بارك الله فيكم على هذا الشرح بس ممكن اعرف معنى الرموز اللى بتكون مكتوبه على الترنزستورمثل s9014وجزاكم الله كل خير

بسم الله الرحمن الرحيم
اولا اود ان اوجه شكري للاخوة ومساهماتهم الجميلة ولكن...

لي بعض الملاحظات في الموضوع

اولا:-
الى الاخ بلو ري
اود ان اقول لك شكرا على اجتهادك ولكن تحقق من معلوماتك قبل نشرها فلقد اخطات في عدد من النقاط

1-انت قلت ان الترانزستور مصنوع من الكربون وان الكربون يحتوي 4 الكترونات في المستوى الخارجي وهذا خطا
لان الواقع ان الترانزستور مصنع من مادة السليكون او الجرمانيوم الذي يحتوي على 4 الكترونات في المستوى الخارجي

2- انت والاخ بوعبده قلت ان قاعدة الترانزستور تكون دائما في الوسط وهذا خطا لان الواقع القاعدة قد تكون في الوسط او الاطراف ويمكن معرفة اطراف الترانزستور عن طريق الداتاشيت الخاصة به

ثانيا:-
الى جميع من مر بالموضع وقدم شكره الحار على الموضوع الجميل دون ان يكلف نفسه عناء قراءته
ارجو منكم ان تقدموا شكركم اوانتقادكم بعد قراءة الموضوع

ثالثا:-
الى الاخ فهد
انت المشرف العام وتقوم بنشر المواضيع على واجهة القرية لذلك اتمنى منك ان تكون اكثر انتباها في المعلومات التي تقوم بنشرها وان تتاكد من صحتها قبل وضعها على واجهة القرية لا ان تقوم بنشر اي كلمة كتبها اي كان على هواه ليضع علما جديدا دون ان يكون له اي اساس من الصحة

وهذا لتعم الفائدة وللحفظ على مستوى روادها

السلام عليكم ..

اخي الكريم شكرا لأنتقادك وحرصك على القرية .. واحب أن ارد بنقاط محدده ..

اولا .. بحسب علمي ان الترانزيستور مكون من عناصر شبه موصله من السيليكون او الجرمانيم ويطعهم بالكربون على القاعدة Base

ثانيا .. انا معك ان الفاصل الذي يحدد طريقة توزيع الارجل هو الداتا شيت لهذا الترانزيستور وهو يختلف بين ترانزيستور واخر ..

ثالثا .. أغلب مواضيع الواجهه بما فيها هذا الموضوع تحتوى على عبارة في نهايته .. تمكن المتصفح من الرد والمناقشة والتصحيح ان لزم الامر وكثيرا من المواضيع تم تصحيحها بهذه الطريقة ..

رابعاً .. أقسام القرية كثيرة ومتعدده .. ولا يمكن لشخص مهما امتلك من العلم والخبرة الالمام بجميع اقسامها .. لهذا دائما الباب مفتوح للأنتقاد والتصحيح والمساعدة في اختيار الافضل لنقله لصفحات القرية ..

:can:

يا شباب الحين احنا في عصر الشرح الممل وفي طلااب يبون يعرفون كيف يتم التعرف على الترانزستور عن طريق ارجل الفولتميتر وليس دائما تكون الرجل الوسطى هي القاعدة للترانزستور مثال ترانزستور Bd131\bd132

ممكن من المشتركين استخدام الرموز الالكترونيه

شكرا جدا جدا

انواع الترنزستور متعدده واشهرها PNP و NPN وهناك نوع يسمى موس فت (MOSFET)
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
ترانزستور التأثير المجالى والمصنوع من أشباه الموصلات والأكسيد والمعدن

تعتبر أشباه الموصلات النقية (مثل الجرمانيوم والسليكون) موادا ليست جيدة التوصيل للكهرباء كما أنها ليست
رديئة التوصيل للكهرباء . وتتوزع الإلكترونات فى أشباه الموصلات حول أنويتها فى مدارات ولكن تتميز أشباه الموصلات النقية
بوجود 4 إلكترونات فقط فى المدار الأخير مما يجعلها مستقرة . أى أنها لا تنقل الكهرباء إلا بعد أن يتم تحرير إلكترون من
الأربعة عن طريق الحرارة أو عن طريق إضافة شوائب . كما أنها تتحول لعوازل عندما نجبرها على إستقبال إلكترونات
أخرى فى مدارها الأخير (بإضافة شوائب ايضا).

