث يعمل UJT كمفتاح أثناء شحن المكثف CE وصولا لجهد تشغيل الترانزستور , فيتحول لحالة الوصل كمفتاح مغلق , فيحدث تفريغ للمكثف وصولا للجهد الذى يتحول فيه الترانزستور مرة أخرى لحالة القطع كمفتاح مفتوح وهكذا .
ونحصل على تردد الموجات الخارجة من الباعث E من المعادلة التالية :
ولكى نصل لتفسير مقبول لشكل الجهد على B2 يجب أن نتذكر أنه قبل إشعال UJT فإن المقاومة بين B1 و B2 تكون كبيرة , فهى تتراوح ما بين 4 : 10 KΩ وحيث إن المقاومة R1 و R2 تكون عادة صغيرة مقارنة بالمقاومة بين القاعدتين , لذلك فإن الجهد عند القاعدة B2 سيساوى تقريبا VBB عندما يكون الترانزستور فى حالة قطع , وعند إشعال UJT فإن المقاومة بين القاعدتين ستقل إلى الربع تقريبا أثناء فترة تفريغ المكثف CE , مما يؤدى لانخفاض فجائى للجهد على القاعدة B2 , وبالطبع فإن الجهد على القاعدة B1 هو معكوس الجهد على القاعدة B2 .

الترانزستور الأحادى الوصلة القابل للبرمجة PUT :


الصورة الرمزية F.Abdelaziz
F.Abdelaziz
:: استاذ و مشرف قسم الالكترونيات ::
تاريخ التسجيل: May 2007
المشاركات: 6,832
نشاط [ F.Abdelaziz ]
قوة السمعة:
قديم 14-07-2012, 03:13 AM المشاركة 13   
افتراضي الترانزستور الأحادى الوصلة القابل للبرمجة PUT


:
ترانزستور PUT له نفس خواص UJT , عدا أنه يمكن التحكم فى الجهد Vp الذى يعمل (يشعل) عنده الترانزستور . ولهذا الترانزستور ثلاثة أطراف وهى المصعد Anode والمهبط Cathode والبوابة Gate .
وفيما يلى رمز PUT :




ويتميز PUT بأن سرعته عند الوصل والفصل تصل إلى 1/10 من سرعة UJT , كما أنه أكثر استقرارا عند تغير درجات الحرارة .
الشكل التالى يعرض مذبذبا متراخيا باستخدام PUT والدائرة المكافئة باستخدام UJT :

وفيما يلى الأطراف ذات المخارج المتماثلة فى كل من PUT و UJT :
VB2 يقابل VG
VB1 يقابل VK
VE يقابل VA
والجدير بالذكر أن الجهد الأقصى للمصعد والذى يعمل عنده PUT نحصل عليه من المعادلة :




ويمكن أن تكتب بصورة أخرى , كما يلى :



فى حين أن تردد الذبذبات الخارجة من المصعد A أو المهبط K أو البوابة G يساوى :



الصورة الرمزية F.Abdelaziz
F.Abdelaziz
:: استاذ و مشرف قسم الالكترونيات ::
تاريخ التسجيل: May 2007
المشاركات: 6,832
نشاط [ F.Abdelaziz ]
قوة السمعة:
قديم 14-07-2012, 03:31 PM المشاركة 14   
افتراضي الموحد السليكونى المحكوم (الثايرستور) SCR :


الموحد السليكونى المحكوم (الثايرستور) SCR :
يستخدم الثايرستور عادة كعنصر قدرة , وللثايرستور ثلاثة أطراف , وهى المصعد (Anode) A والمهبط (Cathode) K والبوابة (Gate) G . وفيما يلى رمز الثايرستور :





ويعمل الثايرستور كثنائى إذا كان منحازا أماميا ووصلت إشارة جهد موجبة بين البوابة والمهبط , ولذلك سمى بالموحد السليكونى المحكوم . الشكل التالى يعرض نماذج مختلفة للثايروستورات :








والشكل التالى يعرض منحنى الخواص , والذى يبين العلاقة بين تيار المصعد وفرق الجهد بين المصعد والمهبط IA – VAK عند قيم مختلفة لتيار البوابة IG .





