[mozoo]

يريد أغلابية أعضاء المنتدي الحبيب و بما فيهم انا طريقة اختبار الموسفيتات
الموجودة علي المازر بورد و الخارجة منها عن طريق الأفو الرقمي و الانالوج بشكل تفصيلى من ضبط وضع الافو والقرأة و نوع المسفيتات التي يجب تغيرها ان كان لا يعمل علي البوردة
ويبدو انه طلب من اناس كثيرين فنرجوا الاهتمام

أتوجه بالطلب الي الأخ هريدي و جميع من يملك المعلومة فلا تبخلوا علينا جزاكم الله خيرا

[hariedy]

بالنسبة لعملية التغيير تخضع لعدة عوامل اولها فئة الترانزيستور ( الموسفيت )
سواء NPN or PNP ثانيهم مداخل ومخارج الترانزيستور ثالثهم اعلى امبير
وفولت يمكن للموسفيت معالجته ، ويمكنك الحصول على تلك المعلومات من
خلال الداتا شيت الخاصة بالترانزيستور .
بالنسبة لعملية القياس فبدون معرفة وظيفة كل عنصر وطريقة قياس العناصر الاليكترونية بصفة عامة للالمام بالاساسيات ليس اكثر : صفحة الرموز الالكترونية
http://www.qariya.com/electronics/workshop.htm

