-[:باب ونقفله (2)] :‏ «~~||© ترانسيستور الـ (MOSFET—> E-MOSFET) ©||~~»

[peipo]

-[:باب ونقفله (2)] :‏ «~~||© ترانسيستور الـ (MOSFET—> E-MOSFET) ©||~~»

-تمهيد للموضوع:-

يعتبر الموسفت الـ( E-Mosfet) اشهر انواع الموسفت واكثرها استخداماً وشيوعاً على الاطلاق وقد انتشر استخدامه كثيراً فى دوائر الباور ويكاد يكون بشكل حصرى فى دوائر الماذر بورد واللاب توب والدوائر المنطقيه وقد تم انتاجه خصيصاُ لمعالجه العيوب التى ظهرت على الـ BJT ترانسيستور ولان هذا الموسفت يعتبر جوكر سنفرض له مساحه عريضه وسيكون له نصيب اكبر من الشرح واذا ما تم المقارنه بينه وبين الـ BJT سنجد ان لكل منهم ما يميزه عن الاخر وعموماً ساترككم مع هذه المقارنه السريعه،،

بالاضافه الى ما سبق انا شايف ان التعامل معاه اسهل بكتير من الترانسيستور العادى كما انه يمكنه ان يمد الحمل بتيارت كبيره جداً وايضاً هو عنصر موفر للطاقه وذلك لعدم استهلاكه تيار فى دائره الدخل هذا رايى الشخصى اعرضه ولا افرضه ،،

ويمكن ايضاً ان يحل الـ (E-MOSFET N-CHANNEL )
مكان الـ (BJT) اى الترانسيستور العادى (NPN) وسنعرف كيف ذلك لاحقاً

ما الذى سنتعلمه بعد هذا الدرس؟

1 - سنعرف التركيب الداخلى للموسفت (E-MOSFET) ،،
2- سنتلعم كيفيه حساب تيار الخرج الـ ID و بدقه .
3- كيفيه قراءه الداتا شيت (Datasheet) للموسفت .
4- سنتعلم طرق الانحياز المختلفه للموسفت والمعادلات الخاصه بها (Biasing of E-MOSFET Type).
5- سنجرب الموسفت على برامج محاكاه مختلفه للتاكد من ان ما تعلمناه سليم .
6- سنتعلم كيفيه استخدام الموسفت فى دوائر الباور .
7- ايضا سنتعلم استخدام الموسف كمكبر للاشاره ..

ماذا الذى سنحتاجه لهذا الدرس؟

... نحتاج البرامج الاتيه

1- Proteus

يمكن تحميله من هنا

2- MultiSim

يمكن تحميله من هنا

3- Circuit Wizard

يمكن تحميله من هنا

او احد هذه البرامج على الاقل وذلك للتأكد من صحه حساباتنا ،، انا فضلت اكثر من برنامج حتى يتم حسم الامر عموماً فى نهايه الموضوع سيكون هناك جزء عملى و مصور ان شاء الله.

... كما سنحتاج ايضاً داتا شيت للموسفت الشهير IRF740
ويمكن تحميلها من هنا

داتا شيت للموسفت الشهير ايضاً IRF 840

ويمكن تحميلها من هنا

كتب من هذه السلسله حتى الان ،،،،

..::باب ونقفله (1) ::..‏ «~~||© ترانسيستور الـ (MOSFET—> D-MOSFET) دراسه اكاديميه و عمليه موسعه ©||~~»

ومما يجدر الاشاره له ايضاً فى بدايه الموضوع هو انه نظراً لان البوابه معزوله عن الموسفت ولانها طبقه رقيقه جداً فان اى جهد كهربى ناتج عن تراكم شحنات استاتيكيه من اجسامانا قد يؤدى بسهوله الى انهيار هذه الطبقه عند لمس اطراف الموسفت لذا يجب جعل اطراف الموسفت متصله مع بعضها بماده موصله وذلك عند تخزين الموسفت،، وايضاً قبل تركيب الموسفت فى اى دائره يجب لمس اى جسم معدنى لافراغ الشحنات الاستاتيكيه من الجسم .

