لدي دائرة صينية وظيفتها الحماية من انخفاض وارتفاع الجهد ومستخدم فيها مايكروكنترولر .. المايكرو يقيس الجهد بواسطة دفايدر والدفايدر مكون من ثلاث مقاومات موصولات على التوالي .. اثنان قيمتهم 1 ميجا والثالثة 220 كيلو .. السؤال هو : لماذا تم تقسيم الدفايدر الى ثلاث مقاومات ولم يتم استخدام مقاومة واحدة قيمتها تساوي مجموع قيم المقاومات الثلاثة ؟؟

هل هذا يؤثر في العزل ويعطي استقرارية افضل ام ماذا ؟؟؟

وعليكم السلام ورحمة الله
تم استخدام ثلاث مقاومات لتوزيع الاستطاعة فيما بينهم
من اجل الحصول على حجم صغير يعد هذا الامر من فنون الالكترونيات التكتيكية 😂
تحياتي

أخي الكريم أنا استخدم دفايدر مكون من مقاومة 220k مع 10k ومقاومة متغيرة على التوازي قيمتها 10k مع مكثف تنعيم ، ايهما افضل المقسم الذي عندي أم المقسم المكون من ثلاث مقاومات 2 منهن بقيمة 1 ميجا والثالثة بقيمة 220k ؟

اخي معتز هكذا لا استطيع افادتك بدون معطيات
مثلا استطاعة الحمل الاستطاعة التي توافرها بالمقاومات من خلال حساب الجهد والتيار المار بهم .
ارفق رسم او معطيات المقسم وبعدها نتابع .
تحياتي

تمام اخي .. هذا هو المخطط الذي استخدمه



طبعا مكبر العمليات هنا يقوم بوظيفتين , الاول يعمل كفلتر تمرير منخفض والثانية يعمل على منع ارتفاع الجهد لأكثر من 3.5v على مدخل الانلوج للمتحكم ...

وهذا المخطط الذي استنسخته من بورد صيني



لاحظ هنا مستخدمين متكاملة رقمها R17342a عند البحث في النت عن الداتشيت لم اجد هذا الرقم بل وجدت داتاشيت لرقم HA17324/A واظنها نفسها .. من الداتاشيت عرفت انه مكبر عمليات يستخدم كـ buffer , عند ملاحظة المخطط نجد ان مقسم الجهد مربوط على مداخل مكبر العمليات مباشرة بدون توحيد , خرج المكبر الداخل الى المدخل التناظري للمايكرو مربوط عليه زنر 5v ..

بصراحة انا لم افهم هذا المخطط كيف يعمل ..

حياك الله
هكذا تمام ... وضحت الرؤية 😁😁😁
بالنسبة لمخططك فهو فعال وجيد فقط لو تخفض قيمة C5 لما بين ٢٢ و ١٠ ميكرو كي تحصل على استجابة آنية لتغيرات الدخل على خرج المضخم .
اعتقد انك هناك خطأ برسم الدارة الصينية تاكد منها مرة اخرى رجاء .
مالذي لم تفهمه بالدارة الصينية ام بدارتك
هذا مضخم بهازل يمكنك ان تضع بدلا منه LM324 ان كنت ستستغني عن الميكرو كونترولر او المتحكم والافضل ان تستبعد المتحكم لانه لاداع له هنا فهذا النوع من الدارات بسيط ولا يحتاج لتعقيد بالغ
هذا من وجهة نظري ويبقى الخيار لك .
طبيعي ان يوضع على مخرج المضخم زينر لان المعالج لا يقبل باعلى من هذا الجهد وكما تلاحظ فالمخطط الصيني يعتمد على تضخيم تفاضلي للاشارة واي قفزة بالتيار مفاجئة قد تنتج جهدا يضر بالمعالج
تحياتي

نسيت ان اخبرك انه لا داعي للمكثف C6 .
والمكثف C7 اجعله ١٠٠ نانو كي تستفيد منه اكثر .
اهلا وسهلا بك

الدائرة الصينية صحيحة وانا حاولت فهمها لكن لم افلح لذلك استغربت منها فسألتك عنها وسأعيد مراجعتها من جديد ...

المتحكم هنا يقوم بوظائف عديدة وليس لقياس الجهد فقط ..