غالباً ما تزداد استطاعة خرج مضخم العمليات باستخدام دارة تابع باعثي متتام . يمكن تحقيق نفس الشي ء باستخدام عناصر (Mosfet) ولكنها ليست بالفكرة الجيدة أن يوصل مثل هذا العنصر كتابع منبعي متتام وذلك لأن الجهد الأعظمي لخرج مضخم العمليات سوف يتناقص بشكل معتبربواسطة جهد تحكم البوابة – المنبع لترانزستور (Mosfet) والذي يمكن أن يساوي ( 2) فولت .
طريقة أخرى لتحقيق ذلك تتم بوصل ترانزستورين (MOSEFT) كتابع مصرف متتام . تيار الخرج ( المتناوب ) الذي تعطيه ترانزستورات (MOSEFT) يتم تحديده بواسطة مستوى جهود التغذية وجهود الاشباع للترانزستورات (T3,T4) . تؤمن المقاومات (R8,R9) التغذية العكسية من أجل مضخم العمليات وترانزستورات (Mosfet) بذلك يزداد تكبير الحلقة المفتوحة لمضخم العمليات بالقيمة (1+R8/R9) . ويكون تكبيرالحلقة المغلقة لكامل دارة المكبرمساويآ إلى (1+R3/R2) أي (11) .
يلزم مبنع التيار المشكل من (T2,T1) لتأمين التيار الساكن للترانزستورات (T4,T3)عند القيمة ( 50 ) ميللي أمبر . اختيرت قيم (R5,R4) بحيث أنه عند عدم وجود منبع التيار , فإن هبوط الجهد الحاصل عبر المقاومات والناتج عن التيار المستمر المار عبر مضخم العمليات لن يكون كافيا لتوصيل إلترانزستورات (T4,T3) أما عند وجود منبع التيار وبالاعتماد على وضعية (P1) فإن الجهود عبر(R5,R4) سترتفع مما يزيد من التيار الساكن المارعبر(R5,R4) باعتبار أن التيار الساكن يعتمد في قيمته على الحرارة فإنه يجب تثبيت (T2) على المبدد الحراري المشترك للترانزستورات (T4,T3) استطاعة الخرج لا تقل عن ( 20) واط على مجهار(8) أوم وتبلغ قيمة التشويه التوافقي حوالي 0,75% عند تردد (100) هرتز وحتى 0,135% عند (10) كيلو هرتز.

:brt: