جزاك الله خيرا يا أخى وأكثر من أمثالك فبهذا الرد شجعتنى على تكملة هذه الموسوعة التى ينقصها ردود أعضاء المنتدى إلا من قليل منهم وهؤلاء يكفوننى بردودهم ويشجعوننى صراحة

السلام عليكم أخى البروفسير تحية طيبة اليك والى كل الأعضاء فى هذا المنتدى الكبير
موضوع أكثر من رائع وان دل فيدل على مدى ثقافتك المهنية والفنية التى قد لا توجد عن الكثير جزاك الله خيرا واكثر من أمثالك

هى عبارة عن سلك من النحاس مطبوع على لوح من البكاليت .
يرمز له بالرمز (F ) أو( L ) وله شكلان على اللوحة .
الشكل الأول كبير الحجم ملفوف على اسطوانة ملونة
والشكل الثانى مربع أسود ويشبه المقاومة إلى حد كبير ولكنه ليست عليه كتابة ويوجد بالقرب من مخرج الفأرة ولوحة المفاتيح .
يتكون من سلك من النحاس المعزول ملفوف حول ساق من برادة الحديد ( الفرايت )
وظيفته : هى حماية الدائرة من جهد التشغيل المبدئى وتقوم فكرته على توليد مجال مغناطيسى مضاد للتيار الكهربى فى الإتجاه مما يعيق أو يمنع مروره إلى باقى أجزاء الدائرة مرة واحدة مما يحمى باقى مكونات الدائرة من الجهد المبدئى للتشغيل .
عيب الملف الظاهرى : هو إما كسر فى الساق أو تغيير فى لون السلك النحاس أو أثر انفجار بالنسبة للشكل الأسود الصغير .
عيب الملف الداخلى : إما قطع فى السلك أو عندما يتم قياسه بالآفوميتر على وضع الأوم أو البازر يعطى قياسا مفتوحا (1) أو انصهاره أو عدم وجود أى مقاومة له أى أنه عند قياسه على البازر يصفر وذلك فى حالة الملف الكبير فقط لأن الملف الأسود مقاومته صغيرة للغاية مثل المقاومة الفيوزية ويصفر عند قياسه على البازر خارج الدائرة إذا كان سليما .
تعريف حث الملف : هو قابلية الملف على إنتاج فيض مغناطيسى .
وحدة قياس الفيض المغناطيسى : هى الهنرى والوحدة العملية هى المللى هنرى أو الميكرو هنرى .
العوامل التى يتوقف عليها حث الملف :
1- عدد لفات الملف N
2- الخواص المغناطيسية لقلب الملف .
3- أبعاد الملف
4- شدة التيار I
تركيب الملف :
يتركب من اللفات والقلب ويكون للملف إطار وبكرة تلف عليها لفات الملف ويعرف بإطار مشكل الملف وغطاء يسمى حجاب .
أنواع الملفات :
1- ملفات تردد عالى . 2- ملفات تردد منخفض .

قبل تفكيرى فى كتابة الموضوع ونشره على المنتدى كنت أتوقع عدد ردود من الأعضاء خيالى جداا حتى إننى تخيلت أن إيميلى لن يتسع لعدد الردود والتعليقات على الموضوع ولكن كانت توقعاتى ليست فى محلها فالكل شاهد الموضوع أو المعظم من الأعضاء ولا أحد تكرم ووضع رده أو تعليقه أو أى شيء يعنى زى مايكون هذا الموضوع ليس له أهمية أو غير مجدى ومفيد مثل باقى الموضوعات الأخرى التى أرى ردود عليها بالآلاف وبالمئات . مش عارف هل هذا مقصود من الأعضاء ؟ أم إنى خاطىء ؟ ولو أنا خاطىء حد يقوللى ما هو خطأى ؟