بسم الله تو كلنا على الله

اذا ما كنا قد عقدنا مقارنه سابقه سريعه بين الموسفت (MOSFET) والـ
(Bipolar junction transistor --<<BJT)
مع اختلاف تركيبهما الا اننا الان لو عقدنا مقارنه بين الموسفت الـ (D-MOSFET)والموسفت الـ ( E-MOSFET) فسنجد انهما لا يختلفان عن بعضهما كثيراً فى التركيب الداخلى غير فى انه قد تم ازاله القناه الداخليه الواصله بين الـ (SOURCE) و الـ (DRAIN) وبحذف هذا القناه فى هذا الموسفت افقده ذلك العمل فى منطقه النضوب او الاستنزاف طيب نشوف الشكل التالى :-

الشكل السابق كان للمقارنه بين نوعين الموسفت الـ الـ (D-MOSFET) و الـ ( E-MOSFET) يتضح فعلا من الشكل السابق عدم وجود قناه فى النوع الـ ( E-MOSFET)

---> خد بالك اينعم لا يوجد قناه ولكن القناه يتم استدعائها وقت الحاجه فقط بل ويمكن زياده سمكها او قلته كيفما نشاء نشوف الشكل التالى علشان نقدر نتخيل ايه الـ بيحصلـــ



اظن كدا اصبحت الامور اكثر وضوحاً لو لاحظنا لوجدنا زياده وقله فى كثافه الاليكترونات مع زياده وقله الجهد VGS..


---- >> نظره اكثر عمقاً للتركيب الداخلى للـ E-MOSFET

--->> نظره على الرمز الهندسى للـ E-MOSFET

--->> الرمز الهندسى للـ E-MOSFET مقارنه بالـ D-MOSFET

الشكل رقم (5) كان لتوضيح وجود القناه من عدمه حتى فى الرمز الهندسى ،،،،

[peipo]

--->> يوجد من هذا الموسفت ايضاً نوعان الـ (N-Channel) و الـ (P-Channel) سنتحدث اولاً عن الـ (N-Channel)

بالعوده مره اخرى الى الشكل المرقم بـرقم (3) نجد الاتى :-

1-بللوره من النوع الموجب (p-type Material) فى طبقه سفليه تعرف بطبقه الـ (substrate)
او الـ (body) .
2- طبقه اخرى سالبه باعلى (n-type ) .
3- طبقه اخرى سالبه باسفل ( n-type) .
4- هناك طبقه بالجانب من ماده ثانى اكسيدالسيلكون SIO2 لتعزل البوابه كهربائيا عن باقى اطراف الموسفت لذلك نجد الممانعه المدخليه للموسفت عاليه جدا جداً بين البوابه(Gate) والمصدر (Source)فالبوابه معزوله تماماً وقريباً سنعلم انها تشكل مكثف داخلى .

يتم ربط مع الحيز الاعلى وبوصله معدنيه طرف الـ (Drain) للترانسيستور وبنفس الطريقه يتم ربط الجزء الاسفل بوصله معدنيه ليعبر عن طرف الـ (Source) الخاص بالموسفت ثم طرف معدنى اخر ليوصل مع جزء معدنى معزول عن باقى اجزاء الموسفت بطبقه من ثانى اكسيد السيلكون SIO2 ليشكل البوابه (gate)

فى بعض الاحيان توصل طبقه ال(Substrate - or Body)بطرف معدنى لتصبح الطرف الرابع للموسف كما بالصوره التاليه

وفى اغلب الاحيان يتم ربط هذه الطبقه داخلياً بالـ (Source)ليصبح الموسفت ثلاثى الاطراف فقط كما بالشكل المعتاد التالى

--->> اذا ما كان الموسفت لا يحتوى على قناه داخليه فهذا يعنى انه لن يمر تيار اطلاقاً بين الـ Drain والـ Source عند عدم تطبيق جهد على البوابه اى ان اذا ما كان

فرق الجهد بين البوابه Gate والمصدر Source يساوى الصفر (VGS=0) لن يعمل الموسفت ولن يمر تيار اطلاقا بين الـ Drain والـ Source اى ان ID=0 لان الوصله بين المصرف والمصدر هى وصله back-to-back pn junctions

--->> عندما نبدا بتطبيق فولتييه موجبه على البوابه تبدا عمليه جذب الاليكترونات من الطبقه السفليه (Substrate) الى المنطقه الموجوده بين الـ Drain والـ Source وكلما زدنا من مقدار الفولت على البوابه Gate كلما زاد جذب الاليكترونات وزاد ايضاً تركيزها او كثافتها فى هذه المنطقه .


