اخي احمد
البافر يعني نخلي قيمة output نفس قيمة input يعني في الامثله اذا كان داخل high input كان الي output عباره عن low ,ومقاومة البافر لازم تكون عاليه جدا
السؤال كيف نوصل مقاومة الحمل حتى نحصل على input نفس output,؟؟؟؟
والبافر هوه في النهايه مفتاح

اقتباس المشاركة الأصلية كتبت بواسطة osama matar اخي أحمد سيبك من الليدات وخليها لموضوع مستقل وحاول الآن إنهاء موضوع كيف نصمم الترانزيستور للعمل كمفتاح حاول تلخيص النتيجة لكي تضيفها لمشاركتك الأولى في هذا الموضوع بس بأقل المعادلات يعني ببساطة وحاجة مهمة جداً عاوز أقولك إياها البرنامج الذي تعمل عليه المحاكاة فعلاً بسيط ولكنه غير دقيق وقد يوقع مستخدمه في الخطأ وطبعاً لأنه لم يكتشف الفرق بين BC547 و BD135

السلام عليكم اخى اسامة
البرنامج اللى عندى بسيط ومش عارف تقصد ايه بانه لم يكتشف الفرق بين الترانزستورين ؟
على فكرة عاوز اقولك شيئ بسيط انه فى حالة عمل الترانزستور كمفتاح طالما دخلت الترانزستور فى التشبع اصبح الترانزستور يسلك سلوك المفتاح يعنى لن تجد فرق واضح والفرق فقط بين قراءات الجهد بين الوصلات مجمع /مشع وقاعدة مشع اثناء التشبع
وانا شايف انه قراءاته اضبط من قرءات البرنامج تبعك على الاقل انه لم يظهر قراءة 2 فولت فقط على الليد واخفى باقى الخمس فولت هههههههه

دقة البرنامج عندى رائعة ولاحظتها لم ادخلت اى ترانزستور فيهم التشبع وغيرت فى قراءات تيار القاعدة ولم يظهر تغير واضح فى قراءات تيار المجمع

بالنسبة للمعادلات اخى اسامة فانا شرحتها اكثر من مرة وهى بسيطة جدا
فدائرة المجمع عيارة عن بطارية ومقاومة الحمل او المجمع وتيار المجمع والجهد المستهلك على وصلة المجمع مشع (بناخذه من الداتا شيت وهو عامة 0.2 فولت لمعظم الترانزستورات ويمكن اهماله )وبطبق قانون اوم عادى

تيار المجمع = جهد البطارية /مقاومة الحمل

ثم نحسب تيار القاعدة من علاقة بيتا
وبنضاعف القيمة دى لتيار القاعدة ثلاث او خمس اضعاف على حسب المصمم
وذلك حتى تضمن دخول الترانزستور بشكل تام فى التشبع
بعدين بتحسب قيمة مقاومة القاعدة من خلال تطبيق قانون اوم على دائرة القاعدة وهى

تيار القاعدة = الجهد المسلط عليها - 0.7 (او اكثر حسب القراءة عندك )/تيار القاعدة

لو طلعت لك قيمة كسرية بتاخد قيمة اقل حتى تقدر الجصول عليها من السوق

اخر شيئ هتكلم عنه لما ارجع للبيت ان شاء الله لانى فى المصيف وبكتب لك من سيبر هى استخدام دائرة دارلنجتون كربط بين حمل تياره كبير وبين خرج متحكمة تيار خروجها قليل

ثم يااخى اسامة المفروض كل اخ ينفذ الدائرة للترانزستورين بتوعك ونتناقش فيها ونشوف اين الخطأ
يعنى انا لست مجرد شارح وخلاص ولكن نحن نريد ان نتناقش ونتبادل الاراء والخبرات

فاين باقى مساهمات الاخوة؟

جزاك الله خير اخى الغالى ابو قشة
ياعم شارك باى سؤال واعتبر نفسك بتكلم بلسان المبتدئ حتى اعيد شرح اى شيئ غير مفهوم

مش مركز معاك والله ياباسل لم ارجع البيت باذن الله هنتناقش فى موضوع البافر
جزاك الله خير على مشاركتك واهتمامك

اقتباس المشاركة الأصلية كتبت بواسطة ahmed115 جزاك الله خير اخى الغالى ابو قشة

[QUOTE=ahmed115;413634]

[QUOTE=ابوقشه;413729]
ههههههههههههههه
ياعم ولا لحمة ضانى ولا بتلو والله قمة فى السهولة الموضوع ده
ومتضحكش علينا بموقع مشهور دور لنا على موقع محدش يعرفه
الف شكر حبيبنا ابو قشة على اهتمامك
وجزاك الله خير

[COLOR="Blue"]السلام عليكم اخوانى

نقطة مهمة جدا اخوانى الاحبة انتبهت اليها صدفة تخص موضوعنا عمل الترانزستور كمفتاح وهى:

