 |
|
|
|
|||||
مثلا فى عالم المياه والتى دوما ما تشبه بها الكهرباء لو أنك أحضرت صنبور نصف بوصة إو 8مم كالذى بالمنازل مثلا و يستطيع تمرير 100 لتر من المياه فى الدقيقة.. لو أغلقته للمنتصف سيمرر 50 فقط لو أنك وصلته بخزان كبير شبه فارغ يستطيع فقط إمرار لتر واحد من المياه فستجد الصنبور لا يتحكم فى مسار المياه (طبعا إلا إذا حاولت اغلاقه تماما) لكن تعديل اليد مثلا من 2 لتر إلى 8 لتر لن يغير فى الماء المار شيئا (لا تحكم ولا تكبير) الآن نرفع الفولت أو ارتفاع المياه ليزيد التيار سواء الماء أو الكهرباء سيزداد التيار حتى يصل 5 لتر فى الدقيقة وهو بالكاد حدود الصنبور عند هذه الوضعية و فى الحالات السابقة سيعبر الماء بسلاسة دون أى فرق ضغط بين الدخول و الخروج فالمسار "مفتوح" لهذا القدر من الماء الآن لو حاولنا أن نزيد الإرتفاع و التيار أمامك أم من إثنين أن تكتفى بهذه اللترات الخمسة و يظهر فرق ضغط (فرق جهد) بين المصدر و المصب أو تعيد تغيير حالة اليد ليمرر القدر الجديد إذن هنا عاد للتحكم الآن استبدل الصنبور بصنبور حريق يمرر 1000 لتر فى الدقيقة أو الترانزيستور الذى يتحمل 100 مللى بآخر يتحمل 100 أمبير نفس النظرية تنطبق لكن الأرقام كلها ستضرب فى 100 لو الشرح غير كافى وتريده بالنسبة لتركيب الترانزيستور من الداخل اخبرنى |
| اعلانات |
|
||||||
|
|
| اعلانات اضافية ( قم بتسجيل الدخول لاخفائها ) | |
|
|
|
|||||
|
كما سبق التوضيح فى السلسلة هذا مقطع جانبى لتركيب الترانزيستور  الجزء الخارجى و المسمى Substrate أى الأساس تستخدم لعزل الترانزيستورات عن بعض و هى لازمة لتصنيع الترانزيستورات آليا بكميات حيث تكون قرص من السيليكون الرقيق بأقطار كبيرة تكفى لصنع الآلاف معا و مغذى بشوائب عالية لتكون موجب P بالتصوير الضوئى وإمرار غازات بها شوائب مرة خماسية و مرة ثلاثية يشكل داخلها الترانزيستورات بشكل مربعات متداخلة تكون من الخارج للداخل كما بالرسم المجمع ثم القاعدة ثم الباعث مما سبق نجد أن كل جزء به شوائب ثلاثية و خماسية معا و ما تزيد نسبته يفرض نوعة فإن زادت الشوائب الثلاثية عن الخماسية أصبح هناك فجوات أكثر و أصبح P و العكس بالعكس لا يكون هناك ترانزيستور مالم يكن 1- لدينا ثلاث طبقات الوسطى من نوع مختلف 2- الوسطى وهى القاعدة Base رقيقة جدا ولا تكفى لتمرير التيار القادم من الباعث Emitter و إلا سيمر كل التيار من الباعث للقاعدة From Emitter to Base خارجا منها ولا شيئ يصل للمجمع Collector الآن نفترض نوع س م س NPN للسهولة نحاول نحن بالدائرة الخارجية تمرير تيار بين الباعث E و القاعدة B تيار و ليكن 101 مللى أمبير نظرا لرقة سمك القاعدة لا تستطيع تمرير سوى 1 مللى فقط و لو دائرة المجمع متصلة ببطارية و حمل سيمر فيها 100 مللى الباقية و إلا لن تدخل أصلا من الباعث E و هكذا نقول أن بيتا = 100 لأن 1 مللى فى القاعدة B سببت 100 فى المجمع لو عدلنا دائرة المجمع لتسحب 50 فقط، و انت تمرر ذات الواحد مللى فى القاعدة (لاحظ أن لدينا دائرتين مستقلتين) إذن الفرق من الإلكترونات ستتراكم فى منطقة المجمع مسببة شحنة تسمى saturation charge أو شحنة التشبع (ستعوق محاولة القطع لاحقا) وهى بالمثال السابق بمياه الصنبور لو أن الصنبور مفتوح للنصف فيمرر 50 لتر ثم وضعت خرطوم رفيع يسحب 10 لتر فقط ستجده يطلق مياه كثيرة و هناك تراكم للمياه ظهر فى الجزء من مقبض تحكم الصنبور و داخله حتى فوهة الخرطوم (إلا أن الترانزيستور تتراكم داخله أكثر بكثير لفرق جودة توصيل السلك الخارجى عن توصيل السيليكون الداخلى وهو صعب تحقيقة فى مثال المياه و الذى سيفرض بطبيعة الحال العكس) هذه الحالة التى نسميها التشبع حيث قد خرج الترانزيستور عن التحكم فهو سامح بتيار لا تسحبه الدائرة الخارجية أما لماذا انخفض الفولت عند التشبع بين المجمع و الباعث، تذكر ما ذكرته فى أول هذه المشاركة عن التصنيع وهو أن الشوائب العالبة هى التى تفرض النوع أى بتوافر الإلكترونات ستتعادل كل الفجوات ثم يصبح عدد الإلكترونات أكبر من الفجوات فتنقلب الطبقة الوسطى من موجب P إلى سالب N أى نظريا يكاد يكون الترانزيستور قطعة واحدة سالبة نفس هذه الظاهرة ستتكرر فى ترانزيستور الموسفيت لاحقا |