البلورة السالبة N :
بإضافة شوائب من مادة يحتوى المدار الأخير للإلكترونات حول ذراتها على 5 إلكترونات مثل الفسفور أو الزرنيخ إلى المادة
شبه الموصلة تتكون البلورة السالبة N وهى موصلة حيث يزيد فيها عدد الإلكترونات (السالبة) الحرة .

البلورة الموجبة P :
بإضافة شوائب من مادة يحتوى المدار الأخير للإلكترونات حول ذراتها على 3 إلكترونات مثل البورون والألومينيوم والجاليوم
إلى المادة شبه الموصلة تتكون البلورة الموجبة P حيث ينقصها إكتساب إلكترونات للوصول لحالة الإتزان
(يعنى وجود فجوات Holes).

الوصلة الثنائية :
عند توصيل بللورة من نوع P مع بلورة من نوع N كما بالشكل المرفق تنجذب بعض الألكترونات الحرة
من البللورة N إلى الفجوات فى البلورة P وتتكون منطقة وسطية فارغة من حاملات التيار (بعد أن أنجذب كل ألكترون
فى هذه المنطقة مع فجوة ولم يعد حرا) وتسمى هذه المنطقة بالمنطقة الميتة (أو المنزوحة) Depletion Area
ونتيجة لهذه الظاهرة ووجود نوعين مختلفين من حاملات الشحنة على جانبى المنطقة المنزوحة يتكون جهد على هذه المنطقة
يعرف بالجهد الحاجز Barrier Voltage .
والوصلة الثنائية هى فى الحقيقة الثنائى المعروف بالدايود .

الإنحياز الأمامى :
الشكل المرفق التالى يبين الإنحياز الأمامى للثنائى حيث يوصل الطرف الموجب للبطارية بالبلورة P والطرف السالب بالبللورة N
وبهذه الطريقة نستطيع أن نقلل من الجهد الحاجز وندفع الإلكترونات للمرور عبر المنطقة المنزوحة لتغلق الدارة ويمر التيار فيها.


الإنحياز الخلفى (العكسى) :
الشكل المرفق التالى يبين الإنحياز العكسى للثنائى حيث يوصل الطرف الموجب للبطارية بالبلورة N والطرف السالب بالبللورة P
وبهذه الطريقة نستطيع أن نزيد من الجهد الحاجز وندفع الإلكترونات للإنجذاب للطرف الموجب للبطارية والفجوات للإنجذاب
للطرف السالب للبطارية مما يزيد من الجهد الحاجز والمنطقة المنزوحة ويوقف مرور التيار فى الدارة.

ترانزستور التأثير المجالى والمصنوع من أشباه الموصلات والأكسيد والمعدن :

كل هذه المقدمة كانت لوضع الأساس الذى سنستند عليه فى عمل الترانزستور المجالى MOSFET

>> وهو كما بالشكل التالى يتركب من :

1- طبقة سفلية Substrate وهى إما من النوع N (كما بيمين الشكل) أو من النوع P (كما بيسار الشكل)
2- منطقتين من بلورتين من نفس النوع (بعكس الطبقة السفلية N <==> P ) ويمثلان طرفين من أطراف
الترانزستور وهما (المصرف Drain والمنبع Source).
3- طبقة من الأوكسيد (ثانى أكسيد السليكون SIO2) وهى مادة غير موصلة للتيار الكهربى (عازلة).
4- طبقة من المعدن وتمثل الطرف الثالث للترانزستور وهو البوابة Gate

>> ونجد أيضا من الشكل أن هذا الترانزستور له نوعان هما ال P-Cahnnel وال N-Channel
بحسب أختيار نوع الطبقة السفلية والبلورتين الجانبيتين (المصرف والمنبع).

