مقدمة
يمكن تقسيم الذاكرة إلى متطايرة Volatile وغير متطايرة Nonvolatile ، حيث المتطايرة تفقد المعلومات المخزنة عليها بمجرد إطفاء النظام وبالتالي تحتاج لقدرة كهربية دائمة كي تستطيع الحفاظ على المعلومات. معظم أنواع الذاكرة RAM تقع ضمن هذا التصنيف. بينما الغير متطايرة لا تفقد معلوماتها بقطع الكهرباء عنها. إن الذاكرة غير المتطايرة (NVM) هي عبارة عن ترانزيستور من نوع MOS حيث أنها تحتوي على منبع Source ومصرف Drain وبوابة تحكم Control Gate ولكنها تختلف عن الـ MOSFET القياسية بوجود بوابة عائمة Floating Gate معزولة كهربياً.
في وحدة الذاكرة ذات البوابة العائمة يتم تخزين الشحنة أو البيانات في البوابة العائمة حيث تبقى حتى بعد فصل القدرة الكهربية لاحظ الشكل (1).

شكل (1) تركيب خلية NVM

ميكانيزم البرمجة الأساسي:
يجب حقن الشحنة في البوابة العائمة من أجل برمجة الخلية وهذا يتم بإحدى طريقتين:
الطريقة الأولى Fowler-Nordheim (FN) Tunneling أو العبور النفقي لـ FN
حيث يتم تطبيق جهد عالي Vcg على بوابة التحكم أثناء البرمجة هذا الجهد يؤدي لنشوء مجال كهربائي يعمل على صنع نفق لعبور الإلكترونات من P substrate إلى البوابة العائمة عبر بوابة الأكسيد Gate Oxide الرقيقة جداً (أقل من 120 أنجستروم) كما هو موضح بالشكل (2). لاحظ أن هذه الطريقة تتطلب صنع الترانزيستور بحيث تكون بوابة الأكسيد طبقة رقيقة جداً.

شكل (2) العبور النفقي لبرمجة الإييبروم

الطريقة الثانية Channel Hot-Electron injection (CHE) حقن الإلكترون الساخن بقناة
هنا يتم شحن البوابة العائمة بحقن إلكترونات ساخنة في المنطقة الضيقة بجانب المصرف حيث حصلت هذه الإلكترونات على طاقتها من الجهد المطبق على المصرف Vd حيث يساعدها المجال الكهربي Elat الناشئ عن فرق الجهد بين المنبع والمصرف ولكنها لن تصل للبوابة العائمة قبل أن تمتلك طاقة كافة لعبور الحواجز حيث يسحبها الجهد المطبق على بوابة التحكم Vcg حتى تصل للبوابة العائمة. لاحظ أن هذا الأسلوب يتطلب صناعة القاعدة للترانزيستور بحيث تكون n substrate على p substrate.

شكل (3) حقن الإلكترون الساخن بقناة لبرمجة الإييبروم

ميكانيزم المسح

قبل برمجة NVM يجب أن نقوم بمسحها حيث أن الإلكترونات تكون مثبتة على البوابة العائمة بسبب ارتفاع حاجز الطاقة بين البوابة وطبقة الأكسيد (3.2 eV) وللتغلب على هذا الحاجز يمكن أن نقوم إما بتسليط أشعة فوق بنفسجية UV تعطي الإلكترونات طاقة كافية للتغلب على حاجز الطاقة والهرب لبوابة التحكم أو القاعدة substrate حيث تستغرق العملية حوالي 10 دقائق وهذه الطريقة هي المتبعة مع الإيبروم

شكل (4) المسح بواسطة الأشعة فوق البنفسجية

أما الطريقة الثانية فتتطلب تطبيق جهد سالب كبير على بوابة التحكم يصنع مجال كهربائي الذي دوره يشكل حاجز جهد يعمل كنفق لعبور الإلكترونات من البوابة العائمة للقاعدة substrate عبر طبقة الأكسيد

شكل (5) المسح الإلكتروني FN Tunneling

وهنا يمكن القيام بذلك بطريقتين الأولى تسمى "العبور المنتظم" وتتطلب تطبيق جهد كبير سالب على بوابة التحكم ويعاب على هذه الطريقة بطء العملية أما الثانية فتسمى "العبور بجانب المصرف" وفيها نطبق جهد سالب على بوابة التحكم وجهد موجب على المصرف ويعاب على هذه الطريقة عبور كمية كبيرة من الإلكترونات من منطقة صغيرة مما قد يؤدي مع الوقت لتلف طبقة الأكسيد (لاحظ الأشكال للمقارنة).

