السلام عليكم
بصفه عمليه يهمنى قياس هذه النوعيه من الترانزيستور والوقوف على
صلاحيتها وذالك لندرتها فى التيلفزيون خصوصا الحديثه
لو اعتبرنا ان ال (GATE) G الممر يماثل قاعدة الترنزستور العادى P
والمصب (DRAIN) Dيماثل مجمع الترنزستور العادى C
والمنبع(SOURCE) S يماثل المشع للترنزستور العادى E
فى حالة الترانزيستور الالتصاقى بالصوره رقم 2 GFET وهو الموجود ببعض اجهزة التليفزيون ينقسم لنوعان قناة توصيل موجبه P
,وقناة توصيل سالبه N
,ويتم اختباره بالافوميتر فى وضع الاوم للمدى 100XR مع توصيل عصا الاختبار السالبه الى البوابه G وعصا الاختبارالموجبه الى المصب D او المنبع S ذالك للترانزيستور سالب القناه
الموجب القناه نعكس وصلات الافو بحيث تكون العصا الموجبه الى البوابه والسالبه الى المصب اوالمنبع وتكون قرائة المقاومه منخفضه
واذا عكست الاطراف للافو فلا يجب ان يعطى اى قرائه
لان وجود اى قرائه توضح ان الترانزيستور تالف او به رشح بين اقطابه
وهذا يشبه الى حد ما قياس الترانزيستور العادى اذا اعتبرنا البوابه قاعده والمنبع مشع والمصب مجمع
http://upload.qariya.info/up1/111.rar