بالنسبة للافوميتر سأحصر كلامى على استخدام الديجيتال لان الغالبية منا
لايمتلكون الانالوج ، ولايعنى هذا استغنائنا عن الانالوج .
ومبدئيا سأربط بين كل طريقة قياس بمسببات معينة ، سأحدد فى كل منهما
على وضعية ضبط الافوميتر .
اولا البوردة تبدو كما لو انها لا يصلها بور ، رغم التأكد من كل المسببات
الاخرى والشك الان فى ترانزيستورات البور ( موسفيتات تغذية البروسيسور )
ضبط الافوميتر هنا وعملية القياس ستكون بغرض واحد هوالتأكد من عدم وجود
شورط فى الموسفيتات كل على حدا ، بالتالى سيتم ضبط الافوميتر على
وضعية الجرس BUZZER وبما اننا هنا بصدد معرفة هل هناك شورط فى
الترانزيستور ام لا ، فليس هناك فارق من حيث ايهما من اطراف الافوميتر
ستوضع على ايهم من ارجل الترانزيستور ؟؟ وهل يحتاج الامر لخلع الترانزيستور
من البوردة لاتمام عملية القياس بصورة اكيدة ؟؟ الاجابة هنا بأنه طالما
نحن نتأكد من عدم وجود اتصال داخلى بين اطراف الترانزيستور ( المدخل- المشع )
فليس هناك فارق بين وضع الطرف الاحمر او الاسود على اى منهما .
مع الاخذ فى الاعتبار انه نظر لتصميم البوردة فستجد اتصال مباشر بين الطرفين
( المجمع - القاعدة ) سيعطيك صفارة لكنه بسبب امر عادى لن تجده ان اجريت عملية
القياس خارج المازر بورد .
وليس ايضا هناك حاجة لعملية فك الموسفيت للقياس خارج الدائرة ، فبمجرد
سماعك لصوت الجرس فهذا الترانزيستور يحتاج لتغيير حتى لو كانت الصفارة
لمدة لحظات طالما اننا اخذنا احتياطيات عملية القياس من حيث عدم اختبار
اى من الترانزيستورات وهو مشحون ( اى وهو موصل بالبورصبلاى اثناء عمله )
وايضا بعد تفريغ جميع المكثفات المجاورة لانها متصلة ببوابة الموسفيت مباشرة .
مع الاخذ ببعض العوامل المساعدة مثل هل هناك بعض الاثار الظاهرية على جسم
الترانزيستور مثل بعض النتوئات الناجمة عن شورط ، او ارتفاع غير معتاد فى درجة
حرارة الترانزيستور .
بالنسبة للحالة الاخرى من الحالات التى قد يرجع فيها العطل لترانزيستورات التغذية
سواء كان العطل يبدو بعدم شعور البوردة بالبروسيسور او بالنسبة للرامات وصدور
صفارة او كود يشير الى عدم وجودها والحال نفسه بالنسبة للشيب الرئيسى
والفرعى ، ففى مثل تلك الحالة نلاحظ بالنسبة للبروسيسور اما ارتفاع شديد جدا
فى درجة الحرارة بعد لحظات معدودة من التشغيل واما اننا نلاحظ انه ليس هناك
فارق فى درجة حرارة البروسيسور قبل التشغيل وبعده ، والامر نفسه بالنسبة
للشيبات مع الاخذ فى الاعتبار الفارق بين الاثنين من حيث الحرارة النوعية .
فبالنسبة لعدم شعور البوردة بالبروسيسور مع عدم تغيير درجة حرارته فهنا
محل الاختبار هو التأكد من الفولت الخارج من مشع الترانزيستور طبعا بعد
معرفة اى الاطراف هى بوابة او قاعدة او مشع الموسفيت من خلال الداتا شيت
والتأكد من وصول 12 فولت من البورصبلاى فهنا يتم ضبط الافوميتر على وضع
قياس التيار المستمر V--- ونضبط مؤشر الافوميتر على 20 فولت مع الاخذ
فى الاعتبار ان كان الافوميتر ذات الاربع فتحات ان نضع الطرف الاسود فى
الفتحة المخصصة للفولتات الاعلى من 10 امبير والحرص على الا تأخذ عملية
القياس اكثر من ثوانى حرصا على سلامة الافوميتر وعلى الا يأثر ذلك
على قياساته مع تكرار الاستخدام . ويتم وضع الطرف الاحمر على مخرج الترانزيستور
( المشع ) والطرف الاسود يتم ملامسته مع اى طرف ارضى من البور صبلاى
( الاطرف سوداء اللون ) ومن ثم اخذ النتائج مع الاخذ فى الاعتبار اختلاف
تغذية البروسيسور P4 عن المعالجات P3 من حيث التغذية الخارجة من الموسفيتات
رغم اتحادهم من حيث التغذية من البور صبلاى ( 12 فولت ) لذلك فيجب
الاخذ فى الاعتبار ان البروسيسورات P4 سيعطى الطرف المشع 1.75 فولت وبالنسبة
للبروسيسورات P3 فستحصل على قراءة 1.65 و1.45 ستجدها محددة على
البروسيسور ذاته ، اى اختلاف فى تلك القيم فهو يحتاج للتغيير ففى حالات السخونة
الذائدة ستجد التغيير بالذيادة والعكس بالنسبة لعدم السخونة او للسخونة البسيطة
بالنسبة لترانزيستورات الرامات فهناك اختلاف من حيث مقدار تغذية كل من الفئتين
من الرامات SD و DD من حيث التغذية فالنوع الاول يحتاج ليعمل 3.3V اما
DDR تحتاج الى 2.5V وهو ما يجب اخذه فى الاعتبار اثناء القياس وبالنسبة
لضبط الافو وطريقة القياس فهى نفس طريقة التأكد من تغذية البروسيسور
ايضا مع الاخذ فى الاعتبار ان بالنسبة للرامات المشكلة قد تأتى احيانا من ايسيهاية
الفيركوانسى الخاصة بالرامات وهى لا تقاس الا بواسطة الاوسيلوسكوب ومقارنة
النتائج بالاصل وقد تكون من الكنترول الخاص بالربط ، وبالنسبة للشيب فهى ايضا
يقاس على مدخل الموسفيت الخاص بها سواء كانت رئيسية ام فرعية 5 فولت ونجد
على الخارج الخاص بالموسفيت المتجه للشيب 3.3 فولت والزيادة فى تلك القيمة يكون
السبب الرئيسى فى السخونة الشديدة التى قد تحدث بالشيب الفرعى احيانا .
هذا بالنسبة لاعطال التى تظهر نتيجة فى قصور ناتج عن خلل فى دور الترانزيستور
بالذيادة والنقصان ، لكن لا يجب ان نهمل جانب كبير من وظيفة الترانزيستورات
فى المازربورد وهى وظيفته كسويتش وهى ما قد نشك فيها بعد التأكد من كافة الجوانب
من تغذية ومن كافة العوامل الاخرى عموما التى قد تعطى نفس المعطيات وحتى رغم
سلامة الفولتات الخارجة من الموسفيت الا ان هناك مشاكل فى الاشارة او فى عملية
السويتش ، وهو ما يتطلب اجراء عملية القياس خارج الدائرة ( المازر بورد )
وليس الا لتك الوظيفة كسويتش لانه ان كان تالف تماما لن يجتاز عملية القياس لا داخل
البوردة ولا خارجها نظرا لاننا متأكدين تماما انه مفرغ تماما حتى لا يتأثر بأى مؤثر
اخر ، وتتم عملية القياس خارج البوردة بالطريقة التالية مع امكانية اجرائها داخل البوردة
ولكن حرصا على دقة الامر فنتحمل عناء الفك واعادة اللحام مرة اخرى مع الحرص
على درجة حرارة الهواء الساخن اثناء الفك واعادة اللحام حتى لانتسبب فى تلف العنصر
وتكون عملية القياس بوضع الطرف اسود ( الارضى ) على اعلى الترانزيستور ( القاعدة ) والطرف
الاحمر على المجمع والمشع بالتناوب ونأخذ القرائات التالية
ستجد 600: 700 اوم ذلك بين المجمع والمشع ، و ستجد فرق جهد قليل نوعا ما 200: 500
وذلك بالنسبة لفرق الجهد بين القاعدة والمجمع ، اما المشع والقاعدة 700: 1200 هذه اخر مرحلة
للقياس واخذ القرائات ويفضل ان تتم بواسطة افوميتر انالوج لان بعض التغيرات تتم بسرعة شديدة لن تلحظها بالافوميتر العادى . ولكنك ستجد القيم اقل بنسب بسيطة جدا بالنسبة للترانزيستورات الاخرى المسؤالة عن تغذية كل من الشيب الرئيسى والشيب الفرعى الرامات تغذية فلاشة البيوس والموسفيت المسؤال عن تغذيتها مختلف الشكل من حيث الحجم نوعا ما .
والله اعلم .

