|
معلش اخ ماجد لو لاحطت ان الترانسستور موصل بطريقة مجمع مشترك يعني لازم يكون npn و ليس كما قلت فهو موصل لتكبير التيار وليس الجهد
|
ولو لاحظت أخ mshal انى ذكرت أن الدائرة الصحيحة بالداتا شيت أى من الصانع وليست من أفكارى
هذه هى الدائرة التى وضعتها أنت سابقا

لو قرأت الداتا شيت ستجد أن LM317 تثبت الجهد بين طرفى الخرج رقم3 و الضبط رقم 1 على قيمة 1.25 فولت وهذا أيضا من الداتا شيت وليس كلامى
لو راجعت أيضا الداتا شيت لترانزيستورات القدرة ستجد أن جهد القاعدة/باعث ليس ثابتا عند 0.6 فولت ولكنه يتغير حسب التيار و درجة الحرارة
تغير جهد القاعدة/باعث ستعوضه المتكاملة بتغيير الخرج بين طرفى 3،1 و الفرق سيكون على لمقاومة R1 و هذا يغير التيار والذى يمر بدوره فى P1 فيتغير الخرج كليا
كما ان فى صفحة 5 ستجد بيان
minimum Load current أى الحد الأدنى للتيار وهو فى حدة الأقصى من 3.5 مللى أمبير حتى 10 مللى وهو مشروح بصفحة 8 وهذا هو السبب فى جعل المقاومة R1 صغيرة القيمة و لا تزيد عن 240 أوم لكى تمتص هذا التيار و الذى لو لم يسحب سيسبب ارتفاع جهد الخرج كما شرح فى صفحة 8
توصيل الخرج مباشرة لقاعدة ترانزيستور سيجعل هذا التيار يكبر

من المرات اى 40 تقريبا فى 2N3055
هذه الدائرة من الداتا شيت أيضا و ليست من أفكارى صفحة 17 لشركة National Semiconductor

وبحذف الملف و الثنائى D1 يكون خطيا بدلا من switching