--->> باستمرار الزياده فى فرق الجهد بين البوابه والمصدر الى ان يصبح تركيز الاليكترونات فى هذه المنطقه كافياً لتكوين قناه بين الـ Drain والـ Source هنا يعرف هذا الفولت (فرق الجهد بين البوابه والمصدر ) باسم جهد العتبه Threshold Voltage ويرمز له بالرمز VGSth او VT وهنا يبدا مرور التيار .


--->> كلما زدنا من الفولت على البوابه ازداد تركيز الاليكترونات فى هذه المنطقه اكثر فاكثر وبالتبعيه يزداد تيار الـ ID الى ان نصل الى مستوى تيار التشبع Saturation Level ،،

الكلام ده كلام جميل طيب علشان المعلومه تركز اكتر نشوف الشكل ده كدا

الشكل السابق بيوضح العلاقه بين ال ID و VDS عند قيم مختلفه وهى تعرف فى الداتا شيت باسم Drain Characteristic اما العلاقه بين ال ID والـ VGS فهى تعرف فى الداتا شيت ايضاً باسم Characteristic Transfer

بالعوده للشكل مره اخرى فهذا الشكل هو لاحد انواع الموسفتات ونلاحظ ان الـ VT= 2V وان بزياده الـ VGS يزداد الـ ID ودائماً ال VGS بالموجب .. ،، وغالباً تكون الـ VGS ما بين الـ 2 و الـ 5 فولت كما سبق و ان تم ذكره ،،

ماتم شرحه سابقاً يتعلق با لـ ( N-channel) اما الـ (p-channel) فهو نفس الشرح مع اختلاف التركيب الداخلى طبعاً وانعكاس وضع الفولتيات اى قطبيتها وايضا انعكاس التيار عموما نشوف كدا ،،،،،

نلاحظ من التركيب الداخلى لهذا النوعp- channel انه يتركب من :-

1- بللوره من النوع السالب N-type فى طبقه سفليه تعرف بطبقه الـ substrate --> or body .
2- طبقه اخرى موجبه باعلى P-type .
3- طبقه اخرى موجبه باسفل P-type .

4- هناك طبقه بالجانب من ماده ثانى اكسيد السيلكون SIO2 لتعزل البوابه كهربائيا عن باقى اطراف الموسفت وبذلك تصبح الممانعه المدخليه للموسفت عاليه جدا بين البوابه (G) والمصدر (S) .

يتم ربط مع الحيز الاعلى وبوصله معدنيه طرف الـ (Drain) للترانسيستور وبنفس الطريقه يتم ربط الجزء الاسفل بوصله معدنيه ليعبر عن طرف الـ (Source) الخاص بالموسفت ثم طرف معدنى اخر ليوصل مع جزء معدنى معزول عن باقى اجزاء الموسفت بطبقه من ثانى اكسيد السيلكون SIO2 ليشكل البوابه (Gate)

فى بعض الاحيان توصل طبقه الـ (SUBSTRATE ) بطرف معدنى لتصبح الطرف الرابع للموسف كما سبق وان تم الاشاره الى ذلك

الشكل التالى يوضح خواص هذا النوع من الـ E-MOSFET <-- P-CHANNEL

ملاحظات على الشكل السابق
الـ VT لهذا الموسفت تساوى -2 فولت اى ان خط عمل هذا الموسفت يبدا من عند -2 فولت ويزداد بزياده السالبيه عكس الـ N-CHANNEL

[peipo]

--->> كيف يمكن حساب تيار الـ Drain و بدقه ؟؟

اذا ماكان ال VGS اكبر من الـ VT اى ان VT < VGS اى اننا سمحنا بتكوين او ببدء تكوين قناه داخليه فاننا و بكل سهوله يمكننا استخدام العلاقه الاتيه :-

ID=K(VGS-VT)^2

و بالنظر الى العلاقه السابقه سنجد ان كل ما بها معروفه لدينا مسبقاً فنحن نعرف ال VGS والـ VT وايضاً الـ ID اما الوافد الجديد علينا الان فهو الـ K فكيف يمكن الحصول عليه ؟
يمكنا ايجاد قيمه المعامل K من الـ Drain Characteristic
و بالعلاقه الاتيه :-




اى من الداتا شيت مباشره كما سنعلم لاحقا كيف ذلك ،،

---- >>> الى الان هذا الكلام جميل ولكن للحصول على المعامل(k) نحتاج بعض المساعده من الداتا شيت فكيف يمكن قراءه الداتا شيت (Datasheet) ؟

نحمل من الروابط باعلى ( اول الموضوع ) الداتا شيت الخاصه بالموسفت (irf740) ثم ننظر اليها نظره حب وتأنى فنحن نريد منها الكثير من العطاء ونامل ذلك ،،،

تعالوا نشوف النظره بتاعت اخوكم بيبو ...


