مرحبا بك اخى
المخطط المرفق من قبلك عباره عن طريقتين لتوصيل الترانزستور فى الدوائر الاليكترونيه
والترانزستور المستخدم هنا من النوع pnp ويميزه ان السهم للداخل
وللتوضيح المخطط على اليمين Q1 ترانزستور من النوع PNP موصل بطريقة المشع المشترك لذالك ستجد الطرف E للترانزستور مشترك ما بين الدخل والخرج وهذه الطريقه شائعه فى الدوائر الاليكترونيه ولها معامل تكبير تيار وجهد كبيرين ولكى يعمل الترانزستور فى هذه الحاله لابد يكون كليكتور الترانزستور C سالب بالنسبه للاميتر E-- ويكون E موجب بالنسبه للبيز P
---------------------
والمخطط الى اليسار Q1 ايضا للترانزستور PNP لان السهم على الاميتر للداخل كما اشرنا
لاكن Q1 على اليسار مختلف فى طريقة التوصيل عن Q1 الى اليمين
المخطط الى اليسار لترانزستور PNP ايضا ولاكن هذه المره موصل بطريقة القاعده المشتركه ولذالك سوف تجد الطرف P او قاعدة الترانزستور موصله مشتركه ما بين الدخل والخرج
ولكى يعمل الترانزستور فى هذه الحاله لابد يكون الجهد على كوليكتور الترانزستور C اعلى من قيمة الجهد على القاعده P ويكون الجهد على E الاميتر اعلى منه على القاعده وكل هذا لتهيئة الترانزستور للعمل كمكبر او كمذبذب
ارجو ان اكون وضحت /تقبل تحياتى