>> ومن النقاط الأربع السابقة نكون قد فهمنا الجزء MOS (شبه موصل - أكسيد- معدن) من أسم هذا الترانزستور .

فكرة عمل الـMOSFET :

فى هذا النوع من الترانزستورات يتم التحكم بتيار الخرج عن طريق جهد (المجال الكهربى) الدخل .. فكيف ذلك ؟
أنظر الشكل التالى (حيث تم توصيل المصرف بالطرف الموجب لبطارية والمنبع بالطرف السالب لها)
1- فى حالة عدم وضع جهد على البوابة Gate فإنه لن يمر أى تيار بين المنبع والمصرف (الشكل الأيسر)
2- فى حالة وضع جهد موجب على البوابة (فى الشكل الأيمن) - لاحظ أن الترانزستور من نوع القناة N -
فإن الإلكترونات الحرة الموجودة فى بلورتى المنبع والمصرف ستنجذب للمجال الكهربى الموجب المتكون عند البوابة
مكونة قناة لمرور التيار بين المنبع والمصرف.
ويتغير حجم هذه القناة تبعا لقوة المجال الكهربى عند البوابة وبالتالى تتغير قيمة التيار المار بين المنبع والمصرف.

3- ى حالة وضع جهد سالب على البوابة (فى الشكل الأيمن) - لاحظ أن الترانزستور من نوع القناة P-
فإن الفجوات الموجودة فى بلورتى المنبع والمصرف ستنجذب للمجال الكهربى السالب المتكون عند البوابة مكونة قناة
لمرور التيار بين المنبع والمصرف.
ويتغير حجم هذه القناة تبعا لقوة المجال الكهربى عند البوابة وبالتالى تتغير قيمة التيار المار بين المنبع والمصرف.

لاحظ أنه لوجود مادة الأوكسيد (العازلة) بين البوابة وبقية الترانزستور فإن التيار لا يمر بينهما .
وفقط يتم التحكم بالتيار المار بين المنبع والمصرف عن طريق الجهد (المجال الكهربى) الموجود على البوابة.

الـMOSFET المتمم (CMOS) :

مصطلح الCMOS هو أختصار للجملة Complementary Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
وهو عبارة عن دارة تجمع بين ترانزستورين من نوعى N-Channel ,P-Channel
ويكون عمله كالآتى :
1- عندما يكون مستوى الدخل منخفضا على البوابة (LOW) يعمل الترانزستور P-MOS FET (أى الترانزستور ذو القناة P) على تمرير التيار من مصدره لمصرفه . ولا يعمل الترانزستور الآخر.
2- عندما يكون مستوى الدخل مرتفعاعلى البوابة (High) يعمل الترانزستور N-MOS FET (أى الترانزستور ذو القناة N) من مصرفه لمصدره . ولا يعمل الترانزستور الآخر.

أى أنه فى دارة الCMOS يعمل الN-MOS و الPMOS بصورة عكسية (أحدهما يمرر والآخر لا).
ويستفاد من هذه الحالة عند التعامل مع تيارت عالية (قدرات عالية) فيخفف ذلك من تسخين كلا من الترانزستورين
حيث يعمل كلا منهما نصف الوقت بينما يريح الأخر مع الحفاظ على حالات الخرج وذلك بإدخال نبضة ساعة على البوابة .

خاتمة :
تعتبر الترانزستورات من نوع MOSFET خليفة الترانزستورات BJT حيث تدخل فى معظم الدارات الحديثة
وخصوصا فى بناء الدارات المتكاملة والدارات الرقمية خاصة لما تتميز به من سرعة فى الأداء خصوصا عند إستخدامها كمفاتيح.