|
الحمدلله رب العالمين
لا انكر فضل الله سبحانه وتعالى
استاذ ماجد
ان IGBT يجمع محاسن كل من الموسفيت والترانزستور بالاضافة الى انه يتحمل 60امبير
|
و مساوئهما أيضا
عموما هذا كلام دردشة و ما تتصرفه القطعة مطابق للداتاشيت وليس ما أقول أنا أو تقول أنت
هو خرجه NPN ترانزيستور و معروف عن الترانزيستورات أنها تسخن تقل مقاومتها و تمرر مزيد من التيار لتسخن أكثر
إقرا عن Current Hogging و Hot Spots
بالنسبة لديود الحماية موجود داخل ال IGBT
ومع هذا انا وضعت ييود خارجي للحماية
بالضافة الى دارة سنايبر وهي مكثف مقاومة ديود على طرفي الملف
|
حسنا هذا يكفى و لكن هذا هو الداتا شيت
http://www.datasheetspdf.com/PDF/60N60/611168/1
لا دايود داخلى
واثناء اختباره على وشيعة تركته اكثر من ربع ساعة يعمل ولم ترتفع حرارة الموسفيت ابدا
بالاضافة الى انني وضعت فيوز 20امبير على الدخل
لم استطيع تفسير ما الذي حصل رغم كل اجراءات الحماية
برأيك ما الذي حصل وكم امبير تم استجراره لحظة القصر؟
|
وهذا ما قلته فى مشاركتى السابقة و تعيد السؤال عنه مره أخرى
انت لم تحدد التيار عند قيمة محددة
ولما حددته الدائرة الخارجية بهذا أو ذاك ، عملت الدائرة كما يجب ولما تركت له العنان
عند القصر على الخرج سيكون قصر على الدخل
الفيوز لا يحمى أشباه الموصلات لأنه ابطأ كثيرا عنهم
هناك فيوز خاص لهذا التطبيق يسمى
High rupture أو سريع القطع ولا اعلم اسمه خارج مصر
هو مخصص لحماية أشباه الموصلات فى الدوائر الإلكترونية مثل الثايريستور و الترانزيستور الخ