*تستعمل خاصية قياس الدايود فى جهاز الافوميتر ليقاس الدايود والترانزستور معا اولا دعنا نلقي نظرة سريعة على الدايود
الدايود هو ابسط عنصر الكتروني ورمزه الالكتروني هو عبارة عن سهم ينتهي بخط ورمزه دال على عمله اذ ان الدايود هو عنصر الكتروني يمرر التيار الكهربي فى اتجاه واحد
دعنا الان نتعمق قليلا فى الدايود ونري كيف يعمل من الداخل تتكون معضم الدايوداات التي نراها متناثرة هنا وهناك فى شاشات الكمبيوتر وكافة الاجهزة الالكترونية من عنصر السيليكون اذ ان هذا العنصر غير ناقل للتيار الكهربي ولكن خلال عملية التصنيع تضاف عليه بعض الشوائب تؤدي الى تغير فى هيكلية ذرة السيليكون عندما تضاف شوائب الفوسفور الى السيليكون فانها تجعله سالب الشحنة وتؤدي الى تواجد عدد من الالكترونات الحرة ذلك لأن ذرة الفوسفور تحوي الكترونات اضافية عندما يضاف عنصر البورون الى السيليكون يجعله موجب الشحنة ذلك لان البورون يسرق بعض الالكترونات من ذرة السيليكون فتزداد شحنة البروتونات الموجبة على الالكترونات فى البورون فيسبب ان الذرة المسروق منها الالكترونات تصبح موجبة الشحنة الدايود يتكون من نوعين من الوصلات السيليكونية الاولي تلك المطعمة بذرات الفوسفور اى السالبة الثانية تلك المطعمة بذرات البورون اي الموجبة ونري كيف يعمل الدايود عندما يكون الدايود موصل فان الجزء السالب من الدايود تتنافرالكتروناته السالبة مع القطب السالب للبطارية ويذهب بعيدا عنها والجزء الموجب من الدايود تتنافر فجواته الموجبة مع الجزء الموجب من البطارية ويؤدي هذا الى الى مرور الالكترونات الى الجزء الموجب لانه يجذبها ومرور الحفر الموجبة الى الجزء السالب من الدايود لانه يجذبها وهكذا يمر التيار الكهربي وهذا يسمي الانحياز الامامي لنرى كيف ان التيار الكهربي لا يمر فى الاتجاه المعاكس
اذا قلبنا وضع البطارية بان نضع الجزء السالب من الدايود مع الجزء الموجب من البطارية والجزء الموجب من الدايود مع الجزء السالب من البطارية الذي يحدث هنا هو ان الالكترونات السالبة الموجودة فى الجزء السالب من الدايود تنجدب الى القطب الموجب للبطارية والفجوات الموجبة الشحنة تتجه الى الجزء السالب
الان لا اللكترونات قادرة على بلوغ الجهة الاخري ولا الفجوات قادرة علي التحرك الى الطرف الاخر فكل منهم مربوط باحكام باقطاب البطارية وهذا يسمي الانحياز العكسي بالمناسبة فى الحالة الاولي فان الدايود يحتاج الى جهد حوالي 0.7 لكي يتمكن الدايود من نقل التيار الكهربي وكأنه سلك معدني
ويسمي هذا بجهد الهبوط على الوصلة عندما نستعمل الافوميتر الرقمي فأننا نلاحظ انه كلما زاد حجم الترانزستور او الدايود فأنه يقل الهبوط للجهد على الوصلة نستطيع قياس الدايود بان نضع الافوميتر على خاصية قياس الدايود ونضع المجس الاحمر على طرف الدايود المحتوي على خط والطرف الاسود علي الطرف الغير محتوي على خط فنلاحظ ظهور القراءة 0.7 فولت وعندما نعكس نلاحظ ظهور 0 فولت اذا ابدى الدايود قراءة عند الحالتين او لم يبدى قراءة عند الحالتين فانه تالف
* عندما تعثر على دايود عاطل فما يجب ان تراعيه فى تغيير الدايود هو الفولتية والتيار ...الفولتية هي اقصي فرق جهد يمكن ان يتحمله الدايود او اقصي فرق جهد يمكن ان يصدرها الدايود فى حالة الانحياز العكسي عند تغيير دايود فاسد اولا اقرأ اسم الدايود -ابحث عليه فى كتب المكافئات الالكترونية -أوجد تياره وفولتيته -قم باختيار دايود اخر بفولتية وتيار مساويين لدايود او فولتية وتيار اكبر . فمثلا يمكنك ان تبدل دايود بفولتية 50 وتيار 1 امبير بدايود 400 فولت وتيار 4 امبير
فهذا شي منطقي لان الدايود القادر على تحمل 400 فولت قادر على تحمل 50 فولت بكل سهولة

جارى تجهيز باقى الأجزاء والشرح انتظرونى قريباً ....