شكل (6) المسح الإلكتروني بطريقة "العبور المنتظم"

شكل (7) المسح الإلكتروني بطريقة "العبور بجانب المصرف "

تشكيل الذاكرة
يمكن تشكيل ذاكرة NVM على هيئة مصفوفة كما في الشكل حيث يتم ربط الأعمدة مع المصرف لكل خلية ذاكرة (col 1, col 2 and col 3) فيما يمثل خط البت "bitline" وهو يستخدم لاختيار أو عدم اختيار خلية الذاكرة من أجل المسح أو البرمجة، تتألف المصفوفة أيضاً من صفوف تتصل مع بوابة التحكم لكل خلية ذاكرة (row 0 and row 1) فيما يمثل خط الكلمة "word line" وهو يستخدم أيضاً لاختيار أو عدم اختيار خلية الذاكرة من أجل المسح أو البرمجة.

شكل (8) مصفوفة الذاكرة NOR

عملية القراءة
أثناء قراءة بايت أو كلمة من البيانات يتم إيصال "خط الكلمة" المعنون للمستوى المنطقي 1 (أي أعلى من جهد العتبة للخلية الممسوحة) هذه الحالة تؤدي لتشغيل الخلايا الممسوحة مما يسمح بتدفق التيار من المصرف للمنبع بينما تظل الخلايا المبرمجة في وضع الإطفاء مع تيار ضعيف ينساب من المصرف للمنبع. يتم استشعار هذا التيار وتكبيره حتى يصل للمستوى المنطقي، باقي "خطوط الكلمة" الأخرى تبقى منخفضة خلال هذه العملية. ولأنه نحتاج فقط للتحكم بخط كلمة واحد كل مرة أثناء القراءة فإنه يمكن القراءة بأسلوب الوصول العشوائي.
عملية الكتابة
أيضا هنا يمكن الكتابة بالوصول العشوائي حيث أن خط الكلمة المعنون يرفع لجهد 12 فولت ويطبق 6 فولت على خط البت (المصرف) بينما نبقي المصدر على جهد صفر أما باقي خطوط الكلمة فتبقى منخفضة.
عملية المسح
تتم عملية المسح بالكتلة دفعة واحدة. المنبع في كل خلية متصل مع المنبع لباقي الخلايا ضمن الكتلة الواحدة. أثناء المسح يبقى خط البت مفتوح وكل خطوط الكلمة تكون عند صفر فولت بينما المنبع يرفع لجهد 12 فولت مما يؤدي لمسح جميع الخلايا ضمن الكتلة بينما تبقى الكتل الأخرى بعيدة عن التأثير.


تشكيل إييبروم EEPROM
تستعمل إييبروم عند الحاجة لبقاء الذاكرة بعد إطفاء الجهاز حيث تستطيع الاحتفاظ بالبيانات لفترة تصل لعشر سنوات ويمكن تغيير محتوياتها مليون مرة ويمكن القراءة منها بعدد لا ينتهي من المرات ويمكن توضيح تركيبها الداخلي كما في الشكل التالي

شكل (9) التركيب الداخلي لوحدة إييبروم تجارية من إنتاج شركة FAIRCHILD

وهنا تجدر الإشارة إلى أن الشركات المختلفة قد تتبع تصاميم مختلفة داخلياً إلا أنها ستعمل بنفس الطريقة وهذا ما يقودنا إلى الموضوع التالي وهو كيفية التعامل مع وحدة إييبروم ضمن الدوائر الكهربية فيما يعرف بناقل IIC Bus.