وفيما يلى شرح منحنى الخواص للثايرستور :
1- إذا كان تيار البوابة يساوى صفرا , ويرمز له بالرمز IG0 , فإن الثايرستور يكون فى حالة قطع (فصل) OFF , ويكون هناك مقاومة كبيرة جدا بين المصعد والمهبط , ولكن إذا زاد الجهد بين المصعد والمهبط وصولا لجهد الانهيار الأمامى VB0 ففى هذه الحالة يتحول الثايرستور لحالة الوصل ويمر تيار المصعد , علما بأن الثايرستور غير مصمم للعمل بهذه الطريقة فمن المحتمل انهياره
2- عند وصول إشارة جهد موجبة بين البوابة والمهبط يمر تيار فى بوابة الثايرستور , وبالتالى فإن الجهد اللازم لتحويل الثايرستور لحالة الوصل يوف يقل عن VB0 , فكلما ازداد تيار البوابة IG قل VAK اللازمة لإشعال الثايرستور ( لتحويل الثايرستور لحالة الوصل) .
3- بعد تحويل الثايرستور لحالة الوصل يظل على هذه الحالة حتى بعد انخفاض قيمة تيار البوابة IG للصفر , ولكن بمجرد انخفاض تيار المصعد IA عن تيار الإمساك IH (وهو تيار المصعد الأدنى الذى يحافظ على الثايرستور فى حالة وصل بعد إشعاله) يتحول الثايرستور لحالة الفصل .
والجدير بالذكر أنه يجب توافر شرطين فى إشارة الجهد اللازمة لإشعال الثايرستور VGK , وهما :
1- أن يكون زمن الإشارة كافيا لإحداث إشعال , ويجب ألا يقل عن 10S .
2- أن يكون التيار IG المتولد نتيجة لتسليط إشارة الجهد VGK كافيا لإحداث إشعال عند قيمة VAK , علما بأنه يطلق على أدنى جهد لازم لإشعال الثايرستور VGT وأدنى تيار بوابة لإشعال الثايرستور IGT .
ويتحول الثايرستور لحالة الوصل فى زمن يتراوح ما بين (1 : 5 S ) , ويجب ألا يقل تيار البوابة اللازم لإشعال الثايرستور عن ( 2 : 4 IG ) .

طرق إطفاء الثايرستور :
من المشاكل التى نتعرض لها فى دوائر الثايرستور مشكلة إطفاء الثارستور , أى تحويله لحالة القطع , حيث يبقى الثايرستور فى حالة وصل طالما أن تيار المصعد IA أكبر من تيار الإمساك IH .
وهناك عدة طرق لإطفاء الثايرستور نذكر منها :
1- استخدام الثايرستور فى دوائر التيار المتردد . فمن المعروف أن الموجة الجيبية للتيار المتردد تصل للصفر مرتين فى الدورة الواحدة , وحيث أن الثايرستور يعمل كموحد فإنه يعمل على إمرار نصف الموجة الموجب فقط , وبمجرد وصولها للصفر يحدث إطفاء ذاتيا للثايرستور
Self commutation , ويتحول الثايرستور لحالة القطع إلى أن يتم إشعاله مرة أخرى .
2- استخدام الثايرستور فى دوائر توحيد الموجة الكلملة غير المرشحة , حيث ينطفىء الثايرستور كلما أصبح فرق الجهد بين المصعد والمهبط مساويا الصفر لانخفاض تيار البوابة فى هذه الحالة عن تيار الإمساك IH .
3- استخدام مفتاح يدوى أو مفتاح الكترونى بالتوازى مع الثايرستور , فبمجرد غلق المفتاح ينطفىء الثايرستور لتحول مسار التيار المار فى الثايرستور ليمر فى المفتاح .
4- استخدام مفتاح يدوى بالتوالى مع الثايرستور , فبمجرد فتح المفتاح اليدوى ينطفىء الثايرستور لانعدام مرور التيار فى الثايرستور .
5- توصيل مكثف مشحون بالتوازى مع الثايرستور بطريقة تجعل الثايرستور يتعرض لجهد معاكس بين المصعد والمهبط فيقل تيار المصعد IA إلى قيمة أقل من تيار الإمساك IH , فيتحول الثايرستور لحالة لبقطع .