تعريفه : بلورة من مادة شبه موصل مطعمة بحيث تكون المنطقة الوسطى منها شبه موصل موجب أو سالب بينما المنطقتان الخارجيتان من نوعية مخالفة .
تعريف آخر : وصلة ثلاثية من بللورة الجرمانيوم أو السيليكون تحتوي على بللورة رقيقة جدا من النوع الموجب أو السالب تسمى القاعدة توجد في الوسط وعلى جانبيها بللورتان من نوع مخالف هما الباعث والمجمع .
لقد تم الحصول على الترانزيستور عام (1948 –1949) نتيجة للدراسات التي قام بها العالمان باردين وبراتين وذلك في مخابر ( تلفون بل ) الأميركية لاستخدامه بدلاً من الصمامات الإلكترونية التي كانت شائعة في تلك الأيام.
وتتألف كلمة الترانزيستور من كلمتين transfer وتعني تحويل( أو نقل) وكلمة resistor وتعني مقاومة وذلك بعد حذف الأحرف الأخيرة fer من الكلمة الأولى والأحرف الأولى res من الكلمة الثانية.
يشغل الترانزيستور المقام الأول في الإلكترونيات المعاصرة ويرجع ذلك بشكل كبير إلى كونه جهاز تضخيم ممتاز صغير الحجم يمكن أن يعوّل عليه بالإضافة إلى القدرة الصغيرة التي يتطلبها.
والترانزيستور كجهاز تضخيم يحول الإشارة الضعيفة التابعة للزمن إلى إشارة قوية. وهناك وظائف مهمة أخرى يستطيع الترانزيستور أن يقوم بها في الدارات الإلكترونية لكن مقدرته على التضخيم تعد الوظيفة الرئيسية بالنسبة لاستخداماته الأخرى.
يوجد هناك نوعين للترانزيستورات :
الأول : ترانزيستور bipolar ثنائي القطبية (PNP)
الثاني : ترانزيستور unipolar وحيد القطبية (NPN)
حيث اعتمد في هذا التصنيف على آلية مرور التيار , ففي الترانزيستور ثنائي القطبية يعتمد مرور التيار على نوعي حاملات الشحنة (إلكترونات وثقوب) أما الترانزيستور وحيد القطبية فإن مرور التيار يعتمد على نوع واحد من حاملات الشحنة (إلكترونات أو ثقوب).
وبكلام آخر فإن النوع الأول (ثنائي القطبية) يعمل بفعل حاملات الشحنة من النوعين الأكثرية والأقلية معاً أما النوع الثاني فإنه يعمل بفعل حاملات الشحنة الأكثرية فقط.
يمكن أن تصنف الترانزيستورات أيضاً من حيث آلية العمل فالصنف الأول (والذي يوافق الترانزيستورات ثنائية القطبية) تسمى بالترانزيستورات الوصلية حيث يتم التحكم في التيارات الداخلية بواسطة متصلين ثنائيين pn أما النوع الآخر فتسمى بالترانزستورات الحقلية حيث يستند في أساس عمله على أثر الحقل.

[IMG]http://www.*********.com/files/222600824/mosfeet%20work.JPG[/IMG]

* للترانزيستورات بشكل عام ثلاث أطراف تأخذ الأسماء التالية:
أولا : الترانزيستورات ثنائية القطبية :
1- الباعث (emitter) : بللورة شبه موصل من النوع السالب بها نسبة شوائب عالية وذات حجم متوسط صممت لتبعث الكترونات .
2- القاعدة (base) : بللورة شبه موصل من النوع الموجب بها نسبة شوائب قليلة وذات حجم صغير تتوسط الباعث والمجمع صممت لتمرير الالكترونات .
3- المُجمّع (collector) : بللورة شبه موصل من النوع السالب بها نسبة شوائب أقل من الباعث وذات حجم كبير صممت لتجميع الالكترونات .
ثانيا : الترانزيستورات أحادية القطبية:
1- المنبع (source)
2- المصرف (drain)
3- البوابة (gate)
على الرغم من المردود الكبير للترانزيستور وماله من محاسن وميزات إيجابية (مقارنة مع الصمامات) إلا أن هناك سلبية أساسية وهي كونه حساس جداً لارتفاع درجة الحرارة ذلك أن مكوناته قابلة للعطب في حال ارتفاع درجة الحرارة إلى حدود معينة فعلى سبيل المثال درجة الحرارة الأعظمية المسموح بها لترانزيستور جرمانيوم تقع بين (60-100) درجة مئوية ولترانزيستور سليكون بين(125-200) مئوية , وهذا أحد أسباب تفضيل استخدام السيليكون في تصنيع الترانزيستور.
وللتغلب على هذا العائق تم إضافة المبردات للترانزيستور (وهي عبارة عن قطع معدنية ذات مواصفات معينة توصل مع الجسم الخارجي للترانزيستور) تعمل هذه المبردات على امتصاص الحرارة الزائدة الناتجة عن عمل الترانزيستور والتي يمكن أن تخرب البنية الداخلية (أنصاف النواقل) للترانزيستور.