جدول (1) بعض المصطلحات المستخدمة في البحث

نظرة حول الناقل II C BUS و الإييبروم
ما هو الناقل IIC BUS (Inter IC Bus)
إن II C BUS تسمح بتزامن اتصال باتجاهين بين مرسل ومستقبل باستخدام إشارة تردد الزمن (SCL) وكذلك إشارة البيانات التتابعية (SDA) يضاف لذلك وجود ثلاث إشارات عنونة (A0 , A1 , A2) والتي تعمل معاً كإشارة اختيار الجهاز أو الوحدة في الإييبروم.
جميع الاتصالات في IIC BUS يجب أن تبدأ بشرط بداية صالح بواسطة الحاكم (مجازاً) يتبعها إرسال بواسطة الحاكم يتكون من بايت أو أكثر من المعلومات (عنوان/بيانات). لكل بايت من المعلومات المتلقاة في المستقبل المعنون يجب أن يصدر نبضة عُلم (ACK) صالحة لكي يستمر الاتصال إلا إذا أراد المستقبل عدم استمرار الاتصال.
اعتماداً على اتجاه النقل (قراءة / كتابة) فإن المستقبل يمكن أن يكون محكوم (مجازاً) أو حاكم. ولكي يكتمل الاتصال بشكل سليم يجب أن يختم بعبارة (قف) من الحاكم.
إن عنونة مكان ذاكرة في إييبروم يتطلب إرسال عبارة أمر تحتوي المعلومات التالية:

[device type]-[device/page block selection]-[R/W bit]-{acknowledge pulse}-[array address]

عنوان المحكوم
عنوان المحكوم هو عبارة عن معلومة 8 بت تتكون من حقل يحدد نوع الجهاز (4 بت) وحقل اختيار كتلة صفحة الجهاز (3 بت) وبت واحد للقراءة أو الكتابة.

شكل (10) تنسيق عنوان المحكوم

نوع الجهاز
إن IIC BUS مصمم لدعم أجهزة مختلفة مثل الرام والايبروم الاييبروم ...الخ وبالتالي لتعريف الأجهزة بشكل سليم فإنه تستخدم جملة مُعرف (نوع الجهاز).للرام فإن جملة مكونة من 4 بت هي (0-0-1-0) تعتبر معرف الجهاز أما للإييبروم فإن جملة مكونة من 4 بت هي (1-0-1-0) تعتبر معرف نوع الجهاز.
أي كل جهاز له جملة خاصة ولذلك إن تواجد أكثر من جهاز على نفس الناقل BUS فإن كل جهاز يقارن الجملة مع جملته الداخلية الخاصة للتأكد من صحة اختيار الجهاز.
اختيار كتلة صفحة الجهاز .
عند تواجد عدة أجهزة من نفس النوع على ناقل IIC BUS (عدة إييبرومات) فإن عنوان A2, A1, A0 تستعمل كجزء من عنوان المحكوم حيث كل جهاز على الناقل يقارن داخلياً جمله الثلاث هذه مع ترتيب الأطراف (A2, A1, A0) الخاص به لكي يتأكد من اختيار الجهاز بشكل سليم.
هذه المقارنة بالإضافة لمقارنة "نوع الجهاز" بالإضافة لاختيار الاييبروم فإن البيتات الثلاثة هذه تستعمل أيضاً لاختيار "كتلة صفحة" من داخل الاييبروم. كل كتلة صفحة هي عبارة عن حجم 2 كيلوبت (256بايت) اعتماداً مع كثافته فإن الاييبروم قد يحتوي على 1 إلى ما أقصاه 8 كتلة صفحة بمجموعات زوجية ويتم اختيار كتلة الصفحة في الجهاز باستخدام بتات A2, A1, A0 .