صوره ممنتجه من الداتا شيت

المعلومات (الدليفرى) اى المعلومات السريعه باعلى الداتا شيت تقول انه من النوع N-Channel ،، وان اقصى تيار بتحمله 10A ،، وعندما يكون متشبع فان مقاومته الداخليه بين المصدر والمصرف تساوى Rds(on) = .48Ω واقصى فولت يمكن التعامل معه فولت 400 فولت ...


لو نظرنا نظره اكثر عمقاً داخل الداتا شيت وبالاخص داخل الصفحه المرقمه بـرقم 2/8 لوجدنا ،،،،



ما شاء الله حتى الان حصلنا على مبتغانا من الداتا شيت ولكن ذلك فقط عند التعامل مع تيارات من النوع الـ DC Current
اما عندما ننتقل الى مراحل تكبير اشاره مثلاً فاننا سنعود لها مره اخرى لنستقى منها معلومات اخرى تناسب المرحله الجديده ،،،
نتركها الان شاكرين كرمها الكبير على ما قدمته من معلومات قيمه وننتقل الى مثال بسيط وسيكون هناك مثال اشمل فى الـ DC Baising ان شاء الله ...

طيب نجرب كدا مع بعض مثال سريع :-

اذا كان لدينا موسفت N-Channel قيمه ال VT = 3V وقيمه المعامل K له ( K=3*10^-4 ) اوجد قيمه الـ ID عند قيم الـ VGS التاليه
VGS = 2 ، 4 ، 5، 6
الحلـــــ
عند VGS=2V بالتاكيد الـ ID= 0 وذلك لان الـ VT > VGS

صوره للعمليات الحسابيه تكون افضل .



اى انه ثبت وبالمثال العملى انه بتغير فولتيه الـ VGS فانه تتغير معها بالتبعبه قيمه تيار الـ ID

---->>> ننتقل الى مرحله جديده وهى طرق انحياز الموسفت الـ E-MOSFET المختلفه وكيفيه التعامل معها وحساباتها الدقيقه
(Biasing of E-MOSFET Type )

... يمكن استخدام طرق الانحياز الخاصه بالـ BJT جميعها لهذا النوع من الموسفت تماماً مع فارق ان قيم المقاومات تكون كبيره جدا وذلك بسبب ممانعه الدخل الكبيره للموسفت وعدم الحاجه لتيارات فى الدخل وايضاً مرعاه الفولت المطلوب لان الـ BJT فولت انحيازه اى فولت تشغيله 7V. اما الموسفت فهو ما بين 2 و 5 فولت كما سبق وان اشارنا ،،

-------------------

-- ان الفكره الاساسيه لانحياز الموسفت عموماً هى جعل البوابه اكثر ايجابيه من المصدر فى النوع فى النوع (N-Channel) وذلك بدفع كميه ايجابيه من الفولت تزيد عن الـ (VGTH) وبالتالى فيوجد هنا دائرتان اساسيتان لانحياز الموسفت وهما

------------------

(اما الـ Drain-feedback bias او الـ Voltage divider bias)

------------------------

اى ان الشكل الاساسى والمعتاد لدوائر الانحياز سيكون بهذه الطريقه ،،

--->> اولا دوائر الانحياز بتغذيه راجعه Drain-feedback bias...

نرجع بطريقه الفلاش باك للصوره بالشكل 14 بعد عمل عليها بعض المونتاج ليسهل لنا عمليه الشرح ،،

ارجو كل الرجاء عدم المرور على هذه الجزئيه مرور الكرام دون ان تفهمها جيداً وان لم تستطع فهمها فكررها مره ومره ومره حتى تفهمها جيدا ...

