سؤال عن خصائص الترانزسستور لاهل الخبره

[امل ميمو]

الي الاستاذ ماجد او من يعرف هذه المصطلحات الخاصه بالموسفت وكيف اعرف ان الترانزسستور اسرع في استجابببة الدخل له وفي عملية الغلق والفتح واقصى puls clock يعمل عليها وغيرها وايرد من حضراتكم شرح مفصل لهذه المصطلحات
وهي كالاتي
Static

Forward Transconductance
Drain Source Breakdown Voltage
VDS Temperature Coefficient
Gate-Source Threshold Voltage VGS
Gate-Source Leakage IGSS
Zero Gate Voltage Drain Current IDSS
Drain-Source On-State Resistance RDS(on)
Forward Transconductance

Dynamic
Input Capacitance Ciss
Output Capacitance Coss
Reverse Transfer Capacitance Crss
Total Gate Charge Qg
Gate-Source Charge Qgs
Gate-Drain Charge Qgd
Turn-On Delay Time td(on)
Rise Time tr
Turn-Off Delay Time td(off)
Fall Time tf
Internal Drain Inductance LD
Internal Source Inductance LS

[ماجد عباس محمد]

لتحديد السرعة ستجد فى المواصفات Ft أى السرعة القصوى بالميجا هيرتز وغالبا ما تذكر للوحدات السريعة الإستجابة فقط
إن لم تجدها فستجد زمن القطع t-off و زمن التوصيل t-On و زمن التأخير
مجموع الثلاث هو الزمن اللازم لتشكيل نبضة الخرج و طبعا لا يمكن لصق نبضتين متتاليتين دون السماح بزمن تأخير ثانى
لذا مجموع الأزمنة الأربع يعطيك أقل زمن و مقلوبه يعطى أقصى تردد

[امل ميمو]

شكرا لك اخي الفاضل ولكن هناك مصطلحات اخرى ذكرتها في المشاركه الاولى واريد ان اعرف كل واحده منها وما الفرق بينStatic والDynamic والForward TransconductanceوInput Capacitance Ciss وOutput Capacitance Coss وكيف اححد الافضل كلما نقصت السعه ام كلما زادت وما فائدتها وما هو الRise Time tr وكذلك باقي التعريفات وهل كلما كان زمن القفل والفتح صغير كلما كان افضل يعني لو انا اريد ان اعرف كيف اختار ترانزسستو اسرع من وااحد اخر وافضل منه كيف احدد ذلك في الفروق بينهم هذا بخلاف التيار والفولت الذي يتحمله كلا منهم واسف على كثرة الاسئله وجعلك الله عونا لكل سائل وسهل الله لك الامور بقدر حل المسائل وزادك من فضله

اخي الكريم انا اريد تفاصيل اكثر انا اعلم انك اوضحت لي المهم ولكن انا اريد معرفة باقي المصطلحات لفهم المقارنهبين ترانزستور واخر بديل ولك جزيل الشكر

[ماجد عباس محمد]

Dynamic تعنى فى حال النبضات أو الإشارة المتغيرة كما هو واضح من الاسم و Static أيضا من الاسم الجهود الثابتة و الاستجابة لها
باقى الخواص مشروحة فى السلسلة أما السعات الخرج و الدخل و بين الخرج والدخل فهى هى نفسها فى السلسلة فهى تخص المكبر بصرف النظر عن كونه ترانزيستور عادى أم FET أو موسفت أو مكبر عمليات أو مكبر متعدد المراحل يحتوى كل ما سبق فهذه السعاتموجودة و أثرها واحد فيها جميعا

[امل ميمو]

اي سلسلة اخي الفاضل
اانا كنت اود ان تفهمني باقي الخصائص

[ماجد عباس محمد]

هذه السلسلة
http://www.qariya.com/vb/showthread.php?t=59960
أى قيمة لا يشرحها اسمها؟؟

المشاركة الأصلية كتبت بواسطة امل ميمو

Drain Source Breakdown Voltage

من الاسم أقصى جهد يتحمله بين Drain Source

VDS Temperature Coefficient

تأثر الجهد بين Drain Source بالحرارة

Gate-Source Threshold Voltage VGS

الحد الذى يبدأ عنده التوصيل

Gate-Source Leakage IGSS

تيار تسريب البوابة

Zero Gate Voltage Drain Current IDSS

تيار Drain عندما يكون جهد البوابة = صفر

Drain-Source On-State Resistance RDS(on)

المقاومة بين Drain-Source عندما يكون فى حال التوصيل

Forward Transconductance

Dynamic
Input Capacitance Ciss
Output Capacitance Coss
Reverse Transfer Capacitance Crss
Total Gate Charge Qg
Gate-Source Charge Qgs
Gate-Drain Charge Qgd
Turn-On Delay Time td(on)
Rise Time tr
Turn-Off Delay Time td(off)
Fall Time tf
Internal Drain Inductance LD
Internal Source Inductance LS

الباقى كله فى السلسلة

[امل ميمو]

شكرا جزيلا اخ ماجد على اهتمامك واسف لك لي سؤال بسيط ماالفرق بين الموسفت الlogic والعادي حيث لم افهم الفرق بينهم جيدا فممكن حضرتك توضحلي هذا الفرق وشكرا لك استاذي الجليل

[امل ميمو]

اسف استاذي لقد اثقلت عليك بكثرة الاسئله