اختيار كتلة صفحة الجهاز .
عند تواجد عدة أجهزة من نفس النوع على ناقل IIC BUS (عدة إييبرومات) فإن عنوان A2, A1, A0 تستعمل كجزء من عنوان المحكوم حيث كل جهاز على الناقل يقارن داخلياً جمله الثلاث هذه مع ترتيب الأطراف (A2, A1, A0) الخاص به لكي يتأكد من اختيار الجهاز بشكل سليم.
هذه المقارنة بالإضافة لمقارنة "نوع الجهاز" بالإضافة لاختيار الاييبروم فإن البيتات الثلاثة هذه تستعمل أيضاً لاختيار "كتلة صفحة" من داخل الاييبروم. كل كتلة صفحة هي عبارة عن حجم 2 كيلوبت (256بايت) اعتماداً مع كثافته فإن الاييبروم قد يحتوي على 1 إلى ما أقصاه 8 كتلة صفحة بمجموعات زوجية ويتم اختيار كتلة الصفحة في الجهاز باستخدام بتات A2, A1, A0 .
بت R/W
آخر بت في عنوان المحكوم يشير إلى نوع الوصول هو للقراءة أم للكتابة إذا كان البت "1" فالوصول هو للقراءة بينما "0" تستعمل للكتابة.
إشارة عُلم ACK
عُلم هي نبضة فعالة منخفضة على خط SDA يتم إيصالها من مستقبل معنون لمرسل معنون وهي تدل على استقبال بيانات مكونة من 8 بت. المستقبل يعطي نبضة ACK بعد كل 8بت من البيانات. ميكانيزم التصافح يتم كالتالي:
بعد استقبال 8بت من المعلومات يقوم المرسل بإفلات خط SDA وينتظر نبضة ACK.المستقبل المعنون إن كان موجوداً يوصل نبضة ACK على خط SDA خلال الزمن التاسع فيعيد إفلات خط SDA للمرسل.

عنوان المصفوفة Array address.
عنوان المصفوفة هو عبارة معلومة 8 بت تحتوي عنوان مكان الذاكرة الذي يجب اختياره ضمن كتلة الصفحة المنتقاة من الجهاز
اقتصار العنونة على 16 كيلوبت
إن تحديد IIC القياسي يحدد حجم الذاكرة والاييبروم على الناقل بـ 16كيلوبت هذا التحديد يرجع لبروتوكول العنونة المستعمل والذي يحتوي على عنوان محكوم من 8بتات وعنوان المصفوفة مكون من 8 بت.
عنوان الصفحة يختار واحد من 256 موقع (28=256) ونظراً لأن تنسيق البيانات في تخصيص IIC يعتمد نظام 8بت فإن ما مجموعه 8 X 256 =2048 بت = 2كيلوبت يمكن عنونته بعنوان المصفوفة 8 بت. يشار لهذا الـ 2كيلوبت ب"كتلة صفحة" وعند جمع هذه العنونة ذات الثمان بتات مع عنوان كتلة الصفحة أي الثلاث بتات فيمكن تعريف ما أقصاه 8 صفحات (23=8) من الذاكرة. ونظراً لأن كل صفحة تسع ل 2كيلوبت فإن حجم الذاكرة الأقصى الذي يمكن عنونته = 8X2 =16 كيلوبت في تخصيص ناقل IIC القياسي هذه الـ16 كيلوبت يمكن أن تكون على صورة جهاز إييبروم منفرد أو مجموعة.
من أجل عنونة أكثر من 16 KB في ناقل IIC يعتمد نظام آخر يسمى تخصيص ناقل IIC الممتد (EXTENDED IIC BUS SPSCIFICATION) .
نظرة حول IIC الممتد
تخصيص IIC الممتد هو عبارة عن امتداد لتخصيص IIC القياسي بحيث يسمح بعنونة إييبرومات بأكثر من 16 KB ذاكرة على نفس الناقل IIC وذلك بتعريف بايتين لعنوان المصفوفة وبالتالي يمكن عنونة 4ميجابت من الذاكرة (28.28.23)=(4 Mbits) .
[device type]-[device/page block selection]-[R/W bit]-{acknowledge pulse}-[array address 1] [array address 0]

ملاحظة هامة:/ في سياق هذا البحث سنتعامل مع الإييبروم على أنها محددة بـ 16 كيلوبت أي ما يختص بالناقل IIC القياسي حيث لا يوجد هناك فرق كبير بينهما يسترعي التخصيص لـ IIC الممتد خلال الشرح.