بالصوره اعلاه فى (الشكل 15 )نلاحظ الاتى :-

VGD+IG.RG=0

ولكن الـ
IG=0A

(سبق الاشاره الى ذلك)

ومنها ومادام الـ IG = 0 وبالتعويض فى المعادله فان

VGD+0*RG=0

VGD+0=0

VGD=0

وهذا معناه ان

VG-VD = 0

اى ان

VG = VD

يا سلااااااااااااااااام وهل دا معناه انه يعتبر طرفى الموسف ال Drain والـبوابه Gate كانهم متصلان ببعضهما البعض وكاننا تجاهلنا وجود المقاومه RG؟؟

الاجابه بكل تاكيد اينعم بل ويمكننا ايضاً تخيل الموسفت ليصبح بهذه الطريقه

جميل نرجع تانى للدائره مره اخرى بعد ما توصلنا له من معلومات جديده وشيقه ونشوف هنكتشف ايه تانى ،،،

VGS = VG –VS
شىء بديهى طبعاُ

بس احنا قلنا قبل كدا ان

VG= VD

اى ان

VGS = VD-VS = VDS

يعنى الـ
VGS=VDS

و اساساً

VDS = VDD-IDRD

يعنى نقدر نقول ان

VGS= VDD-IDRD

ممتاز لو رجعنا للعلاقه الاولى العلاقه الام لنا مع هذه الموسفت الـ هى

ID= K (VGS-VT)^2

و بالتعويض بالقيم الـ حصلنا عليها نحصل على

ID= K ( VDD-IDRD-VT)^2

عظيم و باستخدام هذه العلاقه يمكننا ايجاد اى قيمه لتيار الـ D عند اى قيمه مختاره للـ VGS



هناك مثال مجرب فى اخر الموضوع ارجو الانتظار،،،

--->> دوائر الانحياز باستخدام مجزىء الفولتيه (Voltage-divider bias )

لو رجعنا للدائره السابقه فى الشكل المرقم برقم 14 و بعد قيامى بعمل مونتاج عليها لرأينا انها اصبحت كا التالى :-

لدينا مجزىء الفولت المعتاد للترانسيستور العادى BJT وبالطبع نعلم جيدا انه للحصول على قيمه الفولت عند البوابه فاننا نستخدم بكل سهوله العلاقه الاتيه :-

كلام جميل ونعلم جيداً ان الـ VG يعلو الـ VS بمقدار الـ VGS ولو حاولنا الحصول على قيمه الــ VS اكيد هنعرف انها تساوى

VS=ISRS=IDRS

لان تيار الـ ID يساوى تيار IS
وقلنا ان


VGS = VG- VS

طيب الـ VS سبق وقلنا يساوى IDRS

لو عوضنا بقيمته فى العلاقه السابقه فان

VGS = VG-IDRS

تمام "" الان رأساً نروح للعلاقه المحببه رقم 1 ونعوض فيها والـ هى (طبعاً انا عارف انكم فاكرينها ماشاء الله عليكم )


ID= K(VGS-VT)^2

نعوض فى القيم

ID= K(VG-IDRS-VT)^2

وبالتالى يمكننا ايجاد اى قيمه للتيار الخاص بالـ ID اى تيار الخرج مقابل اى قيمه للـ VGS باستخدام هذه العلاقه

[peipo]

--->> امثله محلوله ومجربه على برامج المحاكاه المختلفه :-

لدينا الموسفت الحبوب IRF740 والدتا شيت له سبق الاشاره لها لكن لا مانع من ادراج اهم ما نريده منها مره اخرى حتى نربط الافكار ببعض

وبافتراض ان هذا الموسفت يعمل فى دائره كهربائيه وبهذه الطريقه وتحت ظروف التشغيل الموجوده كما بالشكل التالى :-

فكم تكون قيمه تيار الخرج اى تيار الـ Drain و كم تكون قيمه فولت الـ VGS ؟؟


الـ
VGSON = 10V at IDON = 10A

و الـ VT= 4V
وبالتالى فان المعامل Kيصبح

جميل جدا بكدا حصلنا على قيمه المعامل K
بس احنا سئلنا عن الـ VGS طب نشوف

VGS=VDD-IDRD
VGS=20-2000ID

نعود للعلاقه الام

ID= K (VGS-VT)^2

وبالتعويض فيها

ID=.2778 (20-2000ID-4)^2
ID=.2778 (16-2000ID)^2
بفك التربيع

4000000ID^2+(2*2000ID-16)+256
4000000ID^2-64000ID+256

بالعوده للمعادله الام

ID=.2778(4000000ID^2-64000ID+256
ID=1111200ID^2-17779.2ID+71.1168
1111200ID^2-17780.2ID+71.1168=0

اصبحنا وجها لوجه امام معادله تربيعيه
ولذا فانه لحلها نستخدم القانون التالى



بالتعويض




النتائج بتقول ان تيار الـ D يا اما 8 ملى امبير يا اما 7.8 ملى امبير عموما الاتنين قريبن من بعض والفارق بسيط جداً نروح نشوف MULTISIM هيحكم بايه ؟