هل الجهد بين المجمع والمشع VCE يتوقف فقط على شدة تيار القاعدة لان تيار القاعدة يتناسب عكسى مع المقاومة الداخلية بين المجمع والمشع RCE

فكما لاحظتم معى انه لكى ندخل الترانزستور منطقة التشبع يجب ان نزيد تيار القاعدة لدرجة تفتح الترانزستور على الاخر اى تقلل المقاومة بين وصلة المجمع والمشع الى الدرجة التى تجعل الجهد عليها يقترب من 0.2 فولت
عندها ستجد ان اى تغيير فى قيمة تيار القاعدة لن تجد استجابة له لتيار المجمع طالما مازال الجهد بين تلك الوصلة = او اقل من 0.2 فولت تقريبا
واضفنا شيئ اخر كان تحت التجربة وهو انه يجب ان يزيد الجهد بين القاعدة والمشع عن 0.7

وللاجابة على سؤالى نرجع الى الجهد على اى نقطة مالذى يتحكم فيه؟
يتحكم فيه شدة التيار المار فى الدائرة وقيمة المقاومة
وفرضا ان تيار القاعدة قد اوصل تلك المقاومة الى قيمة صغيرة جدا جعلت الجهد على وصلة المجمع مشع تقريبا 0.2 فولت فهل معنى ذلك ان تيار المجمع لاتاثير له على جهد المجمع مشع؟

طبعا له تاثير كبير لان الجهد بين المجمع والمشع ماهو الا حاصل ضرب تيار المجمع فى مقاومة المجمع / مشع
ولو كانت تلك القيمة = 0.2 فولت او اقل عند حمل معين فيمكن ان ترتفع الى قيمة اعلى حسب مقاومة الحمل كما نعلم فكلما قلت مقاومة الحمل زاد تيار المجمع وعليه زاد الجهد بين المجمع والمشع لدرجة ممكن ان تخرجه من حالة التشبع وتدخله الى منطقة التشغيل تحت نفس تيار القاعدة الذى كان قد ادخل الترانزستور منطقة التشبع سابقا

ولذلك يمكن ان تجد الترانزستور تحت نفس تيار القاعدة يمكن ان يعمل مكبر او يعمل كمفتاح وذلك حسب قيمة الحمل على المجمع الذى بواستطته ايضا نتحكم فى الجهد بين المجمع والمشع

وكشرح مااقول عمليا لاحظنا فى مثال الريلاى ان تيار القاعدة الذى يعمل عنده الريلاى كان 2.1 مللى مع تيار مجمع حوالى 50 مللى والجهد بين المجمع والمشع حوالى 0.05 فولت سنغير الريلاى بمقاومة 100 اوم متغيرة لنلاحظ تغيير واضح وهذا طبيعى فى قيمة الجهد VCE
واضع اولا القراءات عند 100 اوم وقراءة عند 10 اوم ونلاحظ الفرق ونقارن

الصورة الاولى عند مقاومة حمل 100 اوم

ملحوظة مهمة : المقاومة الثابتة واحد كيلو على القاعدة دائما توضع لحماية القاعدة من التيار الزائد اذا وصلت المقاومة المتغيرة الى الصفر



القراءات للجهد بين المجمع والمشع 0.05 تقريبا كانها مقاومة ملف الريلاى

نغير المقاومة الى 10 اوم نلاحظ مايلى



ارتفع الجهد بين المجمع والمشع من 0.05 فولت الى 2.7 فولت واصبح تقريبا = نصف قيمة البطارية اى اصبح فى صورة مثالية للعمل كمكبر فهل هذا صحيح ؟

لكى نتاكد معنى مكبر ان اى تغيير فى تيار القاعدة يصاحبة تغير فى تيار المجمع بنفس قيمة بيتا تقريبا
فرجع الى مقاومة القاعدة المتغيرة ونغير فيها نلاحظ فعلا تغير فى تيار المجمع بشكل واضح


سؤال مهم : هل تستطيع ادخال الترانزستور الى منطقة التشبع عند هذا الحمل (10 اوم)

نقوم بتقليل مقاومة القاعدة حتى الصفر ( ازالتها ) ماذا نلاحظ؟




لم نستطع ادخال الترانزستور منطقة التشبع عند حمل 10 اوم لان الجهد بين المجمع والمشع لم يصل الى قيمة 0.5 فولت من الداتاشيت او 0.2 فولت عامة للامان ووجدناه حوالى 0.9 فولت ونحتاج لتقليل قيمة مقاومة القاعدة الى اقل من مقاومة الحماية 1كيلو وهذا خطر

لاحظ معى ان تيار القاعدة حوالى 4 مللى امبير وتيار المجمع حوالى 400 مللى امبير اى بيتا له = 100

ولاحظ ان هذه التجربة لاتنفع مع الترانزستور BC547
لان اقصى تيار له 100 مللى وستجد انه سينفجر