زاوية إشعال الثايرستور Fire angle ( ) :
من أهم المصطلحات الفنية المستخدمة مع الثايرستور زاوة الإشعال ( ) وهى الزاوية التى يتحول عندها الثايرستور من حالة القطع لحالة الوصل , وذلك لحظة وصول إشارة إشعال البوابة .
الشكل التالى يبين دائرة للتحكم فى محرك تيار مستمر مستخدما ثايرستور (الشكل أ ) وشكل موجة الجهد على أطراف المحرك , وكذلك نبضات إشعال الثايرستور (الشكل ب ) .






ويلاحظ أن نبضة الإشعال تصل للبوابة عندما تكون = 90 , ويكون الجهد على أطراف المحرك هو الجزء المهشر فقط أما باقى الموجة الموحدة فتكون على أطراف الثايرستور VAK .
ويعمل الثايرستور تماما كموحد , حيث يمنع وصول نصف الموجة السالب للمحرك , ويلاحظ أنه كلما ازدادت زاوية الإشعال قل جهد أطراف المحرك , ويساوى صفرا عندما تكون زاوية الإشعال مساوية 180 , بينما يكون الجهد على الحمل أكبر ما يمكن عندما تكون زاوية الإشعال مساوية للصفر .


الصورة الرمزية F.Abdelaziz
F.Abdelaziz
:: استاذ و مشرف قسم الالكترونيات ::
تاريخ التسجيل: May 2007
المشاركات: 6,832
نشاط [ F.Abdelaziz ]
قوة السمعة:
قديم 14-07-2012, 08:52 PM المشاركة 15   
افتراضي الترياك Triac :


الترياك Triac :
يتميز الترياك عن الثايرستور بأنه يسمح بمرور التيار فى الاتجاهين . وللترياك ثلاثة أطراف تماما مث الثايرستور , وهى : المصعد الأول ويرمز له A1 أو T1 أو MT1 , والمصعد الثانى ويرمز له A2 أو T2 أو MT2 , والبوابة ويرمز لها G . وفيما يلى رمز الترياك :





الشكل التالى يعرض منحنى الخواص , والذى يعطى العلاقة بين تيار المصعد IA وفرق الجهد بين المصعدين VA1-A2 .
ويلاحظ أن الترياك يسمح بمرور التيار فى الاتجاهين , ويتحول لحالة الوصل ON إما ذاتيا عند وصول فرق الجهد بين المصعدين لجهد الانهيار الفوقى +VBO , أو عند وصول نبضة تيار البوابة , وذلك عند تحقق أحد الحالات التالية :
1- عندما يكون جهد MT2 موجبا وجهد البوابة G موجبا تصل نبضة موجبة , ويرمز لها عادة بالرمز I+ .
2- عندما يكون جهد MT2 موجبا وجهد البوابة G سالبا تصل نبضة سالبة , ويرمز لها عادة بالرمز I- .
3- عندما يكون جهد MT2 سالبا وجهد البوابة G موجبا تصل نبضة موجبة , ويرمز لها عادة بالرمز III+ .
4- عندما يكون جهد MT2 سالبا وجهد البوابة G سالبا تصل نبضة سالبة ويرمز لها بالرمز III- .
والجدير بالذكرأن حساسية الترياك تكون أكبر ما يمكن عند الحالة I+ , و III- , وتقل الحساسية نوعا ما فى الحالة I- , وتكون الحساسية أقل ما يمكن فى الحالة III+ , ولذلك لا تستخدم هذه الحالة عادة لإشعال الترياك.
وهناك حدود لاستخدام الترياك فى التحكم فى دوائر القوى , وذلك لأن الحد الأقصى للجهد العكسى للترياكات يساوى 1000V وتيارها الأقصى 200A , كما أن تركيب الترياك يجعله مناسبا عند الترددات 50 : 60 HZ فى حين أن الثايروستورات يمكن استخدامها عند ترددات تصل إلى 600HZ وكذلك عند الجهود والتيارات الفائقة . فعند التيارات والجهود العالية جدا يمكن استخدام عدد 2 ثايرستور موصلين خلفا لخلف للحصول على مكافىء للترياك , وذلك عند عدم توفر ترياك يتحمل هذه التيارات ةهذه الجهود . والشكل التالى يبين طريقة توصيل تايرستورين للحصول على مكافىء للترياك :


ولا تختلف زاوية إشعال الترياك عن زاوية إشعال الثايرستور . الشكل التالى يبين دائرة ترياك تتحكم فى سخان كهربى وشكل موجة الجهد على أطراف السخان VH , وكذلك نبضات إشعال الترياك IG .

حيث إن :
T تعنى دائرة إشعال الترياك .
ويلاحظ أن نبضات الإشعال تصل لبوابة الترياك فى نصف الموجة الموجب , وكذلك نصف الموجة السالب , كما أن الترياك يمرر التيار فى الاتجاهين .
والجدير بالذكر أنه كلما ازدادت زاوية الإشعال قل الجهد المسلط على الحمل VH (الجزء المهشر) . فعندما تكون مساوية 180 فإن الجهد المسلط على الحمل سيساوى صفرا , وعندما تكون مساوية للصفر فإن الجهد المسلط على الحمل VH سيكون أكبر ما يمكن .


الصورة الرمزية F.Abdelaziz
F.Abdelaziz
:: استاذ و مشرف قسم الالكترونيات ::
تاريخ التسجيل: May 2007
المشاركات: 6,832
نشاط [ F.Abdelaziz ]
قوة السمعة:
قديم 15-07-2012, 02:31 AM المشاركة 16   
افتراضي الثايرستور ذات بوابة الإطفاء Gate turn off thyristor (GTO)


الثايرستور ذات بوابة الإطفاء Gate turn off thyristor (GTO)
تعد صفة الإمساك للثايرستور ات العادية SCRs من أهم عيوبها , حيث تظل الثايروستورات العادية فى حالة وصل on إلى أن ينخفض التيار المار فيها عن تيار الإمساك . أما GTO فيمكن إشعاله وإطفاؤه فى أى لحظة . فعند وصول نبضة جهد موجبة للبوابة يشتعل GTO , وعند وصول نبضة جهد يالبة للبوابة ينطفىء GTO , ويلاحظ أن عدد أرجله ثلاثة , وهى : المهبط Cathode (K) , والمصعد Anode (A) , والبوابة Gate (G) .





مميزات وعيوب GTO :
أولا مميزاته :
1- له سرعة وصل وفصل كبيرة جدا مقارنة بالثايروستورات المعتادة خصوصا عند الترددات التى تصل إلى 10KHZ .
2- يمكن إشعالها بتيار بوابة يساوى عدة عشرات من الملى أمبيرات , ويمكن إطفاؤها بتيار بوابة حوالى عدة مئات من الملى أمبيرات .
ثانيا عيوبها :
1- ارتفاع فقد الجهد بين مصعده ومهبطه عند تحوله لحالة الوصل , فيصل فقد الجهد بين مصعده وهبطه 3 : 4 V , فى حين يتراوح فقد الجهد بين مصعد ومهبط الثايرستور العادى ما بين 1 : 2V .
والجدير بالذكر أنه يطلق أحيانا على GTO اسم مفتاح ببوابة تحكم Gate controlled switch (GCS) .



الساعة معتمدة بتوقيت جرينتش +3 الساعة الآن: 03:17 PM
موقع القرية الالكترونية غير مسؤول عن أي اتفاق تجاري أو تعاوني بين الأعضاء
فعلى كل شخص تحمل مسئولية نفسه إتجاه مايقوم به من بيع وشراء وإتفاق وأعطاء معلومات موقعه
التعليقات المنشورة لا تعبر عن رأي موقع القرية الالكترونية ولايتحمل الموقع أي مسؤولية قانونية حيال ذلك (ويتحمل كاتبها مسؤولية النشر)