الراجل حكم بـ 8 ملى بالتمام والكمال شكرين حسن التعاون،،،،



مثال رقم 2 :-

لنفرض نفس الموسفت السابق بنفس شروط التشغيل ولكن نضع له مقسم للفولت بقول ايه نشوف الصوره احسن ،،،



لدينا مقسم للفولت المعتاد بمقاومات قيمتها 9ميجا و 11 ميجا
كلام جميل نشوف الاول المعامل k وقد سبق الحصول عليه لنفس الموسفت فى المثال السابق فى شكل رقم 20




بعد كدا نروح لمقسم الفولت ونشوف فولتياتنا عامله ازاى؟



وبالتالى فان فولت الـ
VG=IR2
V=IR=.000001*9000000= 9V

طيب نروح للحكم الـ اسمه MULTISIM



الراجل موافقنا فى الراي وحكم بـ 9V



الكلام دا جميل ندخل على الجزئيه الـ بعد كدا وهى اذا ماكان الـ VG=9V فكم تكون قيمه الـ VGS
VGS=VG-IDRS
VGS=9-ID2000

كلام سليم اتضح ان الـ VGS لن يمكن الحصول عليه الا بمعرفه الـ ID علطول نذهب راساً الى المعادله الام ...

للحصول على تيار الـ ID فان

ID=K(VGS-VGSTH)^2
ID=.2778(9-2000ID-4)^2

نفك اولاً هذا التربيع

4000000ID^2+(2*2000*5)+25
4000000ID^2-20000ID+25
ID=.2778(4000000ID^2-20000ID+25
ID=1111200ID^2-5556ID+6.945
1111200ID^2-ID-5556ID+6.945

طيب نبسط شويه كدا

1111200ID^2-5557ID+9.945=0

وجهاً لوجه من جديد امام معادله تربعيه
نرجع للعلاقه الاتيه :-



بالتعويض فى بما لدينا من قيم



مره اخرى يا اما 2.5 ملى امبير او 2.4 ملى والفارق مقبول ولا حرج عليه

طيب نشوف multisim كدا هيوافقنا فى الكلام ده ولا هيقول ايه ،،،،



الراجل قال 2.5 ملى امبير عموما قلنا سابقاً ان الفارق ليس كبيرا وهو غير مهم ،،

نرجع لموضوعنا لااصلى وهى كم تكون قيمه الـ VGS
VGS= VG-IDRS
VGS= 9-(0.0025*2000
VGS=9-5=4V

ممتاز بس دا كلام معادلات وارقام نشوف الحكم MULTISIM هيقول ايه ،،،،



الراجل ايدنا تمام التمام

طب نشوف مع بعض صوره مجمعه لكل العمليات السابقه

[peipo]

--->>> الاشكال المختلفه للموسفت الـ E-mosfet وطرق القياس ..

الشكل المعتاد للموسفت هو ثلاثى الاطراف لكن لن يمنع ذلك من وجود موسفت له اكثر من طرف كما سبق وان قلنا اذا ما لم يتم وصل طرف الـ substarte داخليا

ليس هذا فحسب بل هناك موسفت له اكثر من اربع اطراف قد يكون له 6 اطراف او 8 اطراف حتى لو كانت الطبقه السفليه substarte موصوله داخلياُ بالـ Sourcs عموماً نشوف كدا كل شكل وطرق قياس كل واحد

--- >> اولا الشكل واسع الانتشار واطرافه محدده عليه ،،




--- >> وهذا ايضاً منتشر على نطاق عريض فى دوائر الماذر بورد المختلفه وهو ايضاً ثلاثى الاطراف كما بالشكل التالى :-