تعريف الأطراف
طرف SCL (المزامن المتسلسل)
يستخدم دخل SCL كي يوفر بعد الزمن للبيانات الداخلة والخارجة من الجهاز
طرف SDA(البيانات المسلسلة)
هو عبارة عن طرف ثنائي الاتجاه يستعمل لنقل البيانات من وإلى الجهاز
طرف WP الحماية ضد الكتابة
عند وصله مع Vcc فلن يتم تنفيذ عمليات البرمجة في النصف الأعلى من الذاكرة بينما تظل عمليات القراءة ممكنة . وعند وصله مع Vss يعود للحالة الطبيعية أي قراءة وكتابة من كل الجهاز.
مدخلات اختيار الجهاز A0 A1 A2 .
هذه المدخلات معاً تعمل كإشارة اختيار للاييبروم عند تواجد أكثر من واحدة على نفس الناقل وكل طرف يربط مع Vss أو Vcc مما يسمح باختيار واحدة من الإييبرومات بشكل صحيح ومنفرد كل إييبروم على الناقل تقارن تركيبها مع خيار كتلة صفحة الجهاز على الناقل ضمن عنوان المحكوم لتحديد الخيار الصالح فمثلاً إذا كان هذا الخيار هو (1-0-1) فإن الإييبروم التي يرتبط أطرافها (A2, A1, A0) مع (Vcc, Vss, Vcc) سيتم اختياره0
اعتماداً على حجم الذاكرة، فقط هناك عدد محدد من "مدخلات اختيار الجهاز" يمكن توفيرها في إييبروم لذلك فإنه لكل "مدخل اختيار جهاز" غير متوفر فإن البت في حقل "خيار كتلة صفحة الجهاز" سيستخدم من أجل اختيار كتلة الصفحة من داخل الجهاز بدلاً من الجهاز نفسه.

شكل (11) علاقة حجم الذاكرة مع "مدخلات اختيار الجهاز"

يلاحظ هنا أنه حتى مع وجود جهاز إييبروم واحد على الناقل فيجب وصل هذه الأطراف مع Vcc أو Vss لضمان إغلاق الاتصال.

عمليات الكتابة والقراءة في EEPROM

عمليات الكتابة
كتابة بايت
من أجل الكتابة نحتاج لحقل عنوان ثاني والذي هو عبارة عن عنوان كلمة يتكون من 8 بت يوفر وصول لأي بايت من الـ 256 بايت داخل الصفحة المختارة من إييبروم. عند وصول بايت العنوان فإن الإييبروم تستجيب بـ "عُلم" ACK وتنتظر لاستقبال ثمان بتات من المعلومات وترد بـ "عُلم" عندها فإن "الحاكم" ينهي عملية النقل بتوليد إشارة "قف" STOP عندها ستبدأ الإييبروم دورة الكتابة الداخلية لذاكرتها الثابتة. أثناء عملية الكتابة الداخلية لا تستقبل إييبروم أي مدخلات أو طلبات من خارجها.

شكل (12) كتابة كلمة

كتابة صفحة
من أجل تقليل زمن دورة الكتابة يمكن استعمال أسلوب كتابة صفحة والذي يتيح كتابة 16 بايت بشكل متجاور دفعة واحدة. لأجل ذلك تصنع الشركات مصفوفة الذاكرة على هيئة صفحات، حيث تتكون الصفحة من 16 موقع بايت متجاورة تبدأ عند حدود عنوان كل 16 بايت. عملية كتابة صفحة يمكن البدء بها تماماً كعملية كتابة بايت ولكن هنا بدل إنهاء الدورة بعد إرسال أول بايت من المعلومات يستمر الحاكم بإرسال ما أقصاه 15 بايت أخرى. بعد استقبال كل بايت يجيب الإييبروم بإشارة "عُلم" مع الزيادة بواحد على عداد العنونة الداخلي للانتقال للعنوان التالي وبالتالي الجاهزية لاستقبال بايت البيانات التالي. إذا استمر الحاكم بإرسال أكثر من 16 بايت قبل إرسال إشارة "قف" فإن العداد الداخلي يعيد الكتابة لفوق أول بايت ويستمر منه هناك حتى وصول إشارة "قف". عندها تتوقف إييبروم عن الاستقبال حتى تنتهي دورة الكتابة الداخلية.

