كود تفعيل العضوية - الابلاغ عن روابط لاتعمل - صيانة التلفزيون - الحاسبة - الأعضاء المتميزين - البرامج و المخططات - بث مباشر للقنوات الفضائية - إذاعة - تردد القنوات - بحث
|
التسجيل | اجعل كافة المشاركات مقروءة |
منتدى الإلكترونيات قسم الالكترونكس لمناقشة الافكار والمعلومات المتعلقة بالهندسة الالكترونية للمبتدئين والهواة والفنيين - Electronics |
![]() |
|
أدوات الموضوع |
![]() |
#1 |
عضو ذهبي
الدولة: الخرطوم_السودان
المشاركات: 926
معدل تقييم المستوى: 103
|
![]() السلام عليكم
ماذا يعنى هذا المصطلح وخاصة عندما يستخدم مع الديودات fast recovery diode ?? |
![]() |
![]() |
اعلانات |
![]() |
#2 | |
عضو ماسي
الدولة: غزة هاشم/فلسطين
المشاركات: 2,772
معدل تقييم المستوى: 220
|
![]() اقتباس:
ثم وجد التردد 20كيلو هيرتز المستخدم في دوائر التغذية القديمة وسمي High frequency diode واستمر التطور وسمي ultrafast diode وقد تصل الترددات ل 250كيلو هيرتز وثنائيك fast recovery diode هو جزء من تطور الأخير (ultrafast diode ) سريع الانتعاش شاهد الرسم ![]() |
|
![]() |
![]() |
اعلانات اضافية ( قم بتسجيل الدخول لاخفائها ) | |||
|
![]() |
#3 |
مؤسس موقع القرية الالكترونية
المشاركات: 11,350
معدل تقييم المستوى: 315
|
![]() مهندس اسامة .. شكراً على هذه المعلومة ..
صادفني كثيراً هذا المصطلح في داتا شيت لبعض الثنائيات .. هل يعني ان الفاست ريكيفري هو عبارة عن ثنائي يمكنه الاستجابة للترددات العالية .. وهل لا يختلف فحصه عن فحص الثنائيات التقليدية .. ؟ وهل هناك رمز يميز هذا الثنائي في المخططات ..؟ وهل هناك دائرة مكافئة يمكنها ان تعمل كا بديل عنه ؟ اسئلة كثيرة اتمنى من المهندسين المشاركة في معلوماتهم حول هذا الثنائي .. |
![]() |
![]() |
![]() |
#4 |
عضو ذهبي
الدولة: الخرطوم_السودان
المشاركات: 926
معدل تقييم المستوى: 103
|
![]() مهندس اسامة مطر لك كل الشكر على المعلومات القيمة
بالفعل التطبيق تردد عالى نسبيا 40 كيلوهيرتز او اعلى اذن هذه السرعة فى التحول تعتمد على trr كلما زاد التردد يجب ان تقل ال trr ويهمنى الاجابة على سوال المهندس فهد الثالث وشكرا لك مرة اخرى |
![]() |
![]() |
![]() |
#5 |
مهندس متميز
![]()
المشاركات: 499
معدل تقييم المستوى: 0
|
![]() مشكوررررررررررررررر
|
![]() |
![]() |
![]() |
#6 |
عضو ماسي
الدولة: غزة هاشم/فلسطين
المشاركات: 2,772
معدل تقييم المستوى: 220
|
![]() بالضبط أخي robota تعلم أنه عند قلب الجهد على الثنائي(انحياز عكسي) سوف تزيد منطقة النضوب وكلما كانت أسرع في الزوال كلما كانت كفاءة الثنائي أفضل ويتعامل مع ترددات أعلى
ولو لاحظت المنحنى ستجد أن تعدي حاجز النضوب أيضاً يستقرق زمناً (انحياز أمامي) يمكننا تركيب ثنائيين توالي ونحصل على ثنائي جهده أعلى ويمكننا تركيب ثنائيين على التوازي ونحصل على ثنائي تياره أعلى أما أسرع فلا فكرة لدي وخذ هذه الخواص لأحد الثنائيات C2D10120–Silicon Carbide Schottky Diode Zero Recovery® Rectifier Zero Forward Recovery Zero Reverse Recovery High-Frequency Operation واخد بالك من كلمة زيرو (سيطر على الفيزياء بشكل مطلق) والله أعلم بمدى صدقه عندما يقال fast recovery فهو لم يعطنا فكرة عن تصميم الثنائي لنعلم كيف سيكون قياسه تحديداً فقد مر علي ثنائيات هي غابة من المكونات الإلكترونية داخلياً حسب الداتاشيت فلدينا مثلاً الثنائي الشوتكي المشهور استخدامه حالياً في دوائر البور سبلاي للكمبيوتر له جهد انحياز أمامي 0.15 فولت أقصد جهد العتبة أو جهد التغلب على منطقة النضوب ولدينا ثنائيات عادية فاست حوالي0.35 فولت وهي قديمة نسبياً (العادي جهده حوالي 0.54 فولت) والله عز وجل أعلى وأعلم |
![]() |
![]() |
![]() |
#7 |
عضو ذهبي
الدولة: الخرطوم_السودان
المشاركات: 926
معدل تقييم المستوى: 103
|
![]() بارك الله فيك وجزاك الله خيرا الامور الان واضحة تماما .
طيب ما هو مقابل هذا المصطلح عندما نتحدث عن الترانزستر(transistor) بمعنى اذا اردت استخدام ترانسزستر كمفتاح يفتح ويغلق بتردد عالى نسبيا 40 كيلو هيرتز فما هى الخاصية التى يجب ان اهتم بها فى الداتا شيت واسف على الاطالة وتعبتك معاى اخى الفاضل ارجو ان تعذرنى وشكرا لك مرة اخرى. |
![]() |
![]() |
![]() |
#8 | |
عضو ماسي
الدولة: غزة هاشم/فلسطين
المشاركات: 2,772
معدل تقييم المستوى: 220
|
![]() اقتباس:
فموضوع تكبير الترددات العالية هنا مرتبط بالتيار والجهد لذا يكتب في خواصها SMPS ومعظم الترانزيستورات الحديثة من الموسفت (MOSFET) metal–oxide–semiconductor field-effect transistor |
|
![]() |
![]() |
![]() |
العلامات المرجعية |
أدوات الموضوع | |
|
|