عموما طالما انه ثلاثى الاطراف وحسب ما قرات كثيرا وبعد فهمى للتركيب الداخلى للموسفت توصلت الى انه طالما ان الموسفت ثلاثى الاطراف فهذا يعنى انه لو اعتمدنا قياسين لكل طرف مره بالموجب ومره بالسالب (يعنى بتبديل الاطراف على الموسفت) فسيصبح لدينا 6 قياسات ،،

فى كل هذه القياسات الست لن يقيس الا مره واحد فى حدود من 300 الى 700 وهى تكون بين الـ Drain والـ source وذلك عندما يكون الطرف السالب على الـ drain والموجب على الـ source

يعنى ممكن نختصر كل دا بانه فى الست قياسات سيقيس مره واحده
ويمكن اعتباره كانه سليكون لن يقيس الا فى اتجاه واحد فقط بين ال drain و الـ source وعند عكس الاطراف لن يقيس ،،،،

طيب نقول الكلام الـ فات تانى باسلوب ابسط ،،

1-يتم ضبط الاوفو على وضع الديود .

2- يتم وضع الموسفت كما بالشكل الموجود اسفل شكل (32).

3- نضع سالب الافو الـ هو الطرف الاسود علي الـ drain الـ هو طرف المنتصف ثم نضع الطرف الاحمر مره على الـ source ومره على الـ gate فى هذه الحاله سيقيس مره واحده كما سبق وان قلنا بين الـ d و الـ s من 300 الى 700

وبعكس الاطراف لن يقيس نهائى ...

قد تجد وانت تقيس ان هنا شورت ولكن انتبه يجب اولاً افراغ الشحنه بين جميع الاطراف وتقيس مره اخرى لانه قد يكون المكثف الداخلى تم شحنه ففتح القناه ،،

نعيد الخطوات السابقه ولكن بعكس اقطاب الافو لن نجد قياس نهائى فى جميع الاطراف بكدا الموسفت سليم وتمام

اما الموسفت المنتشر فى اللابتوب وهو سداسى الاطراف
ومن مثل هذه الارقام هو
1426
كما بالشكل التالى




يااا ه الموسفت يا جدع شكله يخض لكن ما فيش حل غير نشوف الداتا شيت يمكن الواحد يفوق من الخضه الـ حصلت ،،



الداتا شيت بتقول ان الطرف رقم 5 ،6، 1،2 يمثلان اطراف مشتركه للـ drain والطرفان الباقيان هما للـ source و الـ gate اصبحت الاموراكثر وضوحاً وسهوله اذن نعتمد له القياس السابق ذكره ،،،



لم تنتهى الامور عند هذا الحد لان هناك من الموسفتات من هو ثمانى الاطراف ايضاً يا خبر مثل الرقم FDMC 2610

وهو موجود فى اللابتوب ايضاً وشكله كا التالى



طبعاً عارفين هنعمل ايه وهنتصرف ازاى علطول الحقينا يا داتا شيت نشوف كدا ،،



يا سلااااام 1،2،3 يعتبران طرف واحد الـ هو الـ source لا ومش كدا وبس دا الاطراف 5،6،7،8 يعتبران طرف واحد وهو طرف الـ darin

والطرف الوحيد الـ فاضل هو البوابه gate يعنى 3 اطراف برضوا ونعتمد لهم القياس السابق ذكره ايضاً

بقيت جزئيه مهمه باذن الله يعطينى ربى ويعطيكم طوله العمر وبركه الوقت بس وهكمل باذن الله ،،

تبقى الاتى :-
1- استخدام الموسفت كمكبر للاشاره .
2-تصميمات متنوعه للمكبرات لذلك .
3- استخدام الموسفت فى دوائر الباور وتنظيم وتثبيت الفولت والتقنيات المختلفه وافكار موسعه ،،

نستنتج من ذلك انه لم يغلق هذا الباب بعد
اينعم اه ولنا عوده له مره اخرى فى نفس الموضوع
تحياتى
اخوكم ايهاب المصرى ()peipo?

[seakrokram]

السلام عليكم ورحمة الله وبركاته
اخي المهندس ايهاب هذا عمل ممتاز ويرجع بذاكرتي الى ايام الجامعة التكنولوجية
في بغداد
الرب يبارك اعمالك
تحياتي

[osama matar]

ما شاء الله .. موضوع رائع

[أبو معاذ 2010]

السلام عليكم و رحمة الله و بركاته

عمل عظيم أخي الكريم ، جعله الله في ميزان حسناتك .