[بوعبده]

السلام عليكم

تسلم الايادى اخى مصطفى على الشرح

هل لى ان اجد ليدك اخى مصطفى شرح الفرق بين الترانزستور العادى وترانزستور التاثير المجالى



NMOS transistor

[hariedy]

الترانزيستور بتأثير المجال الكهربائيField effect transistor or - FET وهو
أنواع كثيرة جدا وتجده فى كل الدوائرة الرقمية Enhancement NPN - MOS FET
و Junction PNP- FET. نظرا لما يقوم به كعملية سويتش وذلك نتيجة أن الجهد عند
المجمع يكون أعلى من الجهد عند القاعدة و الاثنين أعلى من الجهد عند المشع وهذا ما
يسمونه بعملية Active Mode وإلا لن يعمل الترانزيستور نظرا لعدم قيامه بتلك الوظيفة
وسيقوم بما يسمى بوظيفة (Switching) وهي التي تجدها فى المازر بورد وتجدها فى
كافة الدوائر الاليكترونية التى لا يستوعب تصميمها وتطبيقاتها الا زمن تأخر قصير جدا جدا .
ويختلف عن الترانزيستور ثنائى القطب ان الترانزيستور ثنائى القطب له نقطة اتصال
اليكترونية بين قطبيه N وقطب P ويعتمد فى عملية المعالجة على التيار الذى يتغذى به
عن طريق قاعدة الترانزيستور ، بينما النوع الاخر ( ذات التأثير المجالى ) فيعتمد
على التيار الذى يتغذى به عن طريق البوابة وهو ما يتفق مع ما ستجده عند قيامك بعملية
القياس للترانزيستورات فى المازربورد واى الاطراف ستجد عليها 12 فولت بالنسبة لترانزيستورات
البروسيسور مع مراعاة فوارق التغذية بالنسبة للترانزيستورات المسؤالة عن تغذية العناصر الاخرى .
وعملية القياس ستكون كما سبق مع مراعاة تثبيت مؤشر الافوميتر على وضعية الاوم
اثناء التحقق من الموسفيتات خارج المازربورد وايضا وقبل عملية الفك فى حالة عدم
توصيل التيار بالمازربورد واتمام عملية التفريغ .
والله اعلم .

