القرية الإلكترونية : قسم الإلكترونيات : ركن المبتدئين : ترانزيستور IGBT
Transistor

IGBT

ترانزيستور( IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor) هو ترنزستر ثنائي القطبية ذو بوابة معزولة و يجمع بين مميزات ثنائي القطبية في الجهد العالي و ترانزيستور تأثير المجال في سرعة التجاوب والجهد ( الطاقة ) المنخفض عند التحكم إلا أنه يعمل على مستوى منخفض من الذبذبات لا تتجاوز بضع العشرات من الكيلو هرتز.

IGBT circuit
البنية الداخلية
IGBT circuit 2

الدارة المكافئة
IGBT circuit 3


ترانزستور السالب موجب سالب NPN لا ينقل التيار عادة إلى المقاومة r الجهد في طرف المقاومة غير كاف وفي حال إن تواجد التيار يفقد ترنزستر IGBT التحكم أي انه يقع في حالة انحصار (فقدان القدرة على التفعيل ) تجميع ترنزسترين يكافئ ( يعادل ) تيرستر thyristor ولا يقع الانحصار إلا إذا انقطع التيار الأساسي ولكن التقنيات المستخدمة في صناعة هذا الصنف من الترنزسترات تجنبه هذه الظاهرة .
التكافئ البسيط



IGBT circuit 4


جدول مقارنة وخصائص

احد اصناف التيرسترات
GTO
IGBT ترنزستر ثنائي القطبية التيرستر السريع التيرستر
الجهد 4500 فولت1200 فولت1400 فولت 1500 فولت6000 فولت
الشدة 3000 أمبير 400 أمبير 500 أمبير 1500 أمبير 5000 أمبير
الذبذبات 1 كيلو هيرتز 20 كيلو هيرتز 5 كيلو هيرتز 3 كيلو هيرتز 1 كيلو هيرتز



أحد استعمالاته
IGBT circuit 5

للرد او الاستفسار بخصوص هذا الموضوع أضغط هنا

مواضيع ذات علاقة
ترانزيستور MOSFET
الترانزيستور
أنواع الترانزيستور
طريقة قرأت داتاشيت الترانزيستور
ترانزيستورات ار اف RF

اضف هذا الموضوع الى