شكل (13) كتابة صفحة

إحراز "عُلم "
بعد أن يرسل الحاكم إشارة "قف" دلالة على إنهائه دورة الكتابة تبدأ الإييبروم دورتها الداخلية للكتابة. يمكن إحراز إشارة "عُلم" مباشرة. هذا يتضمن إصدار إشارة "بدأ" يليها عنوان المحكوم لعملية الكتابة. إذا كانت الإييبروم لا تزال مشغولة بالكتابة فهي لن ترجع إشارة "عُلم". لكن إذا كانت قد انتهت من الكتابة فسترسل إشارة "عُلم" وسيقوم الحاكم المضيف لها بمواصلة عملية القراءة أو الكتابة التالية.
الحماية ضد الكتابة
يتوفر في بعض المنتجات التجارية خاصية منع الكتابة في النصف الأعلى من الإييبروم عندما يوصل طرف WP فيها مع Vcc . ستجيب الإييبروم على عنوان المحكوم والبايت المرسلين، ولكن إذا كان عنوان الذاكرة المطلوب محمي بطرف WP ، فإن الإييبروم لن تولد إشارة "عُلم" بعد استقبال بايت البيانات الأول ولن تبدأ دورتها للكتابة عند وصول إشارة "قف".
عمليات القراءة
يتم تنفيذ عمليات القراءة بطريقة مشابهة لتلك المتبعة للكتابة مع الاستثناء بأن بت R/W من عنوان المحكوم يأخذ قيمة1. هنالك ثلاث طرق قراءة وهي قراءة العنوان الحالي والقراءة العشوائية والقراءة المتتابعة.
القراءة من العنوان الحالي

تحتوي الإييبروم على عداد داخلي يتذكر آخر عنوان بايت تم الوصول إليه يضاف عليه 1. وبالتالي، إذا كانت آخر عملية وصول للقراءة أو للكتابة عند عنوان (ن) فإن عملية القراءة التالية ستكون من العنوان (ن+1). عند استقبال عنوان المحكوم ومعه بت R/W موضوع على 1، فإن الإييبروم ترسل "علم" متبوعة ببايت من ثمان بتات. الحاكم لن يرسل "علم" ولكنه سيولد "قف" وبالتالي ستتوقف الإييبروم عن الإرسال.

شكل (14) القراءة من العنوان الحالي

القراءة العشوائية

وفيها يمكن الوصول لأي مكان في الذاكرة مباشرة. قبل إرسال عنوان المحكوم بأمر القراءة (بت R/W == 1)، يقوم الحاكم بتنفيذ عملية كتابة وهمية. حيث يقوم الحاكم بإرسال إشارة "بدأ" START يليها عنوان المحكوم مع بت R/W == صفر وبعدها عنوان البايت المراد قراءته. بعد وصول "علم" يقوم الحاكم حالاً بإرسال إشارة "بدأ" بعدها عنوان المحكوم مع بت R/W == 1 . هذا طبعاً يجب أن يتبع بإشارة "علم" من الإييبروم يليها بايت من ثمان بتات. الحاكم لن يرسل "علم" ولكنه سيولد "قف" وبالتالي ستتوقف الإييبروم عن الإرسال