[بوعبده]

السلام عليكم

اخى الحبيب (درش)
معلش هاتعبك شويه

قارب ردك السابق بهذه الشرح ( دا انا كنت ناقله هنا على القريه فى موضوع وانتا اشتركت فيه) واخبرنى اين وجه الاختلاف بين ما تقوله انت وبين ما يقوله صاحب الشرح

انا اسف جدا يا درش بس موش عارف افهم الموسفيت ابدا

دا الشرح السابق

فكرة عمل الـMOSFET :

فى هذا النوع من الترانزستورات يتم التحكم بتيار الخرج عن طريق جهد (المجال الكهربى) الدخل .. فكيف ذلك ؟
أنظر الشكل التالى (حيث تم توصيل المصرف بالطرف الموجب لبطارية والمنبع بالطرف السالب لها)
1- فى حالة عدم وضع جهد على البوابة Gate فإنه لن يمر أى تيار بين المنبع والمصرف (الشكل الأيسر)
2- فى حالة وضع جهد موجب على البوابة (فى الشكل الأيمن) - لاحظ أن الترانزستور من نوع القناة N - فإن الإلكترونات الحرة الموجودة فى بلورتى المنبع والمصرف ستنجذب للمجال الكهربى الموجب المتكون عند البوابة مكونة قناة لمرور التيار بين المنبع والمصرف.
ويتغير حجم هذه القناة تبعا لقوة المجال الكهربى عند البوابة وبالتالى تتغير قيمة التيار المار بين المنبع والمصرف.

[hariedy]

ليس هناك اختلاف بين ما ذكرته انا بالمرة وبين :

السلام عليكم اخى الحبيب (درش) معلش هاتعبك شويه قارب ردك السابق بهذه الشرح ( دا انا كنت ناقله هنا على القريه فى موضوع وانتا اشتركت فيه) واخبرنى اين وجه الاختلاف بين ما تقوله انت وبين ما يقوله صاحب الشرح انا اسف جدا يا درش بس موش عارف افهم الموسفيت ابدا دا الشرح السابق فكرة عمل الـMOSFET : فى هذا النوع من الترانزستورات يتم التحكم بتيار الخرج عن طريق جهد (المجال الكهربى) الدخل .. فكيف ذلك ؟ أنظر الشكل التالى (حيث تم توصيل المصرف بالطرف الموجب لبطارية والمنبع بالطرف السالب لها) 1- فى حالة عدم وضع جهد على البوابة Gate فإنه لن يمر أى تيار بين المنبع والمصرف (الشكل الأيسر) 2- فى حالة وضع جهد موجب على البوابة (فى الشكل الأيمن) - لاحظ أن الترانزستور من نوع القناة N - فإن الإلكترونات الحرة الموجودة فى بلورتى المنبع والمصرف ستنجذب للمجال الكهربى الموجب المتكون عند البوابة مكونة قناة لمرور التيار بين المنبع والمصرف. ويتغير حجم هذه القناة تبعا لقوة المجال الكهربى عند البوابة وبالتالى تتغير قيمة التيار المار بين المنبع والمصرف.

الموضوع بسيط جدا وبصورة مبسطة اكتر انت معاك ترانزيستور ومعاك بطارية
صغيرة عايز توصلها مع مصباح لكن بوضع الترانزيستور بين الاثنين للقيام بالتحكم
و المعالجة للتيار الخارج من البطارية و السؤال هنا هل سيقوم الترانزيستور
بوظيفته فى عملية المعالجة دون توصيل البطارية ببوابة الترانزيستور GATE
بالتالى سيقوم الموسفيت بوظيفته سواء بتكبير او بتنظيم الخارج للمصباح
اتمنى ان اكون وفقت فى ذكر المثال .
وياريت تبعتلى الربط بتاع الموضوع اللى بتتكلم عن الاختلاف معاه .
والله اعلم .

[ghost2k_man]

يا أستاذنا الشرح أكتر من ممتاز ،،، بس كان عندى سؤال بخصوص قياس فرق الجهد ... اظبط الأفو علي ايه وهل لازم يكون افو انالوج ... مع الشكر ...

[hariedy]

لا ممكن نكتفى بأفوميتر ديجيتال ونظبط الافو على وحدة الاوم .
والله اعلم .