|
||||||
|
|
|
|||||
|
|
|
|||||
|
أنواع أخرى من أشباه الموصلات
أنواع أخرى من أشباه الموصلات ترانزيستور أحادى الوصلة Uni-Junction Transistor UJT تركيبه مشابه للترانزيستور FET المسمى بتأثير المجال إلا أنه يختلف جوهريا فى نقاط قليلة تجعل أداؤه مختلفا – هذا الشرح موجود فى هذا الرابط http://www.ase-museoedelpro.org/Muse...transistor.pdf  يتركب من شريحة من السيليكون السالب و على طرفيها وصلتان معدنيتان تسميان القاعدة 1،2 أى B1,B2 و على الجسم نقطة سيليكون موجبة و تسمى باعث أو E ، و بهذا تشكل وصله ثنائية كدايود ، و الإختلاف هنا أنها لا تلتف حول البللورة كما فى الترانزيستور FET ، و أيضا وهذا هام جدا، أن فى الترانزيستور FET (حيث تسمى بوابة) لا يمر فيها أو منها تيار لجسم الترانزيستور، أما هنا فإليك هذا الشرح . تعمل البللورة السالبة كمقاومتين لمجزئ جهد بين القاعدة B2 وبين الباعث E و بين الباعث E و القاعدة B1. جدير بالذكر هنا أن نقول أن المقاومة الأومية بين الباعث و القاعدة السفلية B1 من 5 ك أوم إلى 10 ك وهذا خلاف ثالث حيث معظم الترانزيستورات FET تكون مقاومتها أقل بكثير و تزداد مع جهد البوابة. عندما يزداد جهد الباعث من صفر ، ستكون الوصلة معكوسة ولن يمر تيار من الباعث E لجسم البللورة، و عندما يرتفع جهد الباعث E عن جهد المجزئ المشكل من البللورة، سيبدأ التوصيل و تمر الإلكترونات بين الباعث و القاعدة السفلية B1 . أرجو أن نتذكر تركيب أشباه الموصلات و أن نتذكر أن جودة التوصيل لبللورة تعتمد أساسا على نسبة الشوائب أو بتعبير آخر على توافر الإلكترونات الحرة. هنا مجرد مرور هذه الإلكترونات سيزيد من جودة توصيل الجزء من الباعث E و القاعدة السفلى B1 مما يشكل مقاومة سالبة أى تنقص قيمتها مع زيادة جهد الباعث E و بالتالى زيادة التيار من الباعث إلى القاعدة السفلية B1 مسببة مسار منخفض المقاومة بين الباعث E و القاعدة السفلى B1 وهو يسبب زيادة التيار و الذى يسبب مزيد من تناقص المقاومة وهى لذلك تسمى "المقاومة السالبة" و تسبب شبة قصر لا يحدة سوى مصدر تغذية الباعث E ولهذا فهو يستخدم كمذبذب، وإن كان له العديد من التطبيقات الأخرى فى قدح الثايريستور لدوائر تغيير الإضاءة و التحكم فى الموتورات و دوائر الصوت و عدادات النبضات و مقياس السرعة الخ.  فى الصورة الدائرة التقليدية للعمل كمذبذب و العلاقات الرياضية المستخدمة حيث يوصل الترانزيستور بالتغذية V1 و مقاومتى الحمل R2,R3 أما مكونى التردد هما R1,C ، أيضا فى المعادلات نجد الجهد على الباعث VE وهو موجة مثلثة أو سن منشار القيم الأخرى مثل النسبة الضمنية Ƞ وهى نسبة المقاومات و الجهد Vv جهد القاع و Vp جهد القمة و المقاومة بيم القاعدتين Rbb فى الداتاشيت للترانزيستور.  فى هذه الدائرة نجد تطبيق كدائرة تأخير حيث باستخدام ريلاى ذو قطبين مزدوج المسار DPDT و نستغل مسار منهما كما يلى : بوضع المفتاح Sw1 على وضع التوصيل، سيدخل التيار عبر تلامسات الريلاى كمصدر للدائرة فلا يتم التوصيل حتى يشحن المكثف CT من خلال RT و التى من 3 ك حتى 100 ك لتعطى قرابة 50 ثانية و عندها سيقدح الترانزيستور فيوصل التلامس التيار عبر مقاومة 330 أوم مباشرة لملف الريلاى ليستمر فى التوصيل. يلاحظ هنا أن المقاومة 330 أوم 2 وات تم حسابها على المكونات المعطاة لكن فى الواقع سيكون للريلاى فولت محدد و مقاومة يمكن قياسها بالآفو او من الداتا شيت و طبعا بالقسمة نعرف التيار له و جهد المصدر معلوم و من قانون أوم نعلم القيمة فمثلا لو الريلاى 9 فولت و الدخول 16 فولت و مقاومته 450 أوم سيكون التيار 9 مقسومة على 450 تعطى 0.02 أمبير و المقاومة المطلوبة 16-9 =7 فولت عليها و تقسم على 0.02 تعطى 350 أوم بقدرة = الفولت × التيار = 7 × 0.02 = 0.14 وات أى ربع وات تكفى. المرة القادمة إن شاء الله نتحدث عن الداياك |
|
||||||
|
|
|
|||||
|
|