شكل (15) القراءة العشوائية

القراءة المتتابعة
يمكن البدء بها كعملية قراءة حالية أو عشوائية. أول كلمة ترسل بالطريقة سالفة الذكر ولكن الحاكم سيرد "علم" كرغبة في المزيد وبالتالي يواصل الإييبروم إرسال البيانات بعد كل "علم" يتلقاها حيث يمكن فقط للحاكم إنها العملية بإرسال "قف".
المعلومات الخارجة هي متتالية من بيانات العنوان (ن) يليها بيانات العنوان (ن+1). حيث يقوم عداد العنوان بزيادة 1 كل مرة مما يمكن من قراءة كل محتويات الذاكرة بشكل متسلسل بعملية واحدة. بعد قراءة كل الذاكرة سيدور العداد للبداية وستواصل الإييبروم إخراج البيانات لكل إشارة "علم" تتلقاها.

شكل (16) القراءة المتتابعة

ما هي الذاكرة الفلاش؟
What is Flash Memory?

تتميز الفلاش عن باقي أنواع الذاكرة بأنها رخيصة، عالية السعة، عالية السرعة، قليلة الاستهلاك للطاقة وعالية الثقة. تتشابه الفلاش مع الإييروم ولكنها أرق كما أن بعض الشركات مثل إنتل طورت تقنية تمكنها من استغلال الخلية الواحدة من الذاكرة لتخزين 2 بت كتطوير للنظام العادي الذي يستغل كل خلية لتخزين بت واحد ( 1= ممسوح، 0 = مبرمج) أما النظام المطور ويدعى بنية "الخلية متعددة المستويات" فيعتمد الدقة المتناهية كي يستطيع تخزين 2 بت في كل خلية. حيث أن برمجة الخلية (وضع الشحنة) أو قراءتها (الاستشعار)، يتم التحكم به بدقة عالية لتحديد حالات أربع (00=مبرمج، 01=مبرمج، 10=مبرمج، 11=ممسوح) ضمن الترانزيستور.

تتوافر وحدات الذاكرة مهندسة على هيئة مصفوفة كتل من خلايا الذاكرة فمثلاً وحدة ذاكرة تتكون من 134217728 بت تحتوي 16777218 بايت (8 بت) أو 8388608 كلمة (16 بت) أو 128 ميغابت يمكن تنظيمها على هيئة مائة وثمان وعشرون كتلة كل منها عبارة عن 128 كيلو بايت (أنظر الشكل (17

المراجع
المراجع[/CENTER]

1- MICRON flash memory data sheets.
2- MICRON boot block flash memory technical note.
3- INTEL flash memory data sheets.
4- FAIRCHILD Semiconductors EEPROM data sheets.
5- PHILIPS Semiconductors EEPROM and RAM data sheets.
6- PHILIPS Semiconductors EEPROM product data.
7- SST technical paper "Super Flash EEPROM Technology".
8- "A Nonvolatile Memory Overview" By Jitu J. Makwana, Dr. Dieter K. Schroder.

[center]

" What is Flash Memory?" Article by Intel Corporation

ماشاء الله عليك أخونا أسامة مطر فطريقة سردك للموضوع وتسلسلك فية فى غاية السلاسة والتشويق جعلتنى ألتهمة إلتهاما حتى أتيت علية
فالمعلومة علمية منظمة بسهولة ويسر
بارك الله فيك ونفع بك الإسلام والمسلمين وحرر وطننا السليب فلسطين
أخوكم د/محمد حجاج

بارك الله فيك ونفع بك الإسلام والمسلمين

بارك الله فيك

بارك الله فيك وفى صحتك
ورحم الله اخونا حسام وغفر له بما نفعنا به من علم
الصور اخذتها اليوم فى حالة صفا للنت وكان سريعا نسبيا عن كل يوم وساراجع الموضوع مره اخرى

mohammedhagag...... حمدى النجار....... folaa ....... احمدالذقاذيقى ...... khamis54......
مشكورين على المرور
أخ خميس 54 هذه ثاني شهادة تقدير منك وفي الحقيقة أعتبر أي رد على أي مشاركة أو مداخلة لي تعتبر وسام شرف لي فبارك الله فيك أخي خميس